Фототермопластический преобразователь изображений и способ нанесения пленки фоточувствительного стеклообразного полупроводника из материала состава ( @ ) @ ( @ ) @ 0,333 @ 0,435,для фототермопластического преобразователя изображений Советский патент 1983 года по МПК G06K19/02 

2, Способ нанесения пленки фоточувствительного стеклообразного полупроводника из материала состава (,). X ,), 0,333 i X 0,435 для фототермопластического преобразователя изображений, основанный на испарении в вакууме порошкообразного фоточувствительного стеклообразного полупроводника и нанесении его на подогретую диэлектрическую подложп

ку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токсичности в процессе нанесения, испарение в вакууме порошкообразного фоточувствительного стеклообразного полупроводника дисперсностью 0,1 - 0,2 м осуществля1от путем дискретной подачи его в квазизамкнутый испаритель, а подогрев диэлектрической подложки осуществляют в пределах 60-170°С.

1. Фототермопластический преобразователь изображений, содержащий металлизированную подложку с последовательно расположенными на . пленками фоточувствительного стеклообразного полупроводника и термоплас тического материала, отличающийся тем, что, с целью умень- шения его токсичности, пленка; фото- «g чувствительного стеклообразного полу (Л .проводника выполнена из материала состава (Sbj 5з ) ,-х (ЗЪзО, ) с параметром стехиометрии х, удовлетворяющим . условию 0,333S Х40,435 и толщиной 0,5 id 43,0 мкм. ел ел со

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, в част ности к оптической обработке инфорации, и может «алть использовано ° ля голрграфической и аналоговой обработки информации.

Известен .фототермопластический преобразователь изображений, содержащий металлизированную подложку с нанесенными на нее пленками фоточувствительНого стеклообразного прлупроводника и термопластического ма- 1 териала, при этом фоточувствительная пленка изготовлена из двухкомпонент-; ных сплавов мшаЬяка и серы ) термическим испарением в вакууме И ,

Недостатками данного фототермо пластического преобразователя и способа его изготовлейия являются высокая токсичность в процессе изготовления, и эксплуатации, а также низкие светотехнические и электрические параметры.

Йаиболее| близок к предлагаемому фототермопдастйческий преобразова тель изображений/ содержащий металлизированную подложку с последовательно расположенными на ней пленка ми фоточувствительного стеклообразного полупроводника и термопластического материала, где фоточувствительная пленка изготовлена из трехкомпонентного стеклообразного полупроводника, на оскюве сплавов мышьяка, сера и селена

(A9-Se, )Q5 (A5zS j).o,.9

Способнанесе;нй пленки фогочувствительного стеклообразного полупро водника в известном фототермоплас тическом преобразователе изображений основан на испарении в вакууме порошкообразного фоточувствительиого ч.стеклообразного полупроводника и нанесении его на подогретую диэлектрическую подложку 2 ,

Недостатком этого фототермопластического преобразователя изображений и способа яанесения пленки фоточувствительного стеклообразного полупроводника для него является высокая токсичность в процессе нананесения пленки и применения фототермопластического преобразователя из-за использования соединений мышьяка,

Цель изобретения - уменьшение токсичности преобразователя и уменьшение токсичности в процессе нанесения.

Поставленная цель достигается тем, что в фототермопластическом преобразователе изображений, содержащем металлизированную подложку с последовательно расположенными на ней пленками фоточувствительного стеклообразного полупроводника и термопластического материала, пленка фотдчувствительного стеклообразного полупроводника выполнена из материала состава (SbjS)-; ()х с параметром стехиометрии х,довлетворяющим условию 0,333 4 х 0,435 и толщиной 0,5 d 4:3,0 мкм.

