Датчик магнитного поля Советский патент 1978 года по МПК G01R33/95 

I

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано в устройствах автоматики и измернтелыюй техники.,

Известны датчики магнитного поля, выполненные в вице полутфоводниковой пластины с контактами, присоединенными к торцам ее, и с областями, имеющими различные скорости поверхиостной рекомбинации носителей тока .

Однако у известных датчиков вследстви зависимости свойств полупроводника от температуры недостаточны точность преобразования и .чувствительность к магнитному полю.

Цель изобретения - повышение чувствительности и точности преобразования.

Это достигается тем, что в датчике магнитного поля, содержащем полупроводниковую пластину с выходным электродом, р токовыми контактами, установленными 8 ее торцах, и противоположно ориентированными областями с повьлиеннымн скоростями поверхностной рекомбинации норителей тока, каждая из двух параллельных граней тшастины между ее торцами вьтолнена в виде двух равных между собой областей с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, причем области с одинаковыми скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока расположены на этих гранях у противоположных торцов пластины.

На чертеже изображен предлагаемый датчик.

Он содержит полупроводниковую пластину I, к торцам 2 которой присоединены токовые контакты 3. Каждая из двух параллельных граней 4 и 5. пластины 1 имеет области 6 и 7 с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока (СПРНТ), причем области 7 с повьшюнными

СПРНТ расположены на гранях 4 и 5 у каждого из противоположных торцов 2 пластины 1, между областями 6 н 7 расоопо- жен выходаой электрод 8. Области 6 с малыми СПРНТ условно обозначены площадью, ограниченной внутри пластины пункти