Способ химического травления монокристаллов на основе окиси бериллия Советский патент 1983 года по МПК C30B33/00 C30B29/22 

Ot)

ел ел

Изобретение относится к исследованиям реальной структуры кристаллов, в частности монокристаллов хризоберилла (Bie ), методом химического травления и позволяет выявлять и идентифицировать различные дефекты кристаллической структуры - двойниковые, блоковые и малоугловые границы, отдельные дислокации и т.д.

Монокристаллы хризоберилла являются новым перспективным материалом, представляющим интерес для технологии полупроводников, квантовой электроники, рентгеновской дозиметрии и других отраслей науки и техники.

Высокие требрвания к структурному совершенству монокристаллов, предъявляемые их использованием, обуславливают необходимость выявления и контроля реальной структуры кристсшлических материалов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаэмому является способ химического травлеяия монокристалЛов ВеО, включающий химическую полировку поверхности монокристалла расплавом смеси молибдата лития и метафосфата натрия, взятых в мольном соотношении 1:1, при температуре свыше IIOO C в течение 1 ч и последующее селективное травление расплавом смеси молибдата лития и Вуры при 800°С в течение 10 мин tlНедостаток известного способа невозможность выявления дефектов структуры монокристаллов хризоберилла.

Цель изобретения - выявление дефектов структуры монокристаллов хризоберилла. -

Поставленная цель достигается тем, что химическую поЛировку ведут в расплаве метафосфата натрия при 900-1000°С в течение 30-40 мин, а селективное травление проводят в расплаве едкого калия при 360400°С в течение 5-20 мин.

Пример 1. Выявляют дефекты кристаллической структуры монокристалла хризоберилла, выращенного 0 в направлении 010.

Образцы в виде пластин толщиной 1,0-1,5 мм, вырезанных из этого кристалла, в направлении, перпендикулярном оси вытягивания, т.е. в 5 плоскости (010), повергают химической полировке в расплаве метафосфата натрия при в течение 30 мин. Высокое качество полировки дает ровную, гладкую поверхность пластин. 0 Затем в течение 10 мин проводят

селективное травление в расплаве КОН при . Травители содержат в платиновых тиглях, образцы погружают в травители с помощью держателей, изготовленных из платиновой проволоки. Требуемой температуры травителей достигают с помощью электропечи сопротивления. Получают ямки травления оптимальных размеров. Их изучают под оптическим микроскопом и фотографируют .

Примеры, приведенные в таблице, обосновывают выбор температур и времен травления.

5- Производят оценку плотности дис, .локаций (ямок травления) . выращенных монокристаллов хризоберилла: почти все разнообразие плотностей дислокаций укладывается в один порядок 0 п -10 см-2, где п 1-10.

О I I

t, о (О о ft и аз н и т и о sod

(ч -SJ ,-Ф к ш

.S3а

0)Iа:и

о01ж

чSо.

яя3ж

,у

SQIО)О

«ьян

I

SI t I X

X

0)0)3

а о, л) ж

(1)к

а у

яо

оц I и (U

3 у

со кто

то S н

ос ж н

0) л

но

с н «

ж

ин

я А S

(О с; ж

вD

о. А

шо

чж

и п я Предлагаеьвлй способ пригоден для использования в заводских уеловиях при внедрении в промышленное t: производство нового перспективного материала - монокристаллов хризоберилла.

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ, включающий химическую полировку и селективное травление, отличающийся тем, что, с целью выявления дефектов струк-. туры монокристаллов хризоберилла, , химическую полировку ведут в расплаве метафосфата натрия при 9001000°С в течение .30-40 мин, а селективное травление проводят в раст плаве едкого калия при 360-400 с в течение 5-20 мин.