Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным значением тока утечки.
Известен способ изготовления полевого транзистора [Пат. 5134452 США, МКИ H01L 29/78] с изолирующим затвором, в котором на толстом защитном слое оксида и на открытой поверхности кремния с областями истока и стока осаждается слой проводящего поликремния, из которого затем формируются электроды стока и истока. После вскрытия канальной области проводится реактивное ионное травление с образованием шероховатой поверхности с размерами неровностей до 50 нм. Затем над канальной областью с помощью ПФХО создается тонкий затворный оксид и формируется затвор. В таких приборах из-за шероховатой поверхности повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5309025 США, МКИ H01L 23/29] путем формирования контактов для полупроводниковых кристаллов, имеющих повышенную прочность на отрыв. С этой целью на площадке создается матрица из островков металлизации, например в виде прямоугольных площадок, в которых нижний барьерный слой образован TiN, а верхним проводящим слоем служит Al, Ti или W. Затем на всю площадь контакта наносится второй проводящий слой Al.
Недостатками способа являются: высокие значения тока утечки; низкая технологичность; повышенная плотность дефектов.
Задача, решаемая изобретением: снижение значений тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием слоя TiN толщиной 150 нм ВЧ-распылением при подводимой мощности в 1 кВт и давлении азота 10 Па, со скоростью нанесения 10 нм/мин, с последующим отжигом в атмосфере азота при температуре 600°С в течение 10 мин.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,3%.
Технический результат: снижение значений тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора формированием слоя TiN толщиной 150 нм ВЧ-распылением при подводимой мощности в 1 кВт и давлении азота 10 Па, со скоростью нанесения 10 нм/мин, с последующим отжигом в атмосфере азота при температуре 600°С в течение 10 мин, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2018 |
|
RU2688874C1 |
Способ изготовления силицида никеля | 2020 |
|
RU2734095C1 |
Способ изготовления мелкозалегающих переходов | 2020 |
|
RU2748335C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2012 |
|
RU2522182C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТРАНЗИСТОРА | 2012 |
|
RU2522930C2 |
Способ изготовления контактно-барьерной металлизации | 2018 |
|
RU2698540C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2018 |
|
RU2688861C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2014 |
|
RU2581418C1 |
Способ формирования полевых транзисторов | 2022 |
|
RU2791268C1 |
Способ изготовления силицида титана | 2020 |
|
RU2751983C1 |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ согласно изобретению осуществляют следующим образом: формируют области стока и истока, электрода затвора, барьерного слоя нитрида титана, при этом барьерный слой нитрида титана TiN формируют ВЧ-распылением при подводимой мощности в 1 кВт и давлении азота 10 Па со скоростью нанесения 10 нм/мин, толщиной 150 нм, с последующим отжигом в атмосфере азота при температуре 600°С в течение 10 мин. Изобретение обеспечивает снижение значений тока утечки, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы ионной имплантации, формирование области стока и истока, электрода затвора, барьерного слоя нитрида титана, отличающийся, тем, что барьерный слой нитрида титана TiN формируют ВЧ-распылением при подводимой мощности в 1 кВт и давлении азота 10 Па со скоростью нанесения 10 нм/мин, толщиной 150 нм, с последующим отжигом в атмосфере азота при температуре 600°С в течение 10 мин.
US 5309025 A1, 03.05.1994 | |||
US 20100197092 A1, 05.08.2010 | |||
СПОСОБ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ДИАГНОСТИКИ ОМСКОЙ ГЕМОРРАГИЧЕСКОЙ ЛИХОРАДКИ И КЛЕЩЕВОГО ЭНЦЕФАЛИТА | 1997 |
|
RU2133964C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2015 |
|
RU2584273C1 |
RU 2152108 C1, 27.06.2000 | |||
Способ изготовления мощного полевого транзистора СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия | 2022 |
|
RU2787550C1 |
Авторы
Даты
2024-05-03—Публикация
2023-10-26—Подача