Способ измерения температуры Советский патент 1983 года по МПК G01K11/28 

Описание патента на изобретение SU1048335A1

4;

00 00

00

ел

Похожие патенты SU1048335A1

название год авторы номер документа
Способ получения полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии с высокой однородностью по толщине эпитаксиальных слоев 2016
  • Крюков Виталий Львович
  • Меерович Леонид Александрович
  • Николаенко Александр Михайлович
  • Стрельченко Сергей Станиславович
  • Титивкин Константин Анатольевич
  • Шумакин Никита Игоревич
RU2638575C1
Способ получения низколегированного слоя GaAs методом жидкофазной эпитаксии 2020
  • Крюков Виталий Львович
  • Крюков Евгений Витальевич
  • Титивкин Константин Анатольевич
  • Шумакин Никита Игоревич
RU2727124C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ AB МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ 2005
  • Солдатенков Федор Юрьевич
RU2297690C1
Способ получения p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии 2020
  • Крюков Виталий Львович
  • Крюков Евгений Витальевич
  • Меерович Леонид Александрович
  • Шумакин Никита Игоревич
  • Романов Даниил Алексеевич
RU2749501C1
Способ единовременного получения p-i-n структуры GaAs, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое 2015
  • Крюков Виталий Львович
  • Крюков Евгений Витальевич
  • Меерович Леонид Александрович
  • Стрельченко Сергей Станиславович
  • Титивкин Константин Анатольевич
  • Николаенко Александр Михайлович
RU2610388C2
Способ выращивания полупроводниковой пленки 2023
  • Жмерик Валентин Николаевич
  • Нечаев Дмитрий Валерьевич
  • Семенов Алексей Николаевич
RU2814063C1
Способ получения эпитаксиальных слоёв CdHg Te из раствора на основе теллура 2016
  • Андрусов Юрий Борисович
  • Белов Александр Георгиевич
  • Денисов Игорь Андреевич
  • Коновалов Александр Аполлонович
  • Смирнова Наталья Анатольевна
RU2633901C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-AlGaAs МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ 2020
  • Солдатенков Федор Юрьевич
RU2744350C1
Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии 2016
  • Крюков Виталий Львович
  • Крюков Евгений Витальевич
  • Меерович Леонид Александрович
  • Николаенко Александр Михайлович
  • Стрельченко Сергей Станиславович
  • Титивкин Константин Анатольевич
RU2639263C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-GaAlAs МЕТОДОМ ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ 2012
  • Крюков Виталий Львович
  • Крюков Евгений Витальевич
  • Меерович Леонид Александрович
  • Стрельченко Сергей Станиславович
  • Титивкин Константин Анатольевич
RU2488911C1

Реферат патента 1983 года Способ измерения температуры

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, преимущественно при выращивании эпитаксиальных слоев методом зонной плавки, заключающийся в том, что при выращивании эпитаксиального слоя трехкомпонентного раствора определяют соотношение компонент раствора и находят температуру по диаграмме состояний, отличающийся тем, что, с целью повышения Точности измерения температуры на границе раздела фаз, соотношение компонент определяют после затвердевания эпитаксиального слоя.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1983 года SU1048335A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Патент США 3704625, кл.117-211, опублик
Приспособление для склейки фанер в стыках 1924
  • Г. Будденберг
SU1973A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Способ определения тепмературы 1976
  • Абрамов Александр Владимирович
  • Мишурный Вячеслав Андреевич
  • Никитин Виктор Георгиевич
  • Третьяков Дмитрий Николаевич
SU574632A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 048 335 A1

Авторы

Лисовенко Лариса Дмитриевна

Шепель Леонид Григорьевич

Сергиенко Арсений Сергеевич

Даты

1983-10-15Публикация

1982-02-19Подача