СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ РАЗРЯДНОЙ ШИНЫ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ И ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА Российский патент 2023 года по МПК H10B12/00 

[0001] Настоящая заявка испрашивает преимущество приоритета по китайской патентной заявке № 202010811435.X, поданной 13 августа 2020 года и озаглавленной «СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ РАЗРЯДНОЙ ШИНЫ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ И ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА», раскрытие которой таким образом включено в настоящий документ во всей ее полноте.

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

[0002] Настоящее раскрытие относится к технической области полупроводников и, в частности, к способу изготовления структуры разрядной шины, способу изготовления полупроводниковой структуры и полупроводниковой структуре.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

[0003] Благодаря быстрому развитию наноустройств в полупроводниковой промышленности в последние годы, происходит постоянное уменьшение характерного размера при производстве микросхем. Кроме того, если рассматривать технологию в целом, то по-прежнему продолжаются разработки, направленные на дальнейшую оптимизацию критических размеров. Например, в процессе изготовления современной динамической оперативной памяти (Dynamic Random Access Memory, DRAM) уровень процесса формирования разрядной шины будет серьезно влиять на электрические свойства, выход годных кристаллов и надежность микросхемы на последующих этапах. В частности, с непрерывным уменьшением критических размеров требования к оптимизации и стабильности жертвенного слоя становятся все выше и выше. Процесс удаления жертвенного слоя разрядной шины становится все более и более важным.

[0004] Как показано на ФИГ. 1 и ФИГ. 2, в процессе производства предшествующего уровня техники травильный раствор (например, раствор фосфорной кислоты, H₃PO₄) имеет меньшую степень селективности травления для жертвенного слоя 150 (например, нитрида кремния, Si₃N₄) и барьерного слоя 140 (например, диоксида кремния, SiO₂) (т.е. отношение скорости травления жертвенного слоя 150 травильным раствором к скорости травления барьерного слоя 140 травильным раствором), так что легко происходит травление и удаление барьерного слоя 140, когда травильный раствор зачищает и удаляет жертвенный слой 150, что приводит к частичному удалению защитного слоя 130 и вызывает повреждение 121 (отсутствие W, где W - это вольфрам) из-за травления проводящего слоя 120 в барьерном слое 140.

[0005] Ввиду вышеупомянутых проблем необходима оптимизация способа изготовления структуры разрядной шины.

РАСКРЫТИЕ СУЩНОСТИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0006] Главная задача настоящего раскрытия состоит в создании такого способа изготовления структуры разрядной шины, который обеспечивал бы возможность предотвращения повреждения проводящего слоя травильным раствором, для устранения по меньшей мере одного вышеупомянутого недостатка предшествующего уровня техники.

[0007] Еще одна главная задача настоящего раскрытия состоит в создании способа изготовления полупроводниковой структуры, включающего вышеупомянутый способ изготовления структуры разрядной шины, для устранения по меньшей мере одного вышеупомянутого недостатка предшествующего уровня техники.

[0008] Еще одна задача настоящего раскрытия состоит в создании полупроводниковой структуры путем ее изготовления вышеупомянутым способом изготовления полупроводниковой структуры для устранения по меньшей мере одного вышеупомянутого недостатка предшествующего уровня техники.

[0009] Для решения вышеупомянутых задач, в настоящем раскрытии предложены следующие технические решения.

[0010] Согласно одному аспекту настоящего раскрытия, предложен способ изготовления структуры разрядной шины. Этот способ изготовления структуры разрядной шины может включать следующие операции.

[0011] Формируют проводящий слой разрядной шины на поверхности полупроводниковой подложки. Проводящий слой разрядной шины частично размещают в канавке в поверхности полупроводниковой подложки.

[0012] Формируют первый защитный слой на поверхности проводящего слоя разрядной шины и поверхности полупроводниковой подложки.

[0013] Формируют первый барьерный слой на поверхности первого защитного слоя.

[0014] Подвергают пассивирующей обработке поверхность первого защитного слоя.

[0015] Формируют жертвенный слой на поверхности первого барьерного слоя. Обеспечивают заполняющую часть жертвенного слоя, которая заполняет канавку.

[0016] Зачищают и удаляют часть жертвенного слоя, отличную от заполняющей части, с использованием травильного раствора.

[0017] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, пассивирующая обработка может включать плазменную обработку, ионную имплантацию или термическую окислительную обработку.

[0018] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, первый барьерный слой, подвергаемый пассивирующей обработке, может включать в себя структуру из двух тонкопленочных слоев, которые могут представлять собой соответственно первый тонкопленочный слой, примыкающий к первому защитному слою, и второй тонкопленочный слой, расположенный на удалении от первого защитного слоя. Степень селективности травления жертвенного слоя по отношению ко второму тонкопленочному слою может быть больше, чем степень селективности травления жертвенного слоя по отношению к первому тонкопленочному слою.

[0019] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, материал первого барьерного слоя может включать оксид кремния. Пассивирующая обработка может включать азотную плазменную обработку, а материал второго тонкопленочного слоя может включать оксинитрид кремния.

[0020] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, первый защитный слой может иметь толщину в диапазоне от 1 нм до 3 нм, и/или первый барьерный слой может иметь толщину в диапазоне от 2 нм до 8 нм.

[0021] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, материал первого защитного слоя может включать нитрид кремния, и/или материал первого барьерного слоя может включать оксид кремния, и/или материал жертвенного слоя может включать нитрид кремния.

[0022] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, травильный раствор может включать раствор фосфорной кислоты, температура травильного раствора может составлять от 100°С до 120°С, и/или концентрация травильного раствора может составлять от 40% до 60%.

[0023] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, после операции, на которой часть жертвенного слоя, отличную от заполняющей части, зачищают и удаляют с использованием травильного раствора, способ изготовления структуры разрядной шины может дополнительно включать следующие этапы.

[0024] Удаляют открытый участок первого барьерного слоя.

[0025] Формируют второй барьерный слой на поверхности проводящего слоя разрядной шины и поверхности полупроводниковой подложки.

[0026] Формируют второй защитный слой на поверхности второго барьерного слоя.

[0027] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, зачистка и удаление жертвенного слоя с использованием травильного раствора включают следующие операции.

[0028] Выполняют предварительную зачистку поверхности жертвенного слоя с использованием разбавленного раствора фтористоводородной кислоты для удаления оксидного слоя с поверхности жертвенного слоя.

[0029] И зачищают жертвенный слой с использованием раствора фосфорной кислоты для удаления части жертвенного слоя, отличной от заполняющей части.

