Способ изготовления многослойного электрофотографического носителя Советский патент 1985 года по МПК G03G5/08 

J

30 , Изобретение относится к электрографии, в частности к способам изготовления электрофотографических фотополупроводниковых носителей записи. По основному авт.св. № 1118955 известен способ изготовления многослойного электрофотографического носителя путем применения диффузионной сварки в вакууме фотополупроводниковых материалов в сочетании с раздель ным напылением аморфных фотополупроводниковых слоев на гибкие подложки. В результате получается монолитньш носитель, в котором аморфный фотополупроводниковьй слой армирован с двух сторон пленками, которые предотвращают когезионное разрушение фотополупроводника при изгибах основы. Монолитность обеспечивается тремя ад гезионными соединениями, два из ко торых получаются в результате вакуумного напыления фотополупроводника на гибкие упругие пленки, а третье вакуумной диффузионной сваркой,обеспечивагацей кроме прочности соединения еще и прозрачность для носителей тока pj. Недостатком указанного способа является то, что для напыления необходимо использовать достаточно прочные гибкие подложки. По описанной технологии получения носителя трудно использовать диэлектрические пленки толщиной менее 10 мкм: в процессе из готовления слоя пленка растягивается мнется, поэтому качество изготовленного носителя ухудшается с уменьшением толщины используемой дизлектрической пленки. Известно, однако, что уменьшение толщины диэлектрического слоя электрофотографического носител чЛозволяет значительно повысить разре шающую способность записи иповысить контраст формируемого электростати.ческого изображения, т.е. использова ние тонкого диэлектрического слоя обеспечивает более высокое качество записи. Цель изобретения обеспечение возможности изготовления носителя- с тонким диэлектрическим покрытием, которое позволяет повысить качество записи. Пель достигается тем, что тонкую диэлектрическую пленку, на которой формируют вакуумное покрытие, предварительно наносят на прочную упругу гибкую подложку, а после диффузионно сварки и получения монолитного носителя указанную упругую подложку отрывают от диэлектрической тонкой пленки. Для того, чтобы при отрыве упругой гибкой подложки не происходило Когеэионного разрушершя тонкой диэлектрической пленки, используют материалы, адгезионная прочность сцепления которых меньше когезионной прочности диэлектрической пленки. Нанесение пленки на подложку может быть осуществлено одним из известных способов, например путем колондирования, поливом диэлектрической пленки из раствора, напьшением в вакууме. Пример 1. Тонкую лавсановую пленку толщиной 3 мкм и толстую лавсановую пленку толщиной 100 мкм соединяют методом каландрирования и сматывают в рулон. Затем в соответствии со способом, ,описанном в прототипе, производят напьшение селенового фо- тополупроводникового слоя раздельно на лавсановую подложку с платиновым покрытием при температуре лавсана 72 С и скорости напьшения 1-3 мкм/мин и селенового слоя на тонкую лавсановую пленку, покрывающую гибкую 100 мкм лавсановую подложку, в том же режиме напыления. Затем температуру обоих слоев или одного из них увеличивают на 13 С (доводят до, 85 С). Поверхности слоев приводят в плотньй механический контакт -и вьщерживают в течение времени, необходимом для об- . разования монолитного носителя и до° образования монолитного соединения. Полученньш таким образом носитель сматывают в рулон наружу тонким лавсановым слоем, причем гибкая лавсановая подложка перед намоткой отделяется от носителя. В другом варианте лавсановая гибкая подложка отделяется от монолитного носителя не сразу после изготовления, а непосредственно перед использованием носите- ля, что обеспечивает лучшзжз сохранность тонкого диэлектрического слоя. Пример 2. На фторопластовую ленту толщиной 150 мкм методом купающего валика из 10%-ного раствора стирола с дивинилом в толуоле наносят пленку,(3-3 мкм).После просушки на поверхности фторопластовой ленты образовывается прочная диэлектрическая пленка с высоким электрическим сопро31142809- 4

тивленнем, когезионная- прочность ко- фотопластовой лентой. В дальнейшем торого значительно превосходит проч- процесс получения носителя такой же, ность адгезионного соединения ее с как в примере 1.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ По авт.св. № 1118955, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности путем уменьшения толщины диэлектрической пленки и повышения качества записи, перед напылением фотополупроводникового материала на диэлектрическую пленку ее помещают на гибкую основу с последующим отделением основы от готового носителя, при этом для диэлектрической пленки и . основы используют материалы, обеспечиваюцие прочность адгезионного сцепления основы и диэлектрической пленки меньшую, чем прочность когезионного сцепления диэлектрической пленки. (Л с