Одновибратор Советский патент 1983 года по МПК H03K3/284 

Изобретение относится к .импульсной технике и может быть использовано для формирования импульсов. Известен одновибратор, содержащи первый транзистор р-п-р типа и вто рой транзистор ti-р- 1 типа, эмиттер которых объединены, цепь запуска, конденсатор и резистор,. Коллекторы транзисторов соединены с первой и второй шинами питания соответственно LI . Недостатком указанного одновибра тора является сложность и малая дли тельность формируемых импульсов. Известен также одновибратор, содержащий первый и второй транзисторы противоположных типов проводимое ти, цепь запуска, первый резистор и конденсатор, включенные последовательно между коллектором первого и базой второго транзисторов, эмиттер транзисторов соединены с первой и второй шинами питания, коллектор первого транзистора соединен через второй резистор с базой второго тра зистора, а коллектор второго транзистора соединен через резистор с первой шиной питания 2 , Недостатком известного одновибра тор а является малая длительность ге нерируемых импульсов, обусловленная режимным ограничением сопротивления времязадающего резистора. Цель изобретения - расширение диапазона длительностей генерируемых импульсов. Указанная цель достигается тем что в одновибратор, содержащий первый и второй транзисторы противоположных типов проводимости, цепь запуска,, первый резистор и конденсатор, включенные последовательно между, коллектором, первого транзистора и базой второго транзистора, с которой соединен времязадающий резистор эмиттеры транзисторов соединены с первой и второй шинами источника питания, коллектор первого транзисто ра соединен через второй резистор с базой второго транзистора, а коллектор второго транзистора соединен через третий резистор с первой шиной питания, введена цепь из четвертого резистора, диода и стабилитрона, включенная между коллектором второго транзистора и базой первого транзистора. На чертеже приведена схема предлагаемого одновибратора. Одновибратор содержит первый транзистор 1 р - и-р типа, второй транзистор 2 п-р-М типа, первую шину питания 3, вторую шину питания 4, время задающий резистор 5, шину б смещения, цепь 7 запуска, входную шину 8, выходную шину 9, конденсатор l6, первый резистор 11, второй резистор 12, третий резистор 13, четвертый резистор 14, диод 15, стабилитрон 16. Устройство работает следующим образом. В исходном состоянии благодаря положительной обратной связи между транзисторами 1 и 2 оба они насыщены, причем глубина насыщения транзистора 1 задается током низкоомной цепи из резистора 14, диода 15, стабилитрона 16, так, что исходное состояние является устойчивым. При пост;уплении импульса положительной полярности по входной шине 8 через цепь запуска 7 транзистор. 1 выходит из насыщения и запирается. Ток базы транзистора 2 падает и последний также запирается. Напряжение на его коллекторе нарастает, что приводит к запиранию диода 15. Конденсатор 10, предварительно заряженный до напряжения, близкого к напряжению питания, заряжается через резистор 5 сопротивление которого, и соответственно, время выдержки одновибратора могут быть выбраны требуемой величины, поскольку они не ограничены требованием.обеспечения режима насыщения транзистора 1 как в прототипе. В момент уменьшения напряжения на конденсаторе 10 до уровня отпирания транзистора 1 выходной импульс оканчивается и устройство регенеративно возвращается в исходное состояние.

ОДНОВИБРАТОР, содержаСдай первый и второй транзисторы протнвоПоложных типов проводимости, цепь запуска, первый резистор и конденсатор, включенные последовательно между коллектором первого транзистора и базой второго, транзистора, с которой соединен времязадаюизий резистор, эпюттеры транзисторов соединены с первой и второй шинами источника питания, коллектор первого транзистора соединен через второй резистор с базой второго транзистора, а коллектор второго транзистора соединен через третий резистор с первой шиной питаний, отличающийс я тем, что, с целью расширения диапазона длительностей генерируемых импульсов, в него введена цепь из четвертого резистора, диода и стабилитрона, включенная между коллектором второго транзистора и базой первого транзистора. (О эо эо X :о