[0030] Согласно еще одному аспекту настоящего раскрытия, предложен способ изготовления полупроводниковой структуры. Этот способ изготовления полупроводниковой структуры может включать следующие операции.

[0031] Обеспечивают полупроводниковую подложку и обеспечивают канавку в поверхности этой полупроводниковой подложки.

[0032] Формируют структуру разрядной шины на полупроводниковой подложке способом изготовления структуры разрядной шины, предложенным в настоящем раскрытии и упомянутым в вышеуказанных вариантах осуществления.

[0033] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, пассивирующая обработка может включать плазменную обработку. Пассивирующая обработка первого барьерного слоя может включать следующие операции.

[0034] Выполняют предварительный нагрев камеры обработки в обрабатывающем оборудовании.

[0035] Размещают в камере обработки полупроводниковую структуру со сформированным на ней первым барьерным слоем.

[0036] Вводят реакционную среду, и поверхность первого барьерного слоя подвергают плазменной обработке.

[0037] Охлаждают камеру обработки.

[0038] И извлекают полупроводниковую структуру.

[0039] Согласно еще одному варианту осуществления настоящего раскрытия, предложена полупроводниковая структура. Полупроводниковая структура может включать полупроводниковую подложку, проводящий слой разрядной шины и отделяющий слой заглушки разрядной шины. В поверхности полупроводниковой подложки может быть обеспечена канавка. Проводящий слой разрядной шины может быть частично расположен в канавке в поверхности полупроводниковой подложки. Отделяющий слой заглушки разрядной шины может заполнять канавку. Отделяющий слой заглушки разрядной шины может включать первый защитный слой, первый барьерный слой, подвергнутый пассивирующей обработке, и заполняющую часть.

[0040] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, первый защитный слой может иметь толщину в диапазоне от 1 нм до 3 нм, и/или первый барьерный слой может иметь толщину в диапазоне от 2 нм до 8 нм.

[0041] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, материал первого защитного слоя может включать нитрид кремния, и/или материал первого барьерного слоя может включать оксид кремния, и/или материал заполняющей части может включать нитрид кремния.

[0042] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, первый барьерный слой, подвергнутый пассивирующей обработке, может включать структуру из двух пленочных слоев, которые могут представлять собой соответственно первый тонкопленочный слой, примыкающий к первому защитному слою, и второй тонкопленочный слой, расположенный на удалении от первого защитного слоя. Степень селективности травления заполняющей части по отношению ко второму тонкопленочному слою может быть больше, чем степень селективности травления заполняющей части по отношению к первому тонкопленочному слою.

[0043] Согласно одному варианту осуществления настоящего раскрытия, материал первого тонкопленочного слоя может включать оксид кремния, а материал второго тонкопленочного слоя может включать оксинитрид кремния.

[0044] Из вышеупомянутых технических решений можно понять, что способ изготовления структуры разрядной шины, предложенный в настоящем раскрытии, имеет следующие преимущества и положительные эффекты.

[0045] Селективность травильного раствора для жертвенного слоя по отношению к первому барьерному слою увеличивается в результате выполнения пассивирующей обработки первого барьерного слоя, так что обеспечивается невозможность повреждения проводящего слоя в первом барьерном слое при очистке и удалении жертвенного слоя с использованием травильного раствора. Кроме того, благодаря достижению вышеуказанных эффектов, в настоящем раскрытии, в отличие от предшествующего уровня техники, отсутствует необходимость добавления активного вещества в травильный раствор. Следовательно, процесс очистки согласно настоящему раскрытию является сравнительно простым и не будет влиять на выход годной продукции. В дополнение, настоящее раскрытие способно обеспечить качество заполнения канавки без увеличения толщины первого барьерного слоя, что дополнительно удовлетворяет конструктивным требованиям по оптимизации и утонению критических размеров полупроводниковой продукции.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[0046] На ФИГ. 1 схематически показана конфигурация полупроводниковой структуры на одной операции существующего способа изготовления структуры разрядной шины.

[0047] На ФИГ. 2 показан увеличенный сравнительный чертеж частичной конфигурации структуры разрядной шины, показанной на ФИГ. 1, до и после травления и удаления жертвенного слоя.

[0048] На ФИГ. 3 схематически показана конфигурация полупроводниковой структуры на одной операции способа изготовления структуры разрядной шины, показанной в иллюстративном примере.

[0049] На ФИГ. 4 показан увеличенный схематический чертеж одной структуры разрядной шины полупроводниковой структуры на одной операции способа изготовления структуры разрядной шины, показанной в иллюстративном примере.

[0050] На ФИГ. 5 показан увеличенный схематический чертеж одной структуры разрядной шины полупроводниковой структуры на одной операции способа изготовления структуры разрядной шины, показанной в иллюстративном примере.

[0051] На ФИГ. 6 показан увеличенный схематический чертеж одной структуры разрядной шины полупроводниковой структуры на одной операции способа изготовления структуры разрядной шины, показанной в иллюстративном примере.

[0052] На ФИГ. 7 показан увеличенный схематический чертеж одной структуры разрядной шины полупроводниковой структуры на одной операции способа изготовления структуры разрядной шины, показанной в иллюстративном примере.

[0053] На ФИГ. 8 показан увеличенный схематический чертеж одной структуры разрядной шины полупроводниковой структуры на одной операции способа изготовления структуры разрядной шины, показанной в иллюстративном примере.

[0054] На сопроводительных чертежах используются следующие ссылочные номера.

[0055] 111: канавка;

[0056] 120: проводящий слой;

[0057] 121: травильное повреждение;

[0058] 130: защитный слой;

[0059] 140: барьерный слой;

[0060] 150: жертвенный слой;

[0061] 210: полупроводниковая подложка;

[0062] 211: канавка;

[0063] 220: проводящий слой разрядной шины;

[0064] 221: металлический слой;

[0065] 222: заглушка битовой шины;

[0066] 223: нитрид титана;

[0067] 230: первый защитный слой;

[0068] 240: первый барьерный слой;

[0069] 241: первый тонкопленочный слой;

[0070] 242: второй тонкопленочный слой;

[0071] 250: жертвенный слой;

[0072] 251: заполняющая часть;

[0073] 260: отделяющий слой заглушки разрядкой шины.

ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0074] Иллюстративные варианты осуществления будут далее описаны более всесторонне со ссылкой на сопроводительные чертежи. Тем не менее, иллюстративные варианты осуществления могут быть воплощены в различных формах, и они не должны рассматриваться как ограниченные вариантами осуществления, изложенными в данном документе. Вместо этого данные варианты осуществления представлены для того, чтобы настоящее описание было исчерпывающим и полным, и идеи приведенных в качестве примера вариантов осуществления были полностью доведены до специалистов в данной области техники. Одинаковые ссылочные номера на чертежах относятся к одинаковым или схожим структурам. Их повторное подробное описание будет опущено.

