Стекло для покрытия металла Советский патент 1983 года по МПК C03C3/16 

00

СП 1. Изобретение относится к составам стекол, применяемых для получения изолирующих покрытий по металлам, и пользуемых в различных областях промышленности (электронной, радиот нической и др.). Известна эмаль, включающая, мас. Р205- 5-70; Li NajO l-blKgU 0,1-5; AlAOgOjI-iJ; РвО 10-30; SiO. 0,1-5; ВаО 0,1-7; Li F 1-10 и NaF 110 ГП Данная эмаль имеет КЛТР при 20250°С (120-150)-Ю-град-,дилактоэлектрическая температура размягчения 25q-28o°c. Наиболее близкой по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемой является эмаль, вклю чающая , масД: fO-SO; РвО 15; 2-5; KgO 0.3-2; 51020, крайней мере один окисел из группы ВаО, SrO 10-30; ZnCl20,3-3; SuO. 3-20 С2. 7Ь2 Недостатком известного стекла является высокий КЛТР в пределах. 20«ОО С () 10 град1 Кроме того, стекло имеет невысокую химическую устойчивость к воде 0,,4 вес.%. Цель изобретения - обеспечение КЛТР (87,,00) 10 повышение химической стойкости. Поставленная цель достигается тем, что стекло для покрытия металла, включающее PgOj, ВаО, SrO, SnOg , Дополнительно содержит ZnO, LaoOo, AljOj при следующем соотношении компонентов, мас.: Р2 558-60 ВаО9-15 Sr.O7-10 SuOa0,5-1,5 Zn О5-10 6-10 0,5-1.5 Конкретные составы стекол приведеы в табл. 1. Т а б л и ц а 1

СТЕКЛО ДЛЯ -ПОКРЫТИЯ МЕТАЛЛА, включающее Р BaO, SrO, Sn02 о т л и ч a щ е е с я тем, что, с целью обеспечения КЛТР

Стекло синтезируют из химическихSnOg вводят посредством соответствуреактивов х.ч. и ч.д.а. Р,,0с вводят.ющего окисла.

посредством однозамещенного фосфорно- Отжиг образцов осуществляют в элеккислого аммония, оксид стронция -трической печи муфельной) в течение

стронция азотнокислого, оксид бария- -«518 ч при С.

углекислого бария, ZnO, AlaOa, La203, Свойства стекол приведены в табл.2. . : Т а б л jd ц а 2

Свойства

Химическая устойчивость к воде (потери веса, мг/г, после 3 ч кипячения в воде).

КЛТР (20-400)СЧСГТ

--1

град

Состав

0,210 0,223 0,20 87,19 103,00 92,35

Стекло характеризуется Ш гидроли ;Тический классом, высокой химической устбйчивйстью к воздействию pea гентов,Применяемыхв фотолитографи ческом процессе (например, к действию HF, HjO, CrjtO, , HfJtj,

100817)4

Продолжение табл,, 2

КЛТР|(87,19-103,00)-10-7град-1 .хорошей адгезией к металлу, что определяет его наиболее выгодным для покрытий по металлу, в частности, ,для получения качественного изолиРУЮИШГО покрытия по титану.