Способ определения тепмературы Советский патент 1977 года по МПК G01K11/28 

Описание патента на изобретение SU574632A1

Изобретение относится к области термометрии и может быть использовано при контроле температуры в установках для выращивания кристаллов и в металлургии.

Известны способы измерения температуры по фазовому переходу контрольного вещества (растворение, таяние, помутнение, плавление) 1.2.

При этих способах фазовый переход происходит при одной определенной температуре, что ограничивает диапазон измеряемых температур и точность измерения.

Известен таюке способ измерения температуры посредством набора термочувствительных веществ, изменяющих свое состояние при определенной температуре 3.

Для измерения температуры таким способом в заданном интервале необходим больщой набор термочувствительных веществ. При этом точность измерения определяется различием в температурах фазовых переходов.

В ряде технологических процессов, в частности в жидкостной и газовой эпитаксии, очень важно точно измерять температуру на границе кристаллизации. С помощью известных способов проделать такие измерения невозможно.

Цель изобретения - повышение точности определения температуры на границе фаз жидкость - твердое тело.

По предлагаемому способу это достигается тем, что выбирают материал контрольного вещества и растворителя, исходя из требований максимальной растворимости контрольного вещества в растворителе и максимальных градиентов растворимости по температуре в измеряемых температурных диапазонах, а измерение температуры проводят, определяя концентрацию контрольного вещества, растворенного

в растворителе. Концентрацию контрольного вещества, растворенного в растворителе, определяют взвешиванием этого вещества до и после растворения, причем потерю веса контрольного вещества увеличивают, выбирая

больший объем растворителя.

Для измерения температуры в интсрвдле 600-1200°С в качестве контрольного вещества используют арсенид галлия, а в качестве растворителя - галлий или олово.

Рассмотрим процесс измерения температуры с использовапием в качестве контрольного вещества арсенида галлня, в качестве растворителя - галлия. Предварительно взвешенный арсенид галлия и галлий размещают в

контейнере. После стабилизации температуры печи Ga и GaAs приводят в контакт п выдерживают до установления равновесия в системе и образования насыщенного раствора. Затем галлий изолируют от арсенида галлия.

При этом необходимо, чтобы остатки растворигеля были полностью удалены с иоверхности GaAs. В иротивиом случае точность измерения температуры снижается (ио мере остывания печи па контрольном веществе из остатков галлия кристаллизуется слой GaAs, что приводит к ошибке в определении растворимости).

Используя вычисленную потерю веса GaAs после его подрастворения, определяют растворимость мышьяка в галлии. Искомую температуру находят по диаграмме состояний в системе GaAs. Иоскольку концентрация растворенного вещества однозначно определяется процессами, происходящими иа границе раздела фаз, то иредложеипый способ позволяет измерять температуру на граппцс жидкость - твердое тело, или иа границе кристаллизации.

Чтобы увеличить точпость определения температуры, в качестве растворптеля п коптрольпого веигества выбирают такие системы, в которых растворимость ири измеряемой температуре максимальна. Для этой цели наиболее удобиы такие системы, в которых максимальиы измеиеиия величины растворимости на ГС, т. е. максимальны градиенты растворимости по температуре.

В частиости, в интервале температур 200- 400°С в качестве контрольного вещества удобно использовать InSb, в интервале 400- 600°С - GaSb, в интервале 600-1200°С - GaAs, в интервале - GaP. Ири этом в качестве растворителей можно применять галлий, индий, олово или висмут.

Ир и мер. В качестве коитрольного вещества используют GaAs весом 192,60 мг, в качестве растворителя - Ga весом 2008,5 мг. Иотеря веса контрольного вещества при его

растворении составляет 51,43 мг. Растворимость контрольного вещества в галлии, найденная из потери веса- 1,208 ат. %. По диаграмме состояний системы Ga-As иаходят искомую температуру. Для растворимости 1,208 ат. % она составляет 748,87°С.

Формула изобретения

1. Способ определения температуры по растворимости контрольного вепдества в растворителе, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения температуры на границе фаз жидкость - твердое тело, определяют концентрацию коитрольиого вещества в растворителе взвешивапием контрольиого вещества, находяп1,егося в твердой фазе, до растворения и после получения насыщенного раствора в определенном количестве растворителя, а затем по диаграмме состояиия насып;еииого раствора определяют искомую температуру.

2. Способ ио и. 1, отл ич а юи|и и ся тем, что, с целью обеспечеиия возможиости измерения температуры в иитервале 600-1200°С, в качестве контрольного вещества используют арсенид галлия, а в качестве растворителя - галлий или олово.

Источники информации, иринятые во внимание при экспертизе

США № 3826141,

кл. 117-211,

Фраиции № 2128345, кл. G 01К

США № 3704625, кл. 117-211,

Похожие патенты SU574632A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 1989
  • Абрамов А.В.
  • Дерягин Н.Г.
  • Долганов А.В.
  • Мизеров М.Н.
  • Селиверстов О.В.
  • Третьяков Д.Н.
SU1589918A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ 2014
  • Шляхов Александр Тимофеевич
  • Шляхова Альфия Ганиулловна
RU2561335C1
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ 1991
  • Лысов Валерий Борисович
  • Прокопенко Юрий Олегович
  • Пулина Наталья Александровна
  • Сакидон Петр Анатольевич
  • Шварц Юрий Михайлович
  • Черемисов Виктор Анатольевич
  • Ильчишин Николай Петрович
RU2037791C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПЛЕНКИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ 2014
  • Томашпольский Юрий Яковлевич
  • Матюк Владимир Михайлович
  • Садовская Наталия Владимировна
RU2578870C2
СПОСОБ МЕЖОПЕРАЦИОННОЙ КОНСЕРВАЦИИ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 1988
  • Колмакова Т.П.
  • Пащенко П.Б.
  • Сарманов С.С.
SU1582921A1
Способ определения температуры 1985
  • Абрамов Александр Владимирович
  • Третьяков Дмитрий Николаевич
SU1254316A2
Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии 2016
  • Крюков Виталий Львович
  • Крюков Евгений Витальевич
  • Стрельченко Сергей Станиславович
  • Шашкин Владимир Иванович
RU2668661C2
СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ 1988
  • Абрамов А.В.
  • Долганов А.В.
  • Мизеров М.Н.
  • Селиверстов О.В.
  • Дерягин Н.Г.
  • Третьяков Д.Н.
SU1559970A1
Полупроводниковый магниторезистор и способ его изготовления 1990
  • Горбачук Николай Тихонович
SU1728903A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р - «-ПЕРЕХОДОВ 1967
SU196177A1

Реферат патента 1977 года Способ определения тепмературы

Формула изобретения SU 574 632 A1

SU 574 632 A1

Авторы

Абрамов Александр Владимирович

Мишурный Вячеслав Андреевич

Никитин Виктор Георгиевич

Третьяков Дмитрий Николаевич

Даты

1977-09-30Публикация

1976-02-11Подача