[0075] Обратимся к ФИГ. 3-8, на которых соответственно и репрезентативно показаны схематические чертежи полупроводниковой структуры на различных операциях способа изготовления структуры разрядной шины, предложенного в настоящем раскрытии. В иллюстративном примере способ изготовления структуры разрядной шины, предложенный в настоящем раскрытии, описан на примере изготовления разрядной шины, применяемой для DRAM. Специалистам в данной области техники легко понять, что различные модификации, добавления, замены, исключения или другие изменения могут быть внесены в следующие конкретные примеры с целью применения соответствующих конструкций по настоящему раскрытию к способам изготовления полупроводниковых структур других типов, которые, тем не менее, находятся в рамках принципа способа изготовления структуры разрядной шины, предложенного в настоящем раскрытии.

[0076] Как показано на ФИГ. 3-8, в данном примере способ изготовления структуры разрядной шины, предложенный в настоящем раскрытии, включает следующие операции.

[0077] Формируют проводящий слой 220 разрядной шины на поверхности полупроводниковой подложки 210. Частично размещают проводящий слой 220 разрядной шины в канавке 211 в поверхности полупроводниковой подложки 210.

[0078] Формируют первый защитный слой 230 на поверхности проводящего слоя 210 разрядной шины и поверхности полупроводниковой подложки 230.

[0079] Формируют первый барьерный слой 240 на поверхности первого защитного слоя 230.

[0080] Подвергают пассивирующей обработке поверхность первого барьерного слоя 240.

[0081] Формируют жертвенный слой 250 на поверхности первого барьерного слоя 240. В жертвенном слое 250 обеспечивают заполняющую часть 251, которая заполняет канавку 211. Зачищают и удаляют часть жертвенного слоя 250, отличную от заполняющей части 251, с использованием травильного раствора.

[0082] На этом изготовление полупроводниковой разрядной шины в основном завершают.

[0083] Благодаря вышеуказанному техническому решению, повышается селективность травления травильным раствором жертвенного слоя 250 по отношению к первому барьерному слою 240 в результате выполнения пассивирующей обработки первого барьерного слоя 240, так что обеспечивается невозможность повреждения проводящего слоя 220 в первом барьерном слое 240 при зачистке и удалении жертвенного слоя 250 с использованием травильного раствора. Кроме того, в отличие от предшествующего уровня техники, настоящее раскрытие не требует ни добавления активного вещества в травильный раствор, ни увеличения толщины первого барьерного слоя 240.

[0084] В конкретном случае, на ФИГ. 3 конкретно показана полупроводниковая слоистая структура, которая может использоваться в качестве типичного примера полупроводниковой структуры на операции «формирования проводящего слоя 220 разрядной шины» в данном примере. Обеспечивают канавку 211 в поверхности полупроводниковой подложки 210. Формируют проводящий слой 220 разрядной шины в канавке 211 в поверхности полупроводниковой подложки 210, и этот проводящий слой 220 разрядной шины включает металлический слой 221 и заглушку 222 разрядной шины и может дополнительно включать слой покрытия из нитрида титана 223 (TiN) и нитрида кремния. Формируют заглушку 222 разрядной шины в канавке 211 в поверхности полупроводниковой подложки 210. Формируют слой нитрида титана 223 на заглушке 222 разрядной шины. Формируют металлический слой 221 на слое нитрида титана 223. Дополнительно формируют слой нитрида кремния на металлическом слое 221.

[0085] В конкретном случае, на ФИГ. 4 конкретно показана увеличенная слоистая структура полупроводниковой разрядной шины, которая может использоваться в качестве типичного примера разрядной шины на операции «формирования первого защитного слоя 230» в данном примере. Формируют первый защитный слой 230 разрядной шины на поверхности проводящего слоя 220 и поверхности полупроводниковой подложки 210 (часть без проводящего слоя 220 разрядной шины). Иначе говоря, формируют первый защитный слой 230 как на стенке, так и на той часте дна канавки 211, где нет проводящего слоя 220 разрядной шины (заглушки 222 разрядной шины).

[0086] В предпочтительном варианте в данном примере на операции «формирования первого защитного слоя 230» толщина первого защитного слоя 230 может предпочтительно составлять от 1 нм до 3 нм, например 1 нм, 1,5 нм, 2 нм и 3 нм. В других примерах толщина первого защитного слоя 230 может составлять меньше 1 нм, или она может составлять больше 3 нм, например 0,8 нм, 4 нм и 5 нм, без ограничения данным примером.

[0087] В предпочтительном варианте в данном примере на операции «формирования первого защитного слоя 230» материал первого защитного слоя 230 может предпочтительно включать нитрид кремния. На операции «формирования жертвенного слоя 250» материал жертвенного слоя 250 предпочтительно может также включать нитрид кремния. Для удобства различения, когда слой нитрида кремния служит в качестве первого защитного слоя 230, он может именоваться внутренним SiN, а когда слой нитрида кремния служит в качестве жертвенного слоя 250, он может именоваться внешним SiN.

[0088] В конкретном случае, на ФИГ. 5 конкретно показана увеличенная слоистая структура полупроводниковой разрядной шины, которая может использоваться в качестве типичного примера разрядной шины на этапе «формирования первого барьерного слоя 240» в данном примере. Формируют первый барьерный слой 240 на поверхности первого защитного слоя 230. Иначе говоря, формируют первый защитный слой 230 и первый барьерный слой 240 как на стенке канавки 211, так и на части ее дна, не имеющем проводящего слоя 220 разрядной шины (заглушки 222 разрядной шины). В данном примере материал первого барьерного слоя 240 может включать, без ограничения, оксид кремния.

[0089] В конкретном случае, на ФИГ. 6 конкретно показана увеличенная слоистая структура полупроводниковой разрядной шины, которая может использоваться в качестве типичного примера структуры разрядной шины на операции «пассивирующей обработки» в данном примере. Эта операция состоит в том, что подвергают пассивирующей обработке поверхность первого барьерного слоя 240 после формирования первого барьерного слоя 240 на поверхности первого защитного слоя 230.

[0090] В предпочтительном варианте в данном примере на операции «пассивирующей обработки» эта пассивирующая обработка, выполняемая на первом барьерном слое 240, может предпочтительно включать плазменную обработку. Кроме того, плазменная обработка может предпочтительно представлять собой азотную плазменную обработку. В других примерах пассивирующая обработка, выполняемая на первом барьерном слое 240, может также использовать другие пассивирующие процессы или их комбинации, например ионную имплантацию и термическую окислительную обработку, без ограничения данным примером.

