Датчик температуры и способ его изготовления Советский патент 1983 года по МПК G01K7/22 

Описание патента на изобретение SU1024748A1

Изобротение относится к технике измерения. температуры и может быть использовано для измерения температуры в атмосферах хлора и брома, на предприятиях галургического профиля.

Известны датчики температуры, в которых в качестве термочувствительного материала использованы оксиды переходных металлов СилО, NiO, МпО tl.

Известен споооб изготовления датчиков температуры в виде прессован|й ых и спеченных таблеток, бусинок и других форм С1 .

Такие датчики могут быть использованы в ограниченном интервале температур (до 450°С) и обладают сравнительно невысокой термочувствитель-. ностью (коэффициент термочувствйтельности 7000-11000 К).

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемо му результату является датчик температуры, I сртдержаадйй коаксиально-.расположенные металлическую оболочку и цилиндрический электрод с размещенным между ними -поликристаллическим термочувствительным материалом, в качестве которого использован (2.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является способ изготовления датчика температуры путем .размещения полнкристаллического тер-, мочувствительного материала между коаксиально расположенными металлической оболочкой и цилиндрическим . электродом и герметизации оксидного наполнителя от окружакацей атмосферы 2.

Герметизация оксидных наполнителей от окружающей среды усложняет конструкцию датчика., вызывает наличие градиента температур между наполнителем датчика и Окружающей средой, что увеличивает время нагрева датчика, т.е. повышает его инерционность, Кроме того, известная конструкция не пригодна для эксплуатации в. атмосферах хлора и брйма из-за взаимодействия герметизирующих материалов металлической арматуры и защитного покры50тия оболочки с галогенами.

Целью изобретения являемся повышение термочувствительноети, снижение инерционности и упрощение устройства, Поставленная цельдостигается тем,55 ЧТО-н датчике температуры, содержа,щем коаксиально расположенные металлическую оболочку и цилиндричеснкйй электрод с размещенным между ни ми поликристаллическим термочувстви- 60 тельным материалом, в качестве поликристаллического термочувствительного материала использован трехвалент- , вый безводный хлорид иридия,причем отношение внутреннего диаметра металли- з

ческой оболочки к диаметру цилиндрического электрода составляет 2-2,5,а отношение высоты рабочего слоя поликристаллического термочувствительного материала к его диаметру - 0,5-2.

Кроме того, согласно способу изготовления, датчика температуры путем размещения поликристаллического термочувствительного материала между коаксиально расположенными металлической оболочкой и цилиндрическим электродом, поликристаллы термочувствительн ого материала фракции 0-,010,3 ммпосле размещения между металлической оболочкой-и цилиндрическим электродом подвергаю.т прессованию под давлением 100-300 МПа.

На чертеже изображена схема датчика.

Датчик содержит коаксиально расположенные -металлическую .оболочку 1, цилиндрический электрод 2, между которыми размещен поликристалличёский Термочувствительный материал - поликристаллы трехвалентного безводного хлорида иридия .3, имекядие гранулометрический состав в интервале 0,3-0,01 мм что обеспечивает опти мальную степень пористости 0,6.

Металлические конструкции датчика могут быть выполнены из иридия или жаростойких металлов или сплавов,, покрытых иридием. Кроме иридия могут быть использованы титан или тантал. При измерениях в осушенных атмосферах хлора или брома металлические конструкциивыполняются из нержавеющей стали/

На внешней стороне металли 1еская оболочка 1 и цилиндрический электрод 2 на одном из концов могут- иметь резьбу. :

Коаксиальная форма датчика и наличие резьбы позволяют осуществлять . его крепление путем ввинчивания внеш1ней оболочки в стенки pieaKTOpoB, трубопроводов и другую аппаратуру, а наличие резьбы на электроде позволяет осуществлять с ним жесткий механический контакт, прямой контроль температуры и регулирование процессов в га лургических производствах с меньшей инерционностью и большей точностью, повысить на порядок .точность измере йий и упростить спосЬб изготовления датчика..

