Тара-спутник для бескорпусной интегральной микросхемы Советский патент 1983 года по МПК H01L21/00 

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к технологическому оборудованию для производства электрических элементов, в частности, бескорпусных полупровод-г никовых интегральных микросхем с гибкими проволочными выводами -при проведении испытаний и контроле па-. раметров. .

Наиболее близкой к предлагаемой

является тара-спутник для бескорпус- ной интегральной микросхемы, преимущественно в- установках для измерения, .содержащая основание, включаюШее диэлектрическую пластину, в . центре которой выполнен паз для бес- 15 корпусной интегральной микросхемы., соединенный с вакуумной системой, и размещенную под ней металлическую .пластину,, и крышку с элементом ее. фиксации С З-2Q

Недостатком кассеты является то, что при .измерении электрических параметров бескорпусных полупроводников приборов средней мощности не обеспечивается необходимый теплоот- 25 вод. Отвод .тепла в этом случае производится с помощью специального

кристаллодержателя , напаиваемого на каждый кристалл бескорпусной микросхемы. При операц.иях напайки бескор- эп пусных полупроводниковых интеграль ных микросхем нередки случаи, приводящие к порче кристаллов и- выхода их из строя..

Цель изобретения - увеличение вы- 35 хода годных.

Эта цель достигается тем, что тара-спутник для бескорпусной интегральной микросхемы, преимущественно установках для измерения, содержа- 40 ща..я основание, включающее диэлектрическую пластину, в центре которой выполнен, паз для бескорпусной интегральной микросхемы, соединенный с вакуумной системой, и размещенную под45 ней металлическую пластину, и крышку с элементом ее фиксации, снабжена; прижимным диэлектрическим винтом, торцовая поверхность которого имеет форму поверхности кристалла бескор- л пусной интегральной схемы и который расположен в отверстии, выполненном в центре крышки, а в металлической пластине основания выполнен выступ, который расположен в сквозном пазу Диэлектрической пластины основания.

.«На фиг. 1 изображена тара-спутник, с размещенной в ней бескорпусной полупроводниковой интегральной микросхемой, вид сбоку, на фиг. 2 то же, вид сверху.60

Тара-спутник содержит основание, выполненное из диэлектрической пластины 1 и металлической пластины 2, изготовленной из материала с большим коэффициентом теплопроводности 65

для обеспечения необходимого отвода тепла, крышку 3, выполненную из диэлектрического материала. В центре основания выполнен сквозной паз 4 для размещения бескорпусной интегральной микросхемы 5, соединенный с вакуумной системой через отверстие б, выполненное в пластине 2, Пластина 2 имеет цилиндрический выступ 7, размещенныйВ сквозном пазу 4, .с диаметром, соответствующим отверстию в таре-спутнике и по высоте меньше ее основания на глубину, равную толщине кристалла микросхемы 5 с заливкой.. Цилиндрический выступ пластины входит в отверстие основания тары-спутника.. Крепление пластины. 2 к пластине 1 основания тарыспутника осуществляется любым -способом, обеспечивающим необходимую . прочность крепления. .Отверстие 6, сдланное в центре пластины 2, предназначено для фиксации кристалла полупроводниковой интегральной- микр.осхемы 5 при укл.адке выводов 8 с помощью вакуумного разряжения. Бескопусная полупроводниковая интегральная микросхема 5 прижимается винтом 9, изготовленным из фторопласта или равноценного по твердости материала обеспечивающего неповреждаемость защщенного -покрытия микросхемы. Винт 9 в торце, имеет форму, соответствующую ответной форме кристалла, что обеспечивает необходимый и достаточный равномерный контакт кристалла с цилиндрическим выступом 7. Выводы 8 микросхемы, изготовленные из тонко золотой про.волоки, укладываются в пазы 10, имеющиеся на основании тарыспутника. Пазы -образованы выступами 11 концентриЧ:еских окружно.стей, выступающими над основанием. Через отверстия 12 крышки 3 тары-спутника осуществляется контакт.выводов 8 микросхемы с зондовым устройством при проведений испытаний и измерений

Устройство работает следующим образом.

Тара-спутник устанавливается на столике, ориентируется по элементам 13 ориентации, и жестко фиксируется основание в этом положении. Снимается крышка 3 с основания, берется кристалл полупроводй 1ковой интегральной микросхемы 5 и укладывается на цилиндрический выступ 7 металлической пластины 2 над отверстием б. В отверстии б создается разряжение от специального устройства, за счет чего кристалл не имеет возможности свободного перемещения. Золотые проволочки (выводы 8) от кристалла аккуратно пинцетом укладываются в пазы 10 на основании, после чего крышка закрывается и при помощи винта 9 в крышке тары обеспечивается дополнительный более плотный и равномерный контакт крнсталла с цилиндрическим выступом 7 на металлической пла|стине 2. Разряжение в отверстии 6 .снимается и тара-спутник .вместе с кристаллом готова к проведению испытаний и измерений.

Таким образом использование такой тары-спутника позволяет увеличить выход годных микросхем при контроле их параметров.

Изобретение позволяет отказаться от сравнительно сложной технологии изготовления кристаллодержателя и напайки кристалла на него и дает возможность непосредственно устанавливать микросхему для проведения измерений электрических параметров в тару- спутник, так как в данном случае теплоотводом является металлическая пластина с выступом, находящаяся в таре-спутнике.

ТАРА-СПУТНИК ДЛЯ БЕСКОРПУСНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ, преимущественно в установках для измерения, содержащая основание, включающее диэлектрическую пластину, в центре которой выполней паз для бескорпусной интегральной микросхемы, соединенный с вакуумной системой, и размещенную под ней металлическую пластину, и крышку с элементом ее фиксации, о т- . личающаяся тем, что, с целью увеличения выхода годных, она снабжена прижимным диэлектрическим винтом, торцовая поверхность которого имеет форму поверхности кристалла, бескорЪусной интегральной схемл и который .расположен в отверстии, выполненном в центре крышки, а в металлической пластине основания выполнен выступ, который расположен в сквозном пазу диэлектрической пластины основания. оо оо О)