[0091] В предпочтительном варианте как показано на ФИГ. 6, в данном примере на операции «пассивирующей обработки» поверхность первого барьерного слоя 240 в основном включает структуру из двух пленочных слоев после пассивирующей обработки. Для удобства понимания и описания, два пленочных слоя этой структуры соответственно определены как первый тонкопленочный слой 241 и второй тонкопленочный слой 242 в настоящем описании. Первый тонкопленочный слой 241 примыкает к первому защитному слою 230, а второй тонкопленочный слой 242 расположен на удалении от первого защитного слоя 230 (т.е. примыкает к жертвенному слою 250, формируемому в последующем процессе). Исходя из этого, первый тонкопленочный слой 241 может также пониматься как слоистая структура, которая в основном сохраняет те же самые свойства и состояние, что и первый барьерный слой 240, не подвергнутый пассивирующей обработке, а второй тонкопленочный слой 242 представляет собой слой с измененными свойствами и состоянием по сравнению с первым барьерным слоем 240, не подвергнутым пассивирующей обработке. Описанное выше изменение второго тонкопленочного слоя 242 включает тот факт, что селективность травления жертвенного слоя 250 по отношению ко второму тонкопленочному слою 242 составляет больше, чем селективность травления временного слоя 250 по отношению к первому тонкопленочному слою 241. Иначе говоря, селективность травления жертвенного слоя 250 по отношению к первому барьерному слою 240 повышается после того, как первый барьерный слой 240 подвергнут пассивирующей обработке. В других примерах, основанных на пассивирующей обработке других типов, первый барьерный слой 240 также может образовывать структуру из двух или более тонкопленочных слоев. Селективность травления жертвенного слоя 250 по отношению к по меньшей мере одному слою тонкопленочной структуры первого барьерного слоя 240 составляет больше, чем селективность травления жертвенного слоя 250 по отношению к другим слоям тонкопленочных структур. В качестве альтернативы, первый барьерный слой 240, подвергнутый пассивирующей обработке, также может сохранять структуру в виде одного тонкопленочного слоя, и селективность травления жертвенного слоя 250 по отношению к первому барьерному слою 240 после обработки будет составлять выше, чем селективность травления жертвенного слоя 250 по отношению к первому барьерному слою 240 до обработки. Иначе говоря, первый барьерный слой 240 может образовывать различные возможные слоистые тонкопленочные структуры после пассивирующей обработки, и селективность травления жертвенного слоя 250 по отношению к первому барьерному слою 240 повышается после того, как первый барьерный слой 240 подвергнут пассивирующей обработке.

[0092] Например, исходя из того, что материал первого барьерного слоя 240 включает оксид кремния, и в то же самое время исходя из технического решения, согласно которому пассивирующая обработка включает плазменную обработку с помощью N₂, в настоящем варианте осуществления материал второго тонкопленочного слоя 242 включает оксинитрид кремния после того, как оксид кремния подвергнут азотной плазменной обработке. Соответственно, если взять в качестве примера материал жертвенного слоя 250, включающего нитрид кремния, то селективность травления нитрида кремния по отношению к оксинитриду кремния составляет выше, чем селективность травления нитрида кремния по отношению к оксиду кремния, то есть селективность травления жертвенного слоя 250 по отношению к первому барьерному слою 240 повышается после того, как первый барьерный слой 240 подвергнут азотной плазменной обработке.

[0093] В предпочтительном варианте в данном примере на операции «формирования первого защитного слоя 240» толщина первого защитного слоя 240 может предпочтительно составлять от 2 нм до 8 нм, например 2 нм, 3 нм, 4 нм и 5 нм. В других примерах толщина первого защитного слоя 240 также может составлять меньше 2 нм, например 1 нм и 1,5 нм, без ограничения данным примером. Следует отметить, что селективность травления жертвенного слоя 250, сформированного в более позднем процессе, по отношению к первому барьерному слою 240 повышается, поскольку в настоящем раскрытии используется технологический этап выполнения пассивирующей обработки первого барьерного слоя 240. Следовательно, при одинаковых условиях травления (например, при одинаковых температуре и концентрации травильного раствора и времени очистки), требуемая толщина первого барьерного слоя 240, сформированного согласно настоящему раскрытию, составляет меньше, чем требуемая толщина барьерного слоя, сформированного с помощью предшествующего уровня техники, если необходимо достичь такого же эффекта удаления посредством травления. Иначе говоря, предпочтительный диапазон толщины первого барьерного слоя 240 в данном примере фактически не может быть реализован с помощью предшествующего уровня техники, в отличие от простого выбора численного диапазона.

[0094] В предпочтительном варианте исходя из того, что пассивирующая обработка включает плазменную обработку, в данном примере на операции «пассивирующей обработки» пассивирующая обработка, выполняемая на первом барьерном слое 240, может предпочтительно включать следующие операции.

[0095] Предварительно нагревают камеру обработки.

[0096] Размещают в камере обработки полупроводниковую структуру со сформированным на ней барьерным слоем 240.

[0097] Вводят реакционную среду и подвергают поверхность барьерного слоя 240 плазменной обработке.

[0098] Охлаждают камеру обработки.

[0099] В завершение, извлекают полупроводниковую структуру.

[00100] В дополнение, при плазменной обработке первого барьерного слоя 240 может предпочтительно использоваться обрабатывающее оборудование, такое как устройство для плазменной обработки поверхности. В этом случае размещают полупроводниковую структуру в камере обработки устройства для плазменной обработки поверхности, причем предварительно нагревают камеру обработки перед тем, как полупроводниковая структура будет размещена в камере обработки. После того, как полупроводниковая структура размещена в предварительно нагретой камере обработки, вводят реакционную среду (например, азот) в камеру обработки и подвергают поверхность первого барьерного слоя 240 полупроводниковой структуры плазменной обработке с использованием указанной реакционной среды. После завершения обработки охлаждают камеру обработки, в которой размещена полупроводниковая структура. В завершение, извлекают охлажденную полупроводниковую структуру из камеры обработки. В других примерах, на операции «пассивирующей обработки» возможен гибкий выбор конкретных этапов и процессов пассивирующей обработки, когда используются процессы плазменной обработки других типов или пассивирующие процессы других типов, без ограничения данным примером.

