Изобретение относится к области термометрии и может быть использовано при контроле температуры в установках для выращивания кристаллов и в металлургии.
Известны способы измерения температуры по фазовому переходу контрольного вещества (растворение, таяние, помутнение, плавление) 1.2.
При этих способах фазовый переход происходит при одной определенной температуре, что ограничивает диапазон измеряемых температур и точность измерения.
Известен таюке способ измерения температуры посредством набора термочувствительных веществ, изменяющих свое состояние при определенной температуре 3.
Для измерения температуры таким способом в заданном интервале необходим больщой набор термочувствительных веществ. При этом точность измерения определяется различием в температурах фазовых переходов.
В ряде технологических процессов, в частности в жидкостной и газовой эпитаксии, очень важно точно измерять температуру на границе кристаллизации. С помощью известных способов проделать такие измерения невозможно.
Цель изобретения - повышение точности определения температуры на границе фаз жидкость - твердое тело.
По предлагаемому способу это достигается тем, что выбирают материал контрольного вещества и растворителя, исходя из требований максимальной растворимости контрольного вещества в растворителе и максимальных градиентов растворимости по температуре в измеряемых температурных диапазонах, а измерение температуры проводят, определяя концентрацию контрольного вещества, растворенного
в растворителе. Концентрацию контрольного вещества, растворенного в растворителе, определяют взвешиванием этого вещества до и после растворения, причем потерю веса контрольного вещества увеличивают, выбирая
больший объем растворителя.
Для измерения температуры в интсрвдле 600-1200°С в качестве контрольного вещества используют арсенид галлия, а в качестве растворителя - галлий или олово.
Рассмотрим процесс измерения температуры с использовапием в качестве контрольного вещества арсенида галлня, в качестве растворителя - галлия. Предварительно взвешенный арсенид галлия и галлий размещают в
контейнере. После стабилизации температуры печи Ga и GaAs приводят в контакт п выдерживают до установления равновесия в системе и образования насыщенного раствора. Затем галлий изолируют от арсенида галлия.
При этом необходимо, чтобы остатки растворигеля были полностью удалены с иоверхности GaAs. В иротивиом случае точность измерения температуры снижается (ио мере остывания печи па контрольном веществе из остатков галлия кристаллизуется слой GaAs, что приводит к ошибке в определении растворимости).
Используя вычисленную потерю веса GaAs после его подрастворения, определяют растворимость мышьяка в галлии. Искомую температуру находят по диаграмме состояний в системе GaAs. Иоскольку концентрация растворенного вещества однозначно определяется процессами, происходящими иа границе раздела фаз, то иредложеипый способ позволяет измерять температуру на граппцс жидкость - твердое тело, или иа границе кристаллизации.
Чтобы увеличить точпость определения температуры, в качестве растворптеля п коптрольпого веигества выбирают такие системы, в которых растворимость ири измеряемой температуре максимальна. Для этой цели наиболее удобиы такие системы, в которых максимальиы измеиеиия величины растворимости на ГС, т. е. максимальны градиенты растворимости по температуре.
В частиости, в интервале температур 200- 400°С в качестве контрольного вещества удобно использовать InSb, в интервале 400- 600°С - GaSb, в интервале 600-1200°С - GaAs, в интервале - GaP. Ири этом в качестве растворителей можно применять галлий, индий, олово или висмут.
Ир и мер. В качестве коитрольного вещества используют GaAs весом 192,60 мг, в качестве растворителя - Ga весом 2008,5 мг. Иотеря веса контрольного вещества при его
растворении составляет 51,43 мг. Растворимость контрольного вещества в галлии, найденная из потери веса- 1,208 ат. %. По диаграмме состояний системы Ga-As иаходят искомую температуру. Для растворимости 1,208 ат. % она составляет 748,87°С.
Формула изобретения
1. Способ определения температуры по растворимости контрольного вепдества в растворителе, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения температуры на границе фаз жидкость - твердое тело, определяют концентрацию коитрольиого вещества в растворителе взвешивапием контрольиого вещества, находяп1,егося в твердой фазе, до растворения и после получения насыщенного раствора в определенном количестве растворителя, а затем по диаграмме состояиия насып;еииого раствора определяют искомую температуру.
2. Способ ио и. 1, отл ич а юи|и и ся тем, что, с целью обеспечеиия возможиости измерения температуры в иитервале 600-1200°С, в качестве контрольного вещества используют арсенид галлия, а в качестве растворителя - галлий или олово.
Источники информации, иринятые во внимание при экспертизе
США № 3826141,
кл. 117-211,
Фраиции № 2128345, кл. G 01К
США № 3704625, кл. 117-211,
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 1989 |
|
SU1589918A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ | 2014 |
|
RU2561335C1 |
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ | 1991 |
|
RU2037791C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПЛЕНКИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ | 2014 |
|
RU2578870C2 |
СПОСОБ МЕЖОПЕРАЦИОННОЙ КОНСЕРВАЦИИ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 1988 |
|
SU1582921A1 |
Способ определения температуры | 1985 |
|
SU1254316A2 |
Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии | 2016 |
|
RU2668661C2 |
СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ | 1988 |
|
SU1559970A1 |
Полупроводниковый магниторезистор и способ его изготовления | 1990 |
|
SU1728903A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р - «-ПЕРЕХОДОВ | 1967 |
|
SU196177A1 |
Авторы
Даты
1977-09-30—Публикация
1976-02-11—Подача