Способ изготовления многослойного электрофотографического носителя Советский патент 1984 года по МПК G03G5/04 

00 со СП ел I1 Изобретение относится к электрографии, в частности к изготовления электрофотографических фотополупроводниковых носителей записи. Известен способ изготовления многослойных электрофотографических носителей, включающий напыление в вакууме рт.ст. сплава е-Те толщиной 30 мкм на подложку, нагретую до 65-80с, и приклеивание пол{;гэтилентерефталатной пленки эпоксидной смолой после процесса напыления вне вакуумной камеры tl3 Недостатком данного способа является сложность автоматизахши технологического процесса, в связи с тем, что часть процесса происходит в вакууме, а окончание - в воздушной среде, что вызывает использование различного по характеру технологического оборудования. Кроме того, недостатком является невозможность получения достаточной толщины слоя (больше 30 мкм) на гибкой подложке из-за хрупкости стеклообразного фотополупроводника. Известен также способ изготовления многослойного злектрофотографиче кого носителя, согласно которому адгезионное соединение верхнего диэлектрического слоя с фотополугюовод никовым слоем осуществляется с помощью промежуточного диэлектрического термореактивного слоя 2. Недостатком известного способа является его многостадийность, а следовательно, низкая производительность, в связи с тем, что после напыления в вакуумной камере фотополупроводниковый слой вынимают из нее и переносят в герметичную камеру, в которой наносят термореактивный слой и приклеивают диэлектрическую пленку. Кроме того, этот способ непригоден для изготовления структуры с аморфным фотополупроводником по гибкой подложке, так как после охлаждения слой становится хрупким, что вызывает его растрескивание в процессе его дальнейшей технологической Обработки, , Цель изобретения - повьш1ение производительности труда и скорости изготовления многослойного носителя, а -Ракже снижение стоимости исходных компонентов. Поставленная цель достигается путем применения диффузионной вакуумной сварки фотополупроводниковых материалов в сочетании с раздельным напьшением аморфных фотополупроводниковьк слоев на гибкие диэлектрические подложки. В результате получается монолитный носитель, в котором аморфный фотополупроводник армирован с двух сторон диэлектрическими пленками, которые предотвращают когезионное разрушение слоя аморфного фотополупроводника при изгибах основы. Монолитность обеспечивается тремя адгезионными соединениями, два из которых получают в результате вакуумного напьшения фотополупроводника на гибкие упругие пленки, а третье вакуумной диффузионной сваркой, обеспечивающей, кроме прочности соединения, еще и прозрачность для носителей фототока. Процесс изготовления многослойной структуры электрофотографического носителя заключается в следующем. На предварительно об ёзжиренную подложку методом вакуумного испарения наносят один или несколько фотополупроводниковых слоев. В другой части вакуумной камере методом вакуумного напыления на прозрачную диэлектрическую пленку наносится необходимый фотополу-проводник. Температура подложки и диэлектрической пленки в момент напьления поддерживается в необходимых пределах с целью получения фотополупроводниковых слоев с заданными параметрами . Затем производится нагревание изготовленных структур до вязкотекучего состояния фотополупроводниковых слоев, совмещение их и прижим. После охлаждения полученный многослойный электрофотографический носитель извлекают из камеры. Все описанные операции производятся в вакуумной камере и в один технологический прием. В качестве гибких прозрачных ленок используют лавсановую пленку (толщина одной из них 20 мкм, толина другой 70 мкм, причем другая меет полупрозрачное платиновое окрытие). Пример 1. Селеновый слой олщиной 60 мкм напыляли на лавсан 311 с платиновым покрьггием при температуре лавсана и скорости напыления 1-3 мкм/мин. Тонкий селеновый слой 1-2 мкм наносили на другую лавг сановую пленку меньшей толщины при тех же условиях. Затем температуру обоих слоев или только слоя большей толщины .увеличивали на (доводили до ) Поверхности слоев приводили в плотный механический контакт до полного охлаждения. Полученный таким образом носитель обеспечивал при записи изображения элект ростатический контраст 900 В при чув ствительности 5 лкс в сине-зеленой части спектра. Носитель допускает изгиб на ролике диаметром 10 мм без когезионного разрушения слоя. Пример 2. На тонкую лавсановую пленку напьляли слой , толщиной 3 мкм при температуре подложки 150°С и скорости напыления 1 мкм/миНд Селеновый слой 50 мкм наносили в условиях примера 1.Перед диффузионной сваркой температуру селенового слоя доводили до 90-95С. Получен контраст электростатического скрытого изображения 600 В..Чувствительность одинаковая в синей и красной областях спектра 60 лк с (по полуспаду). Пример 3. Аналогично примеру 2 изготовили носитель.,в котором вместо напьшяли слой As-Se-J. Введение уменьшает температуру стеклования и делает слой более пластичным, улучшая тем самым условия диффузионной сварки.

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ, включакнций вакуумное напыление фотополупроводникового материала на подложку и последукяцее соединение ее с диэлектрической прозрачной пленкой, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда, и снижения стоимости исходных компонентов, одновременно с напылением на подложку производят напыпение фотополупроводникового материала на гибкую прозрачную диэлектричеслсую пленку, а соединение производят диффузионной сваркой в вакууме. 2. Способ ПОП.1, отличающийся тем, что. после напыления § один или оба напыленных слоя дополнительно подогревают на 10-30 0 (Л для приведения их в вязкотекучее состояние.