Электрофотографическая пластина Советский патент 1974 года по МПК G03G5/08 

Изобретение относится к электродуотографичеСЕии ыатериалаи. Известны иног ос лонные электрофотографические пластины, содаркащие электропроводящий ПОДСЛОЕ и слой фотополупроводника, покрытый слоем диэлектрика. Однако такие пластины не пригодны для рефлексной печати. Кроне того, они не обладают достаточно высокий сцеплениеи с подложнои и не позволяют использовать в качестве фотополупроводника металли ческии селен, имеющий в обычных условиях недопустимо большой темновои спад потенциала Целью изобретения является устранение указанные недостатков. Достигается это тем, что в предлагаемой электрофотографическои пластине слой диэлектрика, выполненный из органической смолы фотопроводящим, нанесен на электро проводящую подложку, а слой фото- полупроводника имеет толщин; до 4 мк и нанесен на слой диэлектрика. На .фиг. I схематично изображена предлагаемая электрофоторраФическая пластина, разрез; на фиг, 2 - кривые чувствительности электрофотографичесних материалов пластины. В предлагаемой электрофото графической пластине в качестве подложки i используется стекло, покрытое электропроводящий слоем 2 из окиси олова. Подложка I и электропроводящий слой 2 могут быть совмещены и представлены в виде однородного электропроводящего материала, например алюминия. На электропроводящий слой нанесен слой 3 органического диэлектрического материала, на поверх ности которого расположен фотопо-г лупроводниковый слой 4, Толщина диэлектрического материала должна быть в 10-40 раз больше толщины фотополупроводникового слоя 4. Для обеспечения максимальной унйвероальностй и наилучших рабочих характеристик диэлектрический слой должен иметь толщину от 2 до 4 мк. Но этот диапазон может быть расширан от до 50 мк, ФотополупроводникоБый слой для обеспечения максимальной чувствительности и универсальности должен иметь толщину от 0,02 до 4 мк, которая достаточна для поглощения около 75-95 падающего активного света. Для селенового слоя эта толщина составляет ОД 0,2 мк. Для повышения чувствитель ности в материал промежуточного диэлектрического слоя вводят сенсибилизатор составляющий 30-70 диэлектрического слоя. Фотополупроводниковый верх « НИИ слой может содержать любой приемлемый фотополупроводниковый материалд предпочтительнее селен, характеризующийся сравнительно высокой чувствительностью, хорошим сцеплением с пластмассовым под слоем и значительной прозрачностью при очень малых толщинах слоя, ,, ФотополупроводникоБый слой можетбыть в ыполнен как однсродным так и в виде дисперсии фотополупро водников в изоляционном связующем веществе. Для получения максимальной разрешающей способности целесообразнее наносить фотополупроводниковый материал непосредственно на поверхность промежуточного слоя или дисперсию фотополупроводникового материала на промежуточный слой Пример I. На электропрово дящую поверхность стеклянной пластину наносят слой, содержащий около 10 вес,ч, стейбелита 5 (глицеринового эфира гидрироваинои смолы), растворенного в 50 вес,ч, толуола. Смолу высушивают на по верхности пластины, и толщина высушенного слоя составляет около 4 мк. Затем на поверхность смолы методом вакуумного напаривания наносят СЛОЙ аморфного селена толщиной около 0,2 ык, Пример 2. Электрофотографическая пластина изготавливается так же, как и в примере I, Но толщина высушенного слоя смолы стейбблите 5 равна приблизительно 2 мк, а толщина селенового слоя - приблизительно 0,1 ык. Пример 3, На элактропрово дящую поверхность стеклянной пластины наносят слой ствйбелита 5, имеющий после сушки толщину около 4 мк. Поверхность смоляной пленки смачивают тонкой пленкой ЖИДКОСТИ 2)OV№200, представляющей собой силиконовое масло. Затем поверхность пластины засыпают порошком сульфида кадмия. Вместо сульфида кадмия можно исполь зовать порошок родамина В, который представляет собой флуорес центный краситель или порошок металлического селена. Пример 4, На электропроводящую поверхность стеклянной плас тины наносят слой, содержащий примерно 30 вес,ч. метйлэтилкетона и 10 вес.ч.поливинилхлорида. На высушенный слой, имеющий толщину около 2 ык, методом напаривания наносят слой аморфного селена толщиной 0,2 мк, Пример 5. Пластина приготавливается так же, как в примере 4, но на поверхность поливинилхло рида наносят слой разведенного s желатине порошка сульфида кадмия. Пример б. На электропроводящую поверхность стеклянной плас тины наносят слой, состоящий из Ю вес.ч, винилового сополимера хлоридвинилацетата ( уУ растворенного в 30 вес.ч. метилэтилкетона. В этот раствор добавляют около 2 вес.ч. 255-би--(Е- . -аиинофенил)-1.3,4-оксадиазола. Высушенный слои имеет толщину примерно 4 мк. На поверхность смолы наносит методом напаривания слой амор(1)ного селена толщиной 0,5 мк, В качестве контрольной изготовляется вторая пластина, у которой непосредственно на электропроводящее покрытие стеклянного носителя /fSA нанесен слой аморфного селена толщиной 7 мк. Обе пластины заряжают коронным разрядником приблизительно до 700 в положительного потенциала и экспонируют монохроматическим светом с длиной волны 4000 л. Кривая светового спада потенциала падает приблизительно с 700 до 160 в остаточного потенциала, а затем остаетСИ горизонтальной. Таким образом, очень тонкий слой селена на сенсибилизированном слое смолы и значительно более толстый слой аморфного селена имеют равную чувст вительностьПример 7. На лист милара толщиной 0,18 мм, покрытый тонким слоем алюыиния, наносят толуэноВЫЙ раствор ст8ибелит-эфира ТО (глицеррл-триэфир гидрированной древесной смолы) толщи-. НОИ около 2 мк. На него насыпают равномерный слой, окрашенных частиц (киси цинка толщиной около I мк. При нагрове частицы окиси цинка оседают в слое смолы.