[00101] В конкретном случае, на ФИГ. 7 конкретно показана увеличенная слоистая структура полупроводниковой разрядной шины, которая может использоваться в качестве типичного примера разрядной шины на операции «формирования жертвенного барьерного слоя 250» в данном примере. Формируют жертвенный слой 250 на поверхности первого барьерного слоя 240 после того, как он подвергнут пассивирующей обработке. В дополнение, заполняющую часть 251 жертвенного слоя 250 заполняет канавку 211 (ее часть без первого защитного слоя 230 или первого барьерного слоя 240). Иначе говоря, последовательно формируют первый защитный слой 230 и первый барьерный слой 240 на стенке полости канавки 211 и на части дна канавки, не имеющей проводящего слоя 220 разрядной шины (заглушки 222 разрядной шины), а остаток полости канавки для указанной части заполняют жертвенным слоем 250 (заполняющей частью 251). В соответствии с этим, формируют отделяющие слои 260 заглушки разрядной шины в канавках 211 с двух сторон заглушки 222 разрядной шины полупроводниковой структуры. Отделяющий слой 260 заглушки разрядной шины включает первый защитный слой 230, первый барьерный слой 240 и неудаленный участок жертвенного слоя 250 (заполняющая часть 251). В данном примере материал жертвенного слоя 250 может включать, без ограничения, нитрид кремния (если же материал первого защитного слоя 230 также включает нитрид кремния, то нитрид кремния жертвенного слоя 250 представляет собой внешний SiN).

[00102] В дополнение, подвергают пассивирующей обработке первый барьерный слой 240 перед формированием жертвенного слоя 250 по настоящему раскрытию для повышения селективности травления жертвенного слоя 250 по отношению к первому барьерному слою 240. В частности, вышеупомянутая селективность травления может быть определена как отношение скорости травления травильным раствором первого из двух элементов к скорости травления травильным раствором второго из двух элементов при одних и тех же условиях травления. Соответственно, «селективность травления жертвенного слоя 250 по отношению к первому барьерному слою 240» представляет собой отношение скорости травления травильным раствором жертвенного слоя 250 к скорости травления травильным раствором первого барьерного слоя 240. В дополнение, увеличение указанного отношения эквивалентно более высокой скорости травления травильным раствором жертвенного слоя 250 при тех же самых условиях травления. Следовательно, на последующей операции травления и зачистки, на которой «выполняют травление и удаление жертвенного слоя 250», настоящее раскрытие обеспечивает возможность зачистки и удаления жертвенного слоя 250 и возможность уменьшения или предотвращения травления первого барьерного слоя 240 с тем, чтобы защитить первый защитный слой 230 (обычно включающий тот же материал, что и жертвенный слой 250, например нитрид кремния) внутри первого барьерного слоя 240 от травления и удаления, таким образом защищая проводящий слой 220 разрядной шины внутри первого защитного слоя 230 от повреждения из-за травления.

[00103] В конкретном случае, на ФИГ. 8 конкретно показана увеличенная слоистая структура полупроводниковой разрядной шины, которая может использоваться в качестве типичного примера структуры разрядной шины на операции «зачистки и удаления жертвенного слоя 250» в данном примере. На этой операции подвергают полупроводниковую структуру влажной зачистке с использованием травильного раствора после формирования временного слоя 250, так что часть жертвенного слоя 250, отличная от заполняющей части 251, удаляется травильным раствором. Соответственно, первый защитный слой 230, первый барьерный слой 240 и заполняющая часть 251 жертвенного слоя 250 по-прежнему полностью заполняют канавку 211 полупроводниковой структуры после зачистки и удаления жертвенного слоя 250, что в максимальной степени обеспечивает эффект предотвращения неисправностей, таких как короткое замыкание. На этом изготовление полупроводниковой разрядной шины в основном завершают.

[00104] В предпочтительном варианте в данном примере на операции «зачистки и удаления жертвенного слоя 250» травильный раствор может предпочтительно включать раствор фосфорной кислоты. В данном примере травильный раствор может быть также выбран из травильных жидкостей или растворов других типов, без ограничения данным примером.

[00105] В предпочтительном варианте в данном примере на операции «зачистки и удаления жертвенного слоя 250» с использованием травильного раствора, включающего фосфорную кислоту, в качестве примера, температура травильного раствора может предпочтительносоставлять от 100°С до 120°С, например, 100°С, 105°С, 110°С и 120°С. В других примерах температура травильного раствора также может быть ниже 100°С, или она может быть выше 120°С, например 95°С, 125°С, 150°С и 160°С, без ограничения данным примером. Следует отметить, что селективность травления жертвенного слоя 250, формируемого в последующем процессе, по отношению к первому барьерному слою 240 повышается, поскольку в настоящем раскрытии используют технологический этап выполнения пассивирующей обработки первого барьерного слоя 240. Температура травильного раствора, используемого в настоящем раскрытии, составляет ниже, чем температура травильного раствора в предшествующем уровне техники, для достижения большей селективности травления. Разумеется, в других примерах по настоящему раскрытию может также использоваться температура травильного раствора, схожая с той, которая имеет место в предшествующем уровне техники. Иначе говоря, предпочтительный диапазон температуры травильного раствора в данном примере фактически не может быть реализован с помощью известного уровня техники, в отличие от простого выбора численного диапазона.

[00106] В предпочтительном варианте в данном примере на операции «зачистки и удаления жертвенного слоя 250» с использованием, в качестве примера, травильного раствора, включающего фосфорную кислоту, концентрация травильного раствора может предпочтительно составлять от 40% до 60%, например 40%, 45%, 50% и 60%. В других примерах концентрация травильного раствора может также составлять менее 40% или более 60%, например 38%, 65%, 70% и 85%, без ограничения данным примером. Следует отметить, что селективность травления временного слоя 250, формируемого в последующем процессе, по отношению к первому барьерному слою 240 повышается, поскольку в настоящем раскрытии используют технологический этап выполнения пассивирующей обработки первого барьерного слоя 240. Концентрация травильного раствора, используемого в настоящем раскрытии, может быть меньше, чем концентрация травильного раствора в предшествующем уровне техники, для достижения большей селективности травления. Разумеется, в других примерах по настоящему раскрытию может также использоваться концентрация травильного раствора, схожая с той, которая имеет место в предшествующем уровне техники. Иначе говоря, предпочтительный диапазон концентрации травильного раствора в данном примере фактически не может быть реализован с помощью известного уровня техники, в отличие от простого выбора численного диапазона.

[00107] В предпочтительном варианте в данном примере на операции «зачистки и удаления жертвенного слоя 250» операция, на которой осуществляют травление и зачистку слоя 250, может предпочтительно включать следующие этапы.

[00108] Выполняют предварительную зачистку поверхности жертвенного слоя 250 с использованием разбавленного раствора фтористоводородной кислоты для удаления оксидного слоя с поверхности жертвенного слоя 250.

