Датчик магнитного поля Вальтаса И.А. Советский патент 1982 года по МПК G01R33/02 

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано в устройствах автоматики и измерител ной технике. Известен датчик магинтного поля, содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными в ее торцах, и областью повышенной скоростью поверхностной peкo бинaции носителей тока, распол женной на одной из граней пластины и занимающей половину ее площади выходной электрод, установленный между областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока 1 . Недостатком известного датчика .является сравнительно низкая чувствительность к магнитному полю из-за малого пути прохождения носителей тока и однопорядкового изменения со ротивлений обеих частей пластины. Цель изобретения - повышение чувствительности датчика магнитного поля. Для достижения поставленной цели в датчике магнитного поля содержащем полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными на ее торцах, двумя, равными по площади, областями с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, на одной из граней выходной электрод на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани токопроводящим растром. Кроме того, для наибольшего увеличения чувствительности, скорости поверхностной рекомбинации носителей токд, выбраны из соотношения Sm/Sjj % 20, где S/ - скорость поверхностной рекомбинации носителей тока одной области, S - скорость поверхностной рекомбинации носителе тока другой области. На чертеже изображен предлагаемый датчик. Датчик содержит полупроводниковую пластину 1, к торцам 2 которой присоединены электроды токовые 3. Грань Ц пластины 1 имеет область 5 с повышенной и область 6 с меньшей скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, занимающие соответствующую половину площади грани Ц, На половину грани 7 пластины 1 нанесен токопроводящий раст крайний проводник 9 которого служит основанием выходного электрода 10. Отношение скоростей поверхностной рекомбинации области 5 и области 6 выбрано не меньшим двадцати. Скорос поверхностной рекомбинации на грани 11, параллельной грани Ц, такая же как в области 6. Датчик работает следующим образом . При воздействии магнитного поля параллельно грани k на пластину 1, которой между контактами 3 и по рас ру 8 протекает электрический ток, происходит перераспределение осителей тока в сочетании между гранями «и 11. При этом изменение сопро тивления части 1 с растром 8 значительно превышает изменение сопротив ления другой части пластины 1 . Разн ный сигнал частей пластины 1 пропор ционален значению напряженности воз действующего на датчик магнитного поля. При отношении скоростей поверхностной рекомбинации насителей тока, не меньшем двадцати, чувствительность на два порядка превышает чувствительность датчика, выбранного в качестве прототипа. Формула изобретения 1.Датчик магнитного поля, содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, двумя равными по площади,областями с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, на одной из граней выходной электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром. 2.Датчик поп.1,отличающ и и с я тем, что скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношения 20 , где Si , S 2. -скорости поверхностной рекомбинации носителей тока соответствующих областей. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № , fcn. G 01 G 33/02, 1975.