Пример 8. Пластину приготав ливают так же, как и в примере 3,

но вместо сульфида кадмия покрывают мелко измельченным прочиым синим мейхильбероы, который представляет собой смесь о( и ft -модификаций талоцианина без металла.

Пример У. На электропроводя щую поверхность пластины наносят слой поливинилкарбазола (10 вес, ч,) с 2,4,7 тринитро-9-флуорвноноы ,10,5 вес.Чэ), растворенных в примерно 20 вес.ч, бензола. Тол щина сухого слоя 3 мк. Поверх него наносят слой аморфного селена толщиной 0,1 мк,

Пример 10. Пластину приготавливают так же, как в примере 9, Затем заряжают ее статическим электричеством при помощи корон ного разрядника приблизительно до

450 в положительного потенциала. Затем к заряженное пластине вплотную прикладывают лист бумаги, имеющий на поверхности черно-белое изоОра ение. Поело этого пластину в течение 10 сек экспонируют сквозь носитель оветом Затем оригинал сниииют с поверхности селена, и на пластину ссы пают электризующиеся маркирующие

частицы Появляется порошковое изображение, которое переносится электростатическим способом на бумажный носитель и наплавляется на него. Эта же пластина может использоваться повторно для печатии с другого оригинала.

Пример II. Берут три электрофотографическиа пластины. В первой из них слой стейбелита 5 толщиной мм нанесен на электропроводное покрытие стекла NESA а на слой смолы нанесен слой стекловидного селена толщиной 0,1 ыКв Во второй пластине селеновый слой толщиной ОД мк нанесен на электропроводное покрытие стекла MESA В третьей - слой стекло видного селена толщиной 4,1 мк нанесен на носитель.

Каждую пластину равномерно заряжают при помощи коронного

разрядника, находящегося под напряжением 6000 в, Темновой спад пластин измеряют в течение нескольких секунд, после чего их экспонируют при помощи вольфрамовой

,лампы.

Кривые электрометрических -измерений для этих пластин пока завы на фиг, 2.

10 Кривая А показывает чувствительность пластины с тонким фотополупроводниковым слоем на сравнительно толстом диэлектрическом слое с высоким удельным сопротив15 ленибм, кривая Б - чувствительность фотополупроводникового слоя на электропроводном слое без диэлектрического материала, кривая В чувствительность фотополупро0 водникового слоя, имеющего толщину, равную суммарной толщине фо тополупроводникового и диэлектрического слоев.

ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ

5 I, Электрофотографичаская пластина, содержащая электропроводящий подслой, слой диэлектрика и СЛОЙ фотополупроводника, отличающаяся тем, что, с це0лью улучшения электрофотографических свойств пластины и обеспечения возможности использования ее для рефлексной печати, слой диэлек трика, выполненным из органичес5кой смолы фотопроводящим, нанесен на электропроводящую подложку, а слой фотополупроводника имеет толщину до 4 мк и нанесен на слои диэлектрика,

0

2,Пластина по п, 1, о т л нч аю щ а я с я тем, что диэлек трический СЛОЙ имеет толщину от

2 до 4 мк и фотополупроводнико 5вый слой имеет толщину от 0,1 до 0,2 ш.

3,Плустина по пп, I и 2, отличающаяся тем. что диэлектрический слой в 10-40

0 раз толще фотополупроводникового слоя,

4,Пластина по пп, 1-3 отличающаяся тем , что слой диэлектрика содержит

5 ароматическую смолу и кислоту по Льюису в качестве сенсибилизатора,

5,Пластина по п. I, о т л ичающаяся тем, что фотополупроводниковый слой имеет толщину не ниже 0,02 мк,

6,Пластина по п, I, о т личающаяся тем, что

слой фотопроводаика имеет толщину иеньше i нк.

7. Пластина по п. I, о т л н чающаяся теп, что диэлектрическии слой ииеет толщину от , 0,5 до 50 УК.

6, Пластина по п. I, о т личающаяся тен, что диэлектрический слой состоит из поливинилкарбазола. i 9. Пластина по п, I, от ли чающаяся тем. что фото;полупроводниковый слои состоит из селена, шталоцианина, сильфида кадмия, 9-(0-карбокси(л енил} 6-(диэфиламино)-Э-ксантен З-ксилидин-диэтилхлорида или окиси цинка.

10, Пластина по п. I, о т ли ч а ю щ а я-с я тем, что сенсибилизатор составляет от 30

до 70% веса слоя .диэлектрика. -

П, Пластина по п.I, 6 т личающаяся тем, что,с целью обеспечения максимальной

чувствительности, фотополупроводниковый слой имеет толщину, дос таточную для поглощения от 75 до 95% падающего на него активного света.

12. Пластина по п. I, о т личающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности использования ее для рефлексной печати, фотополупроводниковый

слой имеет толщину . достаточную

для поглощения от 5о до 8С5& па дающего на него активного света. 13. Пластина по п. I, о т личающаяся тем, что

она частично прозрачна.

fuz.l

448658 А

/

500

О

6

В 500Ю tf сек

Ю tfCBK