Согласно способу нанесения пленки фоточувствительного стеклообразHOJ7O полупроводника из материала состава (Slj2 S 3,)i-,; (SbjO,) X, 0,333.4 х i 0,435 для фототермопластического црёобразователя изображений, основанному на испарении в вакууме порсшкообразного фоточузствительного стеклообразного полупроводника и нанесении его на подогретую диэлект.рическую подложку, испарение в вакууме порошкообразного фоточувствительного ..стеклообразного полупроводника дисперсностью 0,1 .- 0,2 мм осуществляют путем дискретной подачи его в квазизамкнутый испаритель, а подог:рев диэлектрической подложки осуществляют в пределах 60 - . На.чертеже изображена принципиальная конструкция фототермопластического преобразователя изображений, . Преобразователь состоит из металлизированной подложки 1 с последоваIт льно нанесенными на нее пленками | фоточувствительиого стеклообразного полупроводника 2 и термопластического материала 3. Фототермопластический преобразов тель изображений работает следующим образом. Преобразователь заряжается в поле коронного разряда до определенного поверхностного потенциала, затем экспонируют на него изображение одновременно разогревая преобразова тель до температуры размягчения термопластического материала 3, В результате образования под действием света потенциального рельефа на фоточувствительной пленке 2 происходит перераспределение поверхностн го потенциала на пленке термопластика, В соответствии с образовавшим ся потенциальным рельефом, на пленке термопластического материала 3 происходит рельефная запись изображения. Фототермопластические преобразователи изображений, содержащие фото чувствительные пленки стеклообразны полупроводников системы (SbjS-)). (-Sb2Озч параметром х , 0,333 обладает низкими электрическими пара метрами (темновое сопротивление фотрчувствительных Пленок .SV ,5-10То1«см) при X 0,435 пре- образователи характеризуются ниэкой фоточувствительностью в видимой области спектра. В результате преобра зователи, включающие фоточувствительные пленки с параметром стехиометрии X, выходящим за эти пределы, не могут быть использованы, обладают весьма низкими светотехниче кими и электрическими параметрами. Преобразователи йа основе пленки фоточувствительного стеклообразного полупроводника 2 системы (Sb2S5)-x (SbijiO), с параметром х, удовлетворяющим условию 0,333 i X 0,435, толщиной меньше 0,5 мкм не являются работоспособными из-за низкого поте цисша зарядки фоточувствительной Пленки, который не способен деформировать термопластический слой. При толщинах больше 3,0 мкм резко ухудшаются эксплуатационные характеристи ки преобразователя (наблюдается грещинообразование). Фототермопластический преобразователь изображений, содержащий пленку фоточувствительного стеклообразного полупроводника 2 системы (SЦSз).x (Sb5rO),i при 0,333 Х4 (0,435 , обладает низкой токсичностью Способ нанесения плёнки.фоточувствительного стеклообразного полупроводника 2 из материала состава (.Мз)4-.я.. (Sb20ib f .3L4 b,435 для фототермопластического преобразователя изобразкёний основан на уменьшении фракционирования оксихалькотенидного стеклообразного полу проводника при испарении с целью получения фоточувствительных пленок, идентичных по химическому составу с исходным испаряексом материалом. Это способствует сохранению юлсоких светотехнических и электрических параметров преобразователя. Использование в предлагаемом способе испарителя квазизамкнутого типа связано с тем, что в результате высокого давления легко летучей компоненты испаряемого вацества порошок исходного материала дисперсностью от 0,1 до 0,2 мм отскакивает от испарителя OTKiMJToro типа, что приводит к отклонению по химическому составу испаряемого вацества и получаемой фоточувствительной пленки. При испарении порошка дисперс|Ностью меньшее, гли вещество не по падает в квазизамкнутый испаритель из-за высокого давлени я легко летучей Компоненты испаряемого материала (порошок как бы выталкивается из испap Iтeля). При испарении порошка дисперсностью больше 0,2 мм наблюдается фракционирование испаряемого вещества, как это имеет место при простом термическом испарении. ; Для достижения высокой стабиль ности параметров преобразователя, |а также повышенной его эксплуатационной способности температура метал- , лизированной подложки 1 (например, на основе полиэтилентерефтолата) в процессе испарения поддерживается в интервале 60 - 130°С. При температуре меньше б О С резко ухудо1аются эксплуатационная способность (уменьшается адгезия пленки стеклообразного полупроводника к подложке) и стабильность параметров преобразователя. -Если температура металлизированной подложки 1 выше 130°С она при напылении размягчается. Это приводит к тому, что после напыления в пленке возникают напряжения, что резко ухудшает эксплуатационную способность преобразователя. Стеклообразные полупроводники изготрвляют при .700°С в откачанных до вакуума 10 мм рт. ст. кварцевых ампулах, где находятся ингредиенты получаемого соединения и SbjO. Для лучшего перемешивания ампулы помещают в качающиеся цилинд. рические электропечи. После окончания синтеза ампулы с полупроводником подергают закалке на воздухе. Полученные оксихалькогенидные теклообразные полупроводники подергают дроблению и сепарации. ПараметЁял предлагаемых преобраователей и преобразователя на основе ленок (ASjSe,)((ASi2S)Q5 (прототип) риведены в таблице.

Как видно из таблицы, светотехни- лей изображений одинакова, при этом

ческие (ЕЙ,,) и электрические (р) jt5в предлагаемом преобра зователе

паргшетры предлагаемых и иэвестногчэуменьшена таксичность в процессе изrov

фототермопластических преобразовате-товлвния и применения преобразователя.