Фототермопластический материал для записи информации Советский патент 1984 года по МПК G03G5/08 

Описание патента на изобретение SU1108384A1

о х

9 X)

1

Изобретение относится к фототермопластическим материалам и может быть использовано для регистрации информации как в обычной, так и в голографической форме.

Известен фототермопластический материал, содержащий псшимерную подложку, электропроводящий слой, ин жекционный слой из аморфного селена и фототермопластический слой 1П.

Указанный фототермопластический материал обладает высокой электрофотографической чувствительностью в синей зоне спектра (120 М -Дж) и практически не обладает электрофотографической чувствительностью в красной зоне спектра (0,01 М.

Наиболее близким к изобретению является фототермопластический материал, содержащий металлизированную никелем полиэтилентерефтапатную подложку, на которой последовательно расположены ишкекционный слой из аморфного селена с добавками теллура 7%, мьпиьяка 2%, сурьмы 1% (общее содержание добавок 10%) и фототермопластический слой, представляющий собой композицию из поли-Н-винилкарбазола и термопластического полимера 21.

Известный фототермопластический материал обладает высокой электрофотографической чувствительностью как в синей (400 ), так и в красной зоне спектра (8 ). Однако величина дифракционной эффективности записанного изображения на данном материале ниже, чем на других фототермопластических материалах.

Особенно низкое значение дифракционной эффективности имеет указанный фототермопластический материал при длине волны АОО нм, именно при этой длине волны фототермопластический материал обладает максимальной электрофотографической чувствительностью. Низкое значение дифракционной эффективности не позволяет реализовать на практике высокую электрофотографическую чувствительность материала.

Одним из важнейщих параметров, характеризующих качество голографического изображения на фототермоппастическом материале, является дифракционная эффективность плоской фазовой голограммы, которая может иметь максимальное значение, равное 33,9%. Спедовательно, повышение

83842

дифракционной эффективности наряду с повышением электрофотографической чувствительности является важнейшей задачей при широком использовании 5 фототермопластических материалов для различных технических нужд. Цель изобретения - повышение дифракционной эффективности.

Цель достигается тем, что фото10 термопластический материал дополнительно содержит слой аморфного селена толщиной 0,03 - 0,05 мкм, расположенный между инжекционным и фототермопластическим слоями.

15Полученный материал обладает высокой дифракционной эффективностью при длинах волн лазерного излучения 633 и 441 нм, а также высокой электрографической чувствительностью.

20Пример I. На металлизированную никелем полиэтилентерефталатную основу напыляют в вакууме инжекционный слой толщиной 0,15 мкм из аморфного селена с добавками,%:

25 теллур 7; мышьяк 2 и сурьма 1. Добавки не превышают 10%. Затем методом купающего ролика из раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию из поли-К-винил3Q карбазола и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении 1:1. Толщана полимерного покрытия после сушки составляет 2 мкм.

Величина дифракционной эффективности при длинах волны 441 и 633 .нм для оптимальной частоты 200 мм приведены в таблице. В таблице приведены также электрофотографическая чувствительность по критерую спада начального потенциала на 0,1.

Пример 2. На металлизированную никелем полиэтилентерефталатную основу напыляют в вакууме последовательно инжекционный слой из аморфного селена с добавкой 10% теллура толщиной 0,15 мкм, слой аморфного селена толщиной 0,03 мкм. Затем методом купающего ролика из раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию, содержащую по0 ли-К-винилкарбазол и сополимер стирола с бутадиеном в соотношении 1:1, толщиной 2 мкм.

Сенситометрические характеристики приведены в таблице.

5Пример 3. Фототермопластический материал приготавливают аналогично примеру 2, но толщина слоя аморфного селена составляет 0,05 мкм.

Сенситометрические характеристики приведены в таблице.

Пример 4. Фототермопластический материал приготавливают аналогично примеру 2, но толщина слоя аморфного селена составляет 0,02 мкм

Сенситометрические характеристики приведены в таблице.