Трехвалентный бе.зводный хлорид иридия сохраняет неизменными электрофизические характеристики и, в первую очередь, температурную зависимость удельного объемного сопротивления в интервала температур 77-773 К в атмосферах хлора/ брома, а также воздуха, тем самым отпадает необходимость герметизации датчика.

Поликристаллы трехвалентного безводного хлорида иридия подвергаются холодному прессованию для предотвращения изменения химическогю состава, которое наблюдается в случае горячего прессования, а следовательно, и электрофизических характеристик поверхности поликристаллов в местах контакта между отдельными кристалликами. .Интервал.прессования 100-300 МП обусловлен механической прочностью запрессованйых навесок: при давлении прессования менее 100 МПа в запрессовках при эксплуатации возникают трещины или меняется расположение центрального электрода, а при давлеНИИ прессования более ЗОр МПа происходит деформирование пЬверхности кристаллов в местах соприкосновения, которое приводит к изменению концент рации электрически активных дефектов и электропроводности датчика. Кроме того, интервал прессования 100300 МПа обеспечивает степень пористости 0,6, что создает одинаковое парциальное давление галогенов или воздуха во всех точках запрессовки и способствует однородности электрических свойств прессованных поликрис таллов по оечению, . При увеличении отношения внут зеннего диаметра металлической оболочки :К диаметру цилиндрического электрбда и высоты таблетки в запрессовке возникают значительные температурные градиенты между электродом и оболочкой и по объему запрессовки, что снижает точность измерения, приводит к существованию областей с уменьшенны ми значениями парциального давления хлора или брома и ухудшает воспроизводимость результатов. Измерение температуры осуществляется замером электросопротивления между электродом и оболочкой, по величине которого определяется абсолютная величина температуры. Коэффициент температурной чувствительности такого датчика в интервале 293-673. К находится в пределах 15000285000 К, на базовом объекте - 700011000 К, что обеспечивает точность измерений до OyOOl G с использованием приборов-класса точности 0,1. Испытания показали стабильность результатов при длительной эксплуатации датчика в интервале 77t723 К до 1000 ч в атмосфере хлора без су- щественных изменений электрических параметров датчика, в то время, как ресурс работы датчика на основе - базового объекта - составил .не более 24-30 ч. . Таким образом, предложенный датчик температуры и способ его изготовления позволяют-: проводить изме|эения в агрессивных средах брома и хлора, повысить термочувствительность более чем в два раза, а также упростить конструкцию датчика температуры.

Похожие патенты SU1024748A1

название год авторы номер документа
Датчик температуры и способ его изготовления 1985
  • Цыганков Владимир Николаевич
  • Гориловская Нина Борисовна
  • Аликберова Людмила Юрьевна
  • Савинкина Елена Владимировна
  • Рукк Наталия Самуиловна
SU1290094A1
Способ изготовления датчика температуры 1983
  • Цыганков Владимир Николаевич
  • Гориловская Нина Борисовна
  • Сизенов Юрий Михайлович
  • Петров Карл Иванович
SU1150496A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ КАБЕЛЕЙ-ДАТЧИКОВ 2017
  • Цыганков Владимир Николаевич
  • Чабан Наталья Григорьевна
  • Абрамова Елена Николаевна
  • Хорт Андрей Михайлович
  • Яковенко Анатолий Георгиевич
  • Капсаламова Фарида Ришадкызы
RU2662790C1
СЕНСОРНЫЙ КАБЕЛЬ-ДАТЧИК 2015
  • Цыганков Владимир Николаевич
  • Путин Алексей Юрьевич
  • Капсаламова Фарида Решаткызы
  • Яковенко Анатолий Георгиевич
  • Хорт Андрей Михайлович
  • Абрамова Елена Николаевна
RU2603555C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОРРОЗИОННОСТОЙКОГО ЭЛЕКТРОДА 2013
  • Ермаков Александр Владимирович
  • Студенок Елена Сергеевна
  • Игумнов Михаил Степанович
  • Никифоров Сергей Владимирович
  • Терентьев Егор Виленович
RU2533387C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЗАГОТОВОК ИЗ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ДЛЯ ИНФРАКРАСНЫХ ВОЛОКОННЫХ СВЕТОВОДОВ 2013
  • Голованов Валерий Филиппович
  • Лисицкий Игорь Серафимович
  • Полякова Галина Васильевна
  • Кузнецов Михаил Сергеевич
  • Зараменских Ксения Сергеевна
  • Синицын Андрей Борисович
RU2539348C1
Датчик температуры 1983
  • Миллер Владимир Иосипович
  • Миллер Иоган Иосипович
  • Шепелев Николай Васильевич
  • Эберле Сергей Леонтьевич
  • Шалай Виктор Владимирович
  • Соснин Борис Александрович
SU1158872A1
ЛАЗЕРНАЯ ФТОРИДНАЯ НАНОКЕРАМИКА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ 2011
  • Гарибин Евгений Андреевич
  • Гусев Павел Евгеньевич
  • Демиденко Алексей Александрович
  • Крутов Михаил Анатольевич
  • Миронов Игорь Алексеевич
  • Осико Вячеслав Васильевич
  • Смирнов Андрей Николаевич
  • Федоров Павел Павлович
  • Чернова Елена Владимировна
  • Йоахим Хайн
  • Дитер Нитцольд
  • Ханс-Йоахим Поль
  • Ульрих Шрамм
  • Матиас Зибольд
RU2484187C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК С ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ ХРОМА - ОКСИДА ХРОМА 2014
  • Вейенберг, Жак Хюберт Ольга Йозеф
RU2692538C2
СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ СОДЕРЖАНИЯ ГАЛЛИЯ В СЦИНТИЛЛЯТОРАХ НА ОСНОВЕ ГАДОЛИНИЙ-ГАЛЛИЕВЫХ ГРАНАТОВ 2016
  • Андреако Марк С.
  • Кэри Александер Эндрю
  • Коэн Питер Карл
RU2670865C2

Реферат патента 1983 года Датчик температуры и способ его изготовления

1. Датчик температуры, содержащий коаксиально расположенные металлическую оболочку и цилиндрический электрод с размещенным мезвду ними поликристаллическим термочувствиФельным материалом, о и ч а ю .щ и и с я тем, что, с целью повышения термочувствительности, снижения инерционности и упрощений устройства, в качестве поликристаллического термочувствительного материала использован трехвалентный безводный хлорид иридия, причем отношение внутреннего диаметра металлической оболочки к диаметру цилиндрического электрода составляет 2-2,5, а отношение высоты рабочего слоя йоликристаллического термочувствительного материала к его диаметру - 0,5-2. 2.Способ изготовления датчика температуры путем размещения поликристаллического термочувствительного материала между коаксиально расположенными металлической оболочкой и цилиндричес-§ клм электродом,о т л и ч а ю щ и и - (Л с я тем,что поликристаллы термочувствительного материала фракции 0,010,3 мм после размещения между металлической оболочкой и цилиндрическим электродом подвергают прессованию под давлением 100-300 МПа. tsd 4i 41 4 00

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1983 года SU1024748A1

I
Шефтель И.Т
Терморезисторы
М.,Наука, 1973, с
Чемодан с сигнальным замком 1922
  • Глушков В.Т.
SU338A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Оренпсин П,Т.Физика полупроводников и диэлектриков, М., Высшая ищола , 1977,с
СПОСОБ СОСТАВЛЕНИЯ ЗВУКОВОЙ ЗАПИСИ 1921
  • Коваленков В.И.
SU276A1

SU 1 024 748 A1

Авторы

Цыганков Владимир Николаевич

Гориловская Нина Борисовна

Козлов Александр Сергеевич

Петров Карл Иванович

Синицин Николай Михайлович

Даты

1983-06-23Публикация

1982-01-08Подача