Изобретение относится к области металлографических методов выявления дефектов структуры и может быть использовано для контроля структурного
совершенства монокристаллов германия.
Цель изобретения - одновременное и воспроизводимое выявление дислокаций и микродефектов в монокристаллах и уменьшение их загрязнений медью, что позволяет в дальнейшем использовать протравленные монокристаллы в полупроводниковых приборах.
Пример 1. Образец (пластина) нелегированного монокристаллического германия толщиной 5 мм и диаметром 40 мм, ориентированный по плоскости (100), шлифуют механически на порошке М-14, промывают водой и сушат фильтром. Затем образец погружают при помощи фторопластового держателя в полирующий травитель состава
HF(OC448%)25 мл (1 об.ч.)
HN03 (ОСЧ 70%)75 мл (3 об.ч.)
Травитель находится во фторопластовом сосуде диаметром 100 мм.
Полировку проводят при перемешивании раствора до получения зеркальной поверхности. По окончании полировки образец промывают водой и оставляют в емкости с водой.
Готовят селективный травитель, для чего берут 225 мл HF (ОСЧ 48%) (4,5 об.ч.), приливают к ней 225 мл НМОз (ОСЧ 70%) (4,5 об.ч.) и 200 мл СНзСООН (ОСЧ 99,8°/) (4 об.ч.). В полученный раствор засыпают
2,6 г порошка КВг (ТУ 6-09-476-76) (0,019 об,ч.), Выдерживают раствор 30 мин,
Извлеченный из сосуда с водой образец погружают в селективный травитель. После 30 с выдержки в травителе (при перемешивании) образец извлекают и промывают в проточной воде. Затем образец погружают вновь в тот же травитель, опять выдерживают 30 с при перемешивании, извлекают образец и промывают водой. Этапы травление - промывка повторяют 5 раз. Общее время травления составляет 150 с. На картине травления образца дислокационные ямки четкой конусообразной формы, микродефекты в виде четких ограненных и круглых ямок с плоским дном, На спектре поверхности образца, полученном методом лазерной микрозондовой масс-спектрометрии, линии ионов меди отсутствуют.
Пример 2. Образец (пластину) налегированного монокристаллического германия толщиной 5 мм и диаметром 40 мм, ориентированный по плоскости (100), обрабатывают как в примере 1, зй исключением того, что селективный травитель содержит 275 мл HF (ОСЧ 48%)(5,5 об.ч.), 275 мл HNOa (ОСЧ 70%) (5,5 об.ч.), 300 мл СНзСООНС (ОСЧ 99,8%) (6 об.ч.) и 5,1 г КВг (ТУ 6-09476-76) (0,037 об.ч.).
На картине травления образца дислокационные ямки четкой конусообразной формы, микродефекты в виде четких ограненных и круглых ямок с плоским дном. На спектре поверхности образца линии ионов меди отсутствуют.
В таблице приведены данные, харак-. теризующие выявление структурных дефектов по известному и предложенному способам.
Формула изобретения
Способ выявления дефектов структуры в монокристаллах германия, ориентирован ных по плоскости (100), включающий их обработку сначала в полирующем растворе, содержащем HF и HNOs, а затем в селективном травителе, содержащем HF и HNOs и добавку, отличающийся тем, что, с целью одновременного и воспроизводимого выявления дислокаций и микродефектов и уменьшения загрязнений, в качестве добавки в селективный травитель вводят СНзСООН и КВг при следующем соотношении компонентов, об.ч.:
НР(48%)4,5-5,5
HN03(70%)4,5-5,5
СНзСООН (99,8%)4,0-6,0
КВг0,019-0,037
и обработку им ведут поэтапно в течение 120-180 с и не более 30 с на каждом этапе с промежуточной промывкой водой.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Травитель для выявления дислокаций в кремнии на плоскости (100) | 1980 |
|
SU947233A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ МЕТОДОМ ПРОФИЛОМЕТРИИ | 2015 |
|
RU2600511C1 |
Способ селективного травления монокристаллов парателлурита | 1980 |
|
SU958510A1 |
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ | 1996 |
|
RU2120683C1 |
ТРАВИТЕЛЬ | 1973 |
|
SU369651A1 |
Способ определения дислокаций в кристаллах | 1980 |
|
SU971923A1 |
Травитель для монокристаллов нитрита натрия | 1989 |
|
SU1612000A1 |
Травитель для выявления структуры в оксиде алюминия | 1990 |
|
SU1733517A1 |
Состав для выявления дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов | 1980 |
|
SU941434A1 |
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ | 1996 |
|
RU2110116C1 |
Изобретение относится к области металлографических методов выявления дефектов структуры и может быть ис-'пользовано для контроля структурного совершенства монокристаллов германия. Обеспечивает одновременно и воспроизводимое выявление дислокаций и микродефектов и уменьшение загрязнений. Способ включает обработку сначала в полирующем растворе, содержащем HF и НЫОз, а затем в селективном травителе следующего состава, об.ч.: HF (48%-ная ) 4,5-5,5; НМОз(70%- ная) 4,5-5,5; СНзСООН (99,8%-ная) 4,0-6,0; KB г 0,019-0,037. Обработку травителем ведут поэтапно в течение 120-180 с и не более 30 с на каждом этапе с промежуточной промывкой' водой. Картины травления дают дислокационные ямки конусообразной формы, а микродефекты - в виде четких ограненных и круглых ямок с плоским дном. 1 табл.
Авторское свидетельство СССР № 1251594, кл | |||
Способ обработки медных солей нафтеновых кислот | 1923 |
|
SU30A1 |
Авторы
Даты
1992-02-07—Публикация
1989-09-18—Подача