[00109] Зачищают жертвенный слой 250 с использованием фосфорной кислоты для удаления части жертвенного слоя 250, отличной от заполняющей части 251.

[00110] В дополнение, во время конкретного производственного процесса на поверхности жертвенного слоя 250 может образовываться первичный оксидный слой, поскольку жертвенный слой 250 открыт и находится в контакте с воздухом после того, как жертвенный слой 250 сформирован на поверхности первого барьерного слоя 240. Первичный оксидный слой, образовавшийся на поверхности временного слоя 250, может быть эффективно удален в настоящем раскрытии путем добавления этапа предварительной зачистки перед зачисткой временного слоя 250 с использованием травильного раствора с тем, чтобы повысить эффективность зачистки и удаления жертвенного слоя 250 с использованием травильного раствора и улучшить стабильность и управляемость производственного процесса.

[00111] Кроме того, описанная выше конкретная операция, на которой осуществляют травление и зачистку жертвенного слоя, может предпочтительно быть выполнена с использованием машины для влажного процесса канавочного типа. В частности, поверхность жертвенного слоя 250 может быть предварительно очищена в течение времени от 5 с до 15 с посредством раствора фтористоводородной кислоты, который был разбавлен в соотношении 200:1. Затем предварительно очищенную полупроводниковую структуру размещают в машине для влажного процесса канавочного типа с целью выполнения очистки во влажном процессе канавочного типа с использованием раствора фосфорной кислоты при низкой температуре и низкой концентрации (например, температуре от 100°С до 120°С и концентрации от 40% до 60%), а затем очищают водой и сушат изопропиловым спиртом. Высушенную полупроводниковую структуру извлекают из машины для влажного процесса канавочного типа.

[00112] Как упомянуто выше, с целью демонстрации эффективности способа изготовления структуры разрядной шины, предложенного в настоящем раскрытии, заявителем выполнялось большое количество экспериментов и моделирующих операций, и результаты этих экспериментов и операций могут достоверно подтвердить наличие значимых эффектов от применения настоящего раскрытия. Значимые эффекты от применения настоящего раскрытия будут описаны в сочетании со сравнением двух конкретных примеров согласно настоящему раскрытию и предшествующему уровню техники.

[00113] В таблице 1 ниже приведено сравнение настоящего раскрытия и предшествующего уровня техники по условиям процесса, которыми являются «наличие/отсутствие предварительной очистки», «концентрация травильного раствора при использовании фосфорной кислоты в качестве примера», «температура травильного раствора при использовании фосфорной кислоты в качестве примера» и «наличие/отсутствие пассивирующей обработки при использовании азотной плазменной обработки в качестве примера», и их сравнение по результирующей «селективности травления» жертвенного слоя структуры полупроводниковой разрядной шины, полученной с помощью различных процессов, и барьерного слоя (первого барьерного слоя в настоящем раскрытии). Согласно вышеуказанному, в предшествующем уровне техники процесс азотной плазменной обработки барьерного слоя не выполнялся, имели место более высокая концентрация фосфорной кислоты, составлявшая от 75% до 88%, и более высокая температура фосфорной кислоты, составлявшая от 150°С до 165°С, и процесс предварительной зачистки жертвенного слоя не выполнялся. Селективность травления жертвенного слоя по отношению к барьерному слою, полученная согласно вышеуказанному, составила приблизительно 5:1. В примере 1 по настоящему раскрытию процесс азотной плазменной обработки на первом барьерном слое выполнялся, концентрация фосфорной кислоты и температура фосфорной кислоты были такими же, что и в предшествующем уровне техники, и процесс предварительной очистки на жертвенном слое не выполнялся. Селективность травления временного слоя по отношению к барьерному слою, полученная согласно вышеуказанному, составила приблизительно 16:1. В примере 2 по настоящему раскрытию процесс азотной плазменной обработки на первом барьерном слое выполнялся, концентрация фосфорной кислоты составляла от 40% до 60%, температура фосфорной кислоты составляла от 100°С до 120°С, и жертвенный слой был предварительно зачищен с использованием зачистки сверхчистой водой, например H₂O:HF(49%)=200:1, в течение 10 с. Селективность травления жертвенного слоя по отношению к барьерному слою, полученная согласно вышеуказанному, составила приблизительно 32:1. Таким образом, хорошо понятно, что полупроводниковая структура разрядной шины, полученная способом изготовления структуры разрядной шины, предложенным в настоящем раскрытии, действительно обеспечивает возможность повышения селективности травления жертвенного слоя по отношению к первому барьерному слою с тем, чтобы безусловно гарантировать невозможность повреждения проводящего слоя внутри первого барьерного слоя вследствие зачистки и удаления жертвенного слоя с использованием травильного раствора, когда толщина первого барьерного слоя сравнительно мала.

[00114]

Предшествующий уровень техники Пример 1 по настоящему раскрытию Пример 2 по настоящему раскрытию Предварительная зачистка Нет Нет Разбавленная плавиковая кислота 200:1; 10 с Концентрация фосфорной кислоты 75%-88% 75%-88% 40%-60% Температура фосфорной кислоты 150°C-165°C 150°C-165°C 100°C-120°C Азотная плазменная обработка Нет Да Да Селективность травления 5:1 16:1 32:1

[00115] Талица 1. Сравнение по селективности травления между существующим уровнем техники и примерами по настоящему раскрытию

[00116] Здесь нужно отметить, что способы изготовления структуры разрядной шины, показанные на сопроводительных чертежах и описанные в данном описании, представляют собой лишь некоторые примеры способа изготовления, в которых могут использоваться принципы настоящего раскрытия. Следует хорошо понимать, что принципы настоящего раскрытия никоим образом не ограничиваются какими-либо деталями или любыми этапами способа изготовления структуры разрядной шины, показанной на сопроводительных чертежах или описанной в настоящем описании.

[00117] На основе приведенного выше подробного описания иллюстративных примеров способа изготовления структуры разрядной шины, предложенного в настоящем раскрытии, ниже будет описан пример способа изготовления полупроводниковой структуры, предложенного в настоящем раскрытии.

[00118] В данном примере способ изготовления полупроводника, предложенный в настоящем раскрытии, включает следующие операции.

[00119] Обеспечивают полупроводниковую подложку и обеспечивают канавку в поверхности полупроводниковой подложки

[00120] Формируют структуру разрядной шины на полупроводниковой подложке способом изготовления структуры разрядной шины, предложенным в настоящем раскрытии и описанным в представленных выше примерах.

