Способ изготовления p-n-p-n структуры Советский патент 2007 года по МПК H01L21/34 H01L21/225 

Способ изготовления p-n-p-n структуры в окисляющей атмосфере, включающей отмывку поверхностей пластины кремния n-типа проводимости, диффузию в галогенсодержащей среде акцепторных примесей, стравливание двуокиси кремния с поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры и повышения их воспроизводимости, перед операцией отмывки осуществляется полировка поверхностей пластины, после отмывки окисляют пластину в галогенсодержащей среде и стравливают образовавшуюся двуокись кремния с поверхностей пластины, затем на обе стороны пластины наносят пленку двуокиси кремния, легированную акцепторными примесями, после стравливания двуокиси кремния с поверхностей пластины на одну из ее сторон наносят пленку двуокиси кремния, легированную бором с концентрацией (1.10²⁰ ÷ 1.10²²)см^-3 и галлием с концентрацией (8.10¹⁸ ÷ 5.10¹⁹)см^-3, а на другую сторону пластины наносят пленку двуокиси кремния, легированную фосфором с концентрацией (1.10²⁰ ÷ 1.10²²)см^-3 и мышьяком с концентрацией (3.10¹⁹ ÷ 2.10²¹)см^-3 и проводят одновременную диффузию акцепторных и донорных примесей в галогенсодержащей атмосфере.