Пример 5. Фототермопластический материал приготавливают аналогично примеру 2, но толщина слоя аморфного селена составляет 0,10 мкм

Сенситометрические характеристики приведены в таблице.

Из приведенных данных следует, что предлагаемый фототермопластический материал толщиной слоя аморфного селена 0,03 - 0,05 мкм (примеры 2 и 3) превосходит по дифракционной эффективности при длине волны лазерного излучения 633 нм прототип на 18 - 22%, при длине волны 441 нм более чем на 200%. При этом электрофотографическая чувствительность практически остается на уровне прототипа.

410

29

32

420

30

33

405

18

28

200

20

32

Похожие патенты SU1108384A1

название год авторы номер документа
Фототермопластический материал 1980
  • Зеленина Людмила Ивановна
  • Володина Авиэтта Петровна
  • Постников Александр Александрович
  • Павлов Александр Валентинович
  • Орлова Галина Михайловна
SU896591A1
Фототермопластический материал 1981
  • Зеленина Людмила Ивановна
  • Володина Авиэтта Петровна
  • Постников Александр Александрович
  • Орлова Галина Михайловна
  • Туркина Елена Юрьевна
SU1040460A1
Фототермопластический материал для записи информации 1981
  • Бородкина Мария Сергеевна
  • Малахова Ирина Александровна
  • Чельцова Татьяна Всеволодовна
  • Черкасов Юрий Андреевич
  • Крюков Владислав Валерьевич
SU1108383A1
Фототермопластический материал 1987
  • Табатадзе Джумбери Григорьевич
  • Павлов Александр Валентинович
  • Недужий Сергей Александрович
  • Бадьева Маргарита Максовна
SU1444698A1
Фототермопластический материал 1976
  • Зеленина Л.И.
  • Постников А.А.
  • Табатадзе Д.Г.
  • Павлов А.В.
SU689586A1
Фототермопластический материал 1991
  • Радугина Юлия Евгеньевна
  • Еремина Тамара Тихоновна
  • Крюков Владислав Валерьевич
  • Малахова Ирина Александровна
SU1768044A3
Способ получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропроводящую подложку 1982
  • Зеленина Людмила Ивановна
  • Постников Александр Александрович
  • Табатадзе Джумбери Григорьевич
SU1071993A1
Фототермопластический материал и способ его получения 1981
  • Ряннель Эро Федорович
  • Каплинская Людмила Викторовна
SU995058A1
Электрофотографический материал 1981
  • Угрюмов Анатолий Ильич
  • Коботаева Наталья Станиславовна
  • Берзин Владимир Иванович
SU996981A1
Фототермопластический носитель информации 1981
  • Дзесова Фатима Кудзаговна
  • Бекичева Любовь Ивановна
  • Баратов Александр Гургенович
  • Пойманов Анатолий Михайлович
  • Волкова Анастасия Григорьевна
SU1004952A1

Реферат патента 1984 года Фототермопластический материал для записи информации

ФОТОТЕРМОШ1АСТИЧЕСКИЙ МАТЕР1Ш1 ДЛЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ, состоящий из полимерной подложки, электропроводящего подслоя, инжекционного слоя из селена с теллуром и фототермопластического слоя из поли-Ы-винилкарбазола и термопластического связующего, отличающийся тем, что, с целью увеличения дифракционной эффективности, материал дополнительно содержит слой аморфного селена ТОЛ1ЦИНОЙ 0,03-0,05 мкм, расположенный между инжекдионный и фототермопластическим слоями. (Л с

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1984 года SU1108384A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
И.-Д.Б. Сидаравичус 0
SU336638A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
и др
Очаг для массовой варки пищи, выпечки хлеба и кипячения воды 1921
  • Богач Б.И.
SU4A1
Л., Наука, 1979, с
Подъемник для выгрузки и нагрузки барж сплавными бревнами, дровами и т.п. 1919
  • Самусь А.М.
SU149A1

SU 1 108 384 A1

Авторы

Постников Александр Александрович

Табатадзе Джумбери Григорьевич

Даты

1984-08-15Публикация

1981-07-10Подача