[00121] Следует отметить, что при выполнении способа изготовления структуры разрядной шины, предложенного в настоящем раскрытии, могут использоваться различные возможные операции обработки до и после формирования структуры разрядной шины в соответствующих примерах согласно идеям настоящего раскрытия для формирования различных функциональных структур или обработки структур, необходимых для полупроводниковой структуры, без ограничения способом реализации по настоящему раскрытию.

[00122] Например, может быть удален первый барьерный слой и затем последовательно сформированы функциональные структуры, такие как второй барьерный слой и второй защитный слой, после формирования структуры разрядной шины на описанных выше этапах способа изготовления полупроводниковой структуры, предложенного в настоящем раскрытии. В дополнение, операции формирования описанных выше различных функциональных структур могут быть также реализованы с помощью таких процессов, как осаждение (Dep) и травление (Etch). Во время выполнения описанных выше процессов процессы формирования рисунков и тому подобные могут быть также реализованы путем обработки слоистых структур, таких как оксид кремния и нитрид кремния, без ограничения представленным способом реализации. Негативное воздействие на полупроводниковую структуру вследствие повреждения поверхности, сформированной на первом барьерном слое, при удалении жертвенного слоя может быть предотвращено путем повторного формирования второго барьерного слоя и второго защитного слоя после удаления первого барьерного слоя.

[00123] Здесь следует отметить, что способ изготовления полупроводниковой структуры, показанной на сопроводительных чертежах и описанной в настоящем описании, представлен лишь некоторыми примерами способов изготовления, в которых могут использоваться принципы настоящего раскрытия. Следует ясно понимать, что принципы настоящего раскрытия никоим образом не ограничиваются какими-либо деталями или любыми операциями способа изготовления полупроводниковой структуры, показанными на сопроводительных чертежах или описанными в настоящем описании.

[00124] На основе представленного выше подробного описания иллюстративных примеров способа изготовления структуры разрядной шины и способа изготовления полупроводниковой структуры, предложенных в настоящем раскрытии, ниже будет описан иллюстративный пример полупроводниковой структуры, предложенной в настоящем раскрытии, со ссылкой на ФИГ. 8.

[00125] В данном примере полупроводниковая структура, предложенная в настоящем раскрытии, изготовлена способом изготовления полупроводниковой структуры, который предложен в настоящем раскрытием и описан в приведенных выше примерах.

[00126] Как показано на ФИГ. 8, полупроводниковая структура, предложенная в настоящем раскрытии, включает полупроводниковую подложку 210, проводящий слой 220 разрядной шины и отделяющий слой 260 заглушки разрядной шины. В поверхности полупроводниковой подложки 210 обеспечена канавка 211. Проводящий слой 220 разрядной шины частично расположен в канавке 211 в поверхности полупроводниковой подложки. Отделяющий слой 260 заглушки разрядной шины заполняет канавку и включает первый защитный слой 230, первый барьерный слой 240, подвергнутый пассивирующей обработке, и заполняющую часть 251.

[00127] В предпочтительном варианте в данном примере первый защитный слой 230 может предпочтительно иметь толщину в диапазоне от 1 нм до 3 нм.

[00128] В предпочтительном варианте в данном примере первый барьерный слой 240 может предпочтительно иметь толщину в диапазоне от 2 нм до 8 нм.

[00129] В предпочтительном варианте в данном примере материал первого защитного слоя 230 может предпочтительно включать нитрид кремния.

[00130] В предпочтительном варианте в данном примере материал первого барьерного слоя 240 может предпочтительно включать оксид кремния.

[00131] В предпочтительном варианте в данном примере материал заполняющей части 251 может предпочтительно включать нитрид кремния.

[00132] В предпочтительном варианте в данном примере первый барьерный слой 240, подвергнутый пассивирующей обработке, включает структуру из двух тонкопленочных слоев - соответственно первого тонкопленочного слоя 241, примыкающего к первому защитному слою 230, и второго тонкопленочного слоя 242, расположенного на удалении от первого защитного слоя 230. Селективность травления заполняющей части 251 по отношению ко второму тонкопленочному слою 242 составляет больше, чем селективность травления заполняющей части 251 по отношению к первому тонкопленочному слою 241.

[00133] В предпочтительном варианте в данном варианте реализации материал первого тонкопленочного слоя 241 включает оксид кремния, а материал второго тонкопленочного слоя 242 включает оксинитрид кремния.

[00134] Здесь следует отметить, что полупроводниковая структура, показанная на сопроводительных чертежах и описанная в настоящем описании, представлена лишь несколькими примерами из множества полупроводниковых структур, в которых могут использоваться принципы настоящего раскрытия. Следует четко понимать, что принципы настоящего раскрытия никоим образом не ограничиваются какими-либо деталями или любыми компонентами полупроводниковой структуры, показанными на сопроводительных чертежах или описанными в настоящем описании.

[00135] В завершение, селективность травильного раствора на жертвенном слое по отношению к селективности на первом запирающем слое увеличивается в результате выполения пассивирующей обработки на первом запирающем слое, так что обеспечивается невозможность повреждения первого проводящего слоя в первом запирающем слое при зачистке и удалении жертвенного слоя с использованием травильного раствора. Кроме того, благодаря достижению вышеуказанных эффектов, в настоящем раскрытии отсутствует необходимость в добавлении активного вещества в травильный раствор, в отличие от предшествующего уровня техники. Следовательно, способ зачистки по настоящему раскрытию является сравнительно простым и не влияет на выход готовой продукции. В дополнение, настоящее раскрытие обеспечивает возможность соблюдения конструктивных требований по оптимизации и утонению критических размеров полупроводниковой продукции без увеличения толщины первого барьерного слоя.

[00136] Хотя настоящее раскрытие было описано со ссылкой на несколько типичных вариантов осуществления, следует отметить, что используемые термины являются иллюстративными и приведенными для примера, а не ограничивающими терминами. Поскольку настоящее раскрытие может быть реализовано в различных формах без отхода от идеи или сущности настоящего раскрытия, следует понимать, что описанные выше варианты осуществления не ограничены какими-либо из вышеупомянутых деталей и должны интерпретироваться в широком смысле в пределах идеи и объема, определенных приложенной формулой изобретения. Следовательно, все изменения и модификации, попадающие в рамки формулы изобретения или ее эквивалентного объема, должны охватываться приложенной формулой изобретения.

Способ изготовления структуры разрядной шины включает в себя следующие операции. Формируют проводящий слой разрядной шины на поверхности полупроводниковой подложки, причем указанный проводящий слой разрядной шины частично размещают в канавке в поверхности полупроводниковой подложки. Формируют первый защитный слой на поверхностях проводящего слоя разрядной шины и полупроводниковой подложки. Формируют первый барьерный слой на поверхности первого защитного слоя. Подвергают пассивирующей обработке поверхность первого барьерного слоя. Формируют жертвенный слой на поверхности первого барьерного слоя и на этом жертвенном слое обеспечивают заполняющую участь, которая заполняет указанную канавку. Зачищают и удаляют часть жертвенного слоя, отличную от заполняющей части, с использованием травильного раствора. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 8 ил.

1. Способ изготовления структуры разрядной шины, отличающийся тем, что он включает: формирование проводящего слоя разрядной шины на поверхности полупроводниковой подложки, причем проводящий слой разрядной шины частично размещают в канавке в поверхности полупроводниковой подложки; формирование первого защитного слоя на поверхности проводящего слоя разрядной шины и поверхности полупроводниковой подложки; формирование первого барьерного слоя на поверхности первого защитного слоя, причем материал первого барьерного слоя содержит диоксид кремния; выполнение пассивирующей обработки поверхности первого барьерного слоя; формирование жертвенного слоя на поверхности первого барьерного слоя, причем в жертвенном слое обеспечивают заполняющую часть, которая заполняет указанную канавку; и зачистку и удаление части жертвенного слоя, отличной от заполняющей части, с использованием травильного раствора.

2. Способ изготовления структуры разрядной шины по п. 1, согласно которому пассивирующая обработка включает плазменную обработку, ионную имплантацию или термическую окислительную обработку.

3. Способ изготовления структуры разрядной шины по п. 1, согласно которому первый барьерный слой, подвергаемый пассивирующей обработке, содержит структуру из двух тонкопленочных слоев, причем два указанных тонкопленочных слоя представляют собой соответственно первый тонкопленочный слой, примыкающий к первому защитному слою, и второй тонкопленочный слой, расположенный на удалении от первого защитного слоя, а коэффициент селективности травления жертвенного слоя по отношению ко второму тонкопленочному слою больше, чем коэффициент селективности травления жертвенного слоя по отношению к первому тонкопленочному слою.

4. Способ изготовления структуры разрядной шины по п. 3, согласно которому пассивирующая обработка включает азотную плазменную обработку, и материал второго тонкопленочного слоя содержит оксинитрид кремния.

5. Способ изготовления структуры разрядной шины по п. 1, согласно которому первый защитный слой имеет толщину в диапазоне от 1 нм до 3 нм, а первый барьерный слой имеет толщину в диапазоне от 2 до 8 нм.

6. Способ изготовления структуры разрядной шины по п. 1, согласно которому материал первого защитного слоя содержит нитрид кремния, материал первого барьерного слоя содержит оксид кремния, и материал жертвенного слоя содержит нитрид кремния.

7. Способ изготовления структуры разрядной шины по п. 1, согласно которому травильный раствор содержит раствор фосфорной кислоты, и температура травильного раствора составляет от 100 до 120°C.

8. Способ изготовления структуры разрядной шины по п. 1, согласно которому травильный раствор содержит фосфорную кислоту, а концентрация травильного раствора составляет от 40 до 60%.

9. Способ изготовления структуры разрядной шины по п. 1, который после зачистки и удаления части жертвенного слоя, отличной от заполняющей части, с использованием травильного раствора дополнительно включает: удаление открытого участка первого барьерного слоя; формирование второго барьерного слоя на поверхности проводящего слоя разрядной шины и поверхности полупроводниковой подложки и формирование второго защитного слоя на поверхности второго барьерного слоя.

10. Способ изготовления структуры разрядной шины по п. 1, согласно которому зачистка и удаление жертвенного слоя с использованием травильного раствора включают: предварительную зачистку поверхности жертвенного слоя с использованием разбавленного раствора фтористоводородной кислоты для удаления оксидного слоя с поверхности жертвенного слоя и зачистку жертвенного слоя с использованием раствора фосфорной кислоты для удаления части жертвенного слоя, отличной от заполняющей части.

11. Способ изготовления полупроводниковой структуры, отличающийся тем, что он включает: обеспечение полупроводниковой подложки, причем в поверхности полупроводниковой подложки обеспечивают канавку; и формирование структуры разрядной шины на полупроводниковой подложке способом изготовления структуры разрядной шины по любому из пп. 1-10.

12. Способ изготовления полупроводниковой структуры по п. 11, согласно которому пассивирующая обработка включает плазменную обработку, и пассивирующая обработка первого барьерного слоя включает следующие этапы: предварительный нагрев камеры обработки в обрабатывающем оборудовании; размещение полупроводниковой структуры со сформированным на ней первым барьерным слоем в камере обработки; ввод реакционной среды и выполнение плазменной обработки поверхности первого барьерного слоя; охлаждение камеры обработки и извлечение полупроводниковой структуры.

13. Полупроводниковая структура, отличающаяся тем, что она содержит: полупроводниковую подложку, причем в поверхности полупроводниковой подложки обеспечена канавка; проводящий слой разрядной шины, частично расположенный в указанной канавке в поверхности полупроводниковой подложки; и отделяющий слой заглушки разрядной шины, заполняющий указанную канавку и содержащий первый защитный слой, первый барьерный слой, подвергнутый пассивирующей обработке, и заполняющую часть, причем материал первого барьерного слоя содержит диоксид кремния.

14. Полупроводниковая структура по п. 13, в которой первый защитный слой имеет толщину в диапазоне от 1 до 3 нм.

15. Полупроводниковая структура по п. 13, в которой первый барьерный слой имеет толщину в диапазоне от 2 до 8 нм.

16. Полупроводниковая структура по п. 13, в которой материал первого защитного слоя содержит нитрид кремния.

17. Полупроводниковая структура по п. 13, в которой материал первого барьерного слоя содержит оксид кремния.

18. Полупроводниковая структура по п. 13, в которой материал заполняющей части содержит нитрид кремния.

19. Полупроводниковая структура по п. 13, в которой первый барьерный слой, подвергнутый пассивирующей обработке, содержит структуру из двух тонкопленочных слоев, причем два указанных тонкопленочных слоя представляют собой соответственно первый тонкопленочный слой, примыкающий к первому защитному слою, и второй тонкопленочный слой, расположенный на удалении от первого защитного слоя, а селективность травления заполняющей части по отношению ко второму тонкопленочному слою больше, чем селективность травления заполняющей части по отношению к первому тонкопленочному слою.

20. Полупроводниковая структура по п. 19, в которой материал первого тонкопленочного слоя содержит оксид кремния, а материал второго тонкопленочного слоя содержит оксинитрид кремния.