Процесс формовки полупроводниковых, в частности селеновых, элементов, обычно производится путем включения их в цепь формующего тока последовательно с добавочными сопротивлениями, не регулируемыми в процессе формовки. Добавочные сопротивления служат для ограничения величины тока, особс но в начале процесса формовки, когда обратное сопротивление се.пеновы.х элементов мало.
При таком способе формовки значительная часть электроэнергии непроизводительно рассеивается в балластных сопротивлениях, происходит нежелательное повышение температуры в производственном помещении, а характеристика форлювочного тока является падающей, что не дает возможности осуществить оптимальные условия формовки.
Для устранения этих недостатков и обеспечения автоматического регулирования режима формовки путем повышения напряжения на
формуемом элементе но мере увеличения его обратного сопротивления пред.1агаетея, сог.часно пзобретению. применить в качестве добавочного сопротивления дроссель с подмагничиванием, управляющая обмотка которого питается выпрям,1енпым током, пропорциональным панряжепию на элементе.
На че11теже изображена принципиальная нред.тагаемого устройства.
Последовате,1ьпо с формуемыми элементами 7 включаются небольшие прово.точные сонротнв.чения 2 (предотвращающие короткое замыкание источника тока при неправильной установке элементов / и наличии в них внутренних коротких замыканий) и дроссель 3 с подмагпичивапием. Управ.чяющая обмотка 4 этого дросселя питается от выпрямителя 5 током, пропорциональным напряжению формуемьтх элементов .
Таким образом, по мере роста обратного соиротивления формуемых эле.мснтов автоматически, путем снижения индуктивности дросселя 3, повышается напряжение, подаваемое на формуемые элементы, что является весьма благоприятным с точки зрения условнй формовки. Реостат 6 позволяет регулировать величину подