Датчик экстремальных температур Советский патент 1984 года по МПК G01K7/01 

Описание патента на изобретение SU1075085A1

Изобретение относится к технике измерения температуры, а именно к датчикам для измерения экстремальных температур. Известны различные типы датчиков экстремальных температур, не имеющих механической или электрической связи с внешней средой и основанных на перемещении индикатора температуры в результате термического расщирения чувствительного элемента - жидкости или твердого тела 1 и 2. Недостатками известных датчиков являются практическая невозможность их миниатюризации и необходимость использования специальных устройств для фиксации (запоминания) экстремальных значений температуры. Целью изобретения является упрощение датчика экстремальных температур. Эта цель достигается применением известного Туннельного диода, изготовленного, например, из арсенида галлия, преимущественно по сплавной технологии, в качестве датчика экстремальных температур. Возможность использования туннельного диода в качестве датчика экстремальных температур обусловлена тем, что стационарное значение его пикового тока, измеренное при фиксированной температуре Тр зависит от температуры предварительной выдержки. Эта зависимость носит гистерезисный характер. Установлено, что для наличия гистерезиса пикового тока существенной является операция сплавления, имеющая место при изготовлении туннельных диодов. Другие операции, определяющие модификацию технологии, такие, как вытравливание мезаструктуры, формирование омических контактов и т.д., не оказывают заметного влияния на гистерезис пикового тока. Туннельные диоды, р - п переходы которых сформированы сплавлением, обладают значительным (до 6%) гистерезисом пикового тока. (Гистерезис пикового тока для приборов с р - п-переходом, изготовленным эпитаксией, при тех же условиях не превышает 0,2%). На фиг. 1 показан температурный ход гистерезисных кривых для пикового тока сплавного туннельного диода из GaAs; на фиг. 2 - калибровочная кривая для измерения экстремальных (минимальной или максимальной) температур; на фиг. 3 - схема устройства для измерения пикового тока туннельного диода. Если туннельный диод выдержать при некоторой минимальной температуре Та и снять зависимость пикового тока J от температуры, изменяя ее от Та до некоторой произвольной величины Tj, большей обратно, то получим гистерезисную кривую (цикл Та-г-Tj- Та), приведенную на фиг. 1 (стрелками обозначен порядок изменения температуры). Повторяя циклы до новых максимальных температур Т{ (вплоть до Тк) получаем семейство гистерезисных кривых. При этом участки гистерезисных кривых, соответствующие понижению температуры от Tj до Та, нигде не пересекаются между собой и имеют одну общую точку при Т. Видно, что пиковый ток 3 (Tj), измеренный при некоторой фиксированной температуре TO, однозначно соответствует максимальному значению температуры Т для каждого цикла, что может быть представлено в виде калибровочного графика для измерения максимальной температуры (кривая на фиг. 2). Для сложного цикла Тд- Tj- , где TJ .(, содержащего -внутренний цикл T., величина пикового тока, измеренного при температуре , не зависит от параметров внутреннего цикла, а определяется, как и для цикла ,, максимальной температурой Т/. Для практического измерения максимальной температуры предварительно прокалиброванный туннельный диод необходи.мо выдержать в течение нескольких секунд при температуре жидкого азота Т для «стирания его памяти к предшествующей высокой температуре и затем разместить на контролируемом объекте или в среде. При этом предполагается, что измеряемая температура не выходит за пределы TO - TK. После окончания испытаний туннельный диод извлекают и термостатируют при температуре TO. По завершении процессов релаксации измеряют величину пикового тока tf и, пользуясь калибровочным графиком (фиг. 2) для температуры TO, определяют значение той максимальной температуры, которой достигал контролируемый объект за все время испытаний. Калибровочный график (для измерения минимальных температур строится с помощью семейства аналогичных гистерезисных кривых (циклов на фиг. 1), участки которых, соответствующие возрастанию температуры от Ti до Т|, нигде не пересекаются и имеют одну общую точку при Тц. Для таких циклов пиковый ток J(Ti ) туннельного диода, измеренный при температуре Т , величина которой лежит заведомо выше интервала контролируемых температур, однозначно соответствует минимальной температуре Ti для каждого цикла. Методика измерения минимальных температур аналогична описанной методике из.мерения максимальных температур, за исключением того, что калиброванный туннельный диод перед размещением на контролируемом объекте выдерживают при температуре жидкого азота Тд, а затем при . Так как форма кривой гистерезиса определяется тремя температурами Т, TO и Тц, то изменение одной из них приводит к изменению формы гистерезиса и требует новой калибровки прибора.

Воспроизводимость величины пикового тока туннельного диода при многократном циклировании не хуже 0,06 % при величине гистерезиса 2%. Погрешность измерения экстремальных температур 2°С.

Информация о величине максимальной температуры в предложенном датчике может храниться более 20 сут. Время запоминания не превосходит 5 с.

Регистрация пикового тока туннельного диода не вызывает значительных технических трудностей и может быть осуществлена, например, с помощью устройства, схема которого приведена на фиг. 3.

Устройство содержит генератор 1 пилообразного напряжения , выполненный по схеме интегратора на операционном усилителе 2 с источником 3 опорного напряжения, подключенным к входу операционного усилителя 2 через токоограничивающий резистор 4, и конденсатором 5, включенным в цепь отрицательной обратной связи операционного усилителя 2, эмиттерный повторитель 6, выполненный на транзисторе 7 и резисторе 8 и включенный на выходе интегратора, туннельный диод 9 и измерительный резистор 10, размещенный в термостатируемом объеме II, управляемые ключи

12и 13 и регистрирующий прибор 14, в качестве которого можно использовать цифровой вольтметр с классом точности не ниже 0,01.

Запуск генератора ocyщecтвJtSeтcя размыканием ключа 12, блокирующего интегрирующий конденсатор 5. Одновременно ключ

13подключает последовательно соединенные туннельный диод 9 и резистор 10 к выходу эмиттерного повторителя 6. Токовый сигнал измеряется непрерывно регистрирующим прибором 14, подключенным к измерительному резистору 10; момент прохождения током максимального значения регистрируется визуально, либо запоминается

регистрирующим прибором 14, если последний работает в соответствующем режиме индикации.

Применение туннельных диодов в качестве датчика экстремальных температур позволяет существенно упростить процесс изготовления таких датчиков, миниатюризировать их (размер туннельного диода может не превыщать 0,5 мм) и устранить дополнительные расходы на разработку вторичной измерительной аппаратуры.

Похожие патенты SU1075085A1

название год авторы номер документа
Магнитный датчик максимального тока 1980
  • Гречко Эдуард Никитович
  • Голубев Виталий Владимирович
  • Фирсов Олег Иванович
SU890258A1
Устройство для задания и измерения пикового тока туннельных диодов 1979
  • Антанавичюс Римантас Пятро
  • Масюлис Ионас Ионо
  • Мачюлайтис Чесловас Владо
  • Шахтинов Николай Андреевич
SU894614A1
СПОСОБ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ИЗДЕЛИЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2009
  • Горкунов Эдуард Степанович
  • Задворкин Сергей Михайлович
  • Кузеванов Владимир Федорович
  • Носов Юлий Платонович
  • Романов Михаил Касьянович
RU2411516C1
Устройство для определения экстремальной точки температурно-частотной характеристики кварцевых резонаторов 1979
  • Мельников Аркадий Алексеевич
  • Свистунов Валерий Николаевич
  • Чумаков Александр Александрович
SU855941A1
Способ селективного контроля глубины и качества поверхностного упрочнения изделий из ферромагнитных материалов 2022
  • Костин Владимир Николаевич
  • Василенко Ольга Николаевна
  • Бызов Александр Викторович
  • Ксенофонтов Данила Григорьевич
RU2782884C1
Способ тепловой дефектоскопиииздЕлий 1979
  • Романченко Анатолий Федорович
SU817567A1
Устройство для измерения усилий 1981
  • Вилисов Анатолий Александрович
  • Вяткин Анатолий Петрович
  • Криворотов Николай Павлович
  • Рябцев Александр Павлович
  • Щеголь Сергей Степанович
SU993056A1
Устройство активного контроля 1973
  • Нивиков Виктор Юльевич
  • Сазонов Вячеслав Викторович
SU450710A1
Способ измерения сложных механических деформаций с помощью аморфной металлической ленты и устройство для калибровки чувствительного элемента 2018
  • Гришин Александр Михайлович
  • Севериков Василий Сергеевич
  • Игнахин Владимир Станиславович
  • Секирин Игорь Всеволодович
RU2708695C1
Устройство для измерения максимальной магнитной проницаемости ферромагнитных образцов 1988
  • Водеников Сергей Кронидович
SU1636818A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 075 085 A1

Реферат патента 1984 года Датчик экстремальных температур

Применение туннельного диода в качестве датчика экстремальных температур. (Л сд о СХ) ел

Формула изобретения SU 1 075 085 A1

J

То

Т

Тк

Те Ti фиг 2

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1984 года SU1075085A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
ДИЛАТОМЕТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ 0
  • П. Я. Баевский, Г. А. Бур Ков М. А. Новик
SU405029A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Патент США № 4034698, кл
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Способ гальванического снятия позолоты с серебряных изделий без заметного изменения их формы 1923
  • Бердников М.И.
SU12A1

SU 1 075 085 A1

Авторы

Калинин Юрий Михайлович

Вилисов Анатолий Александрович

Вяткин Анатолий Петрович

Криворотов Николай Павлович

Даты

1984-02-23Публикация

1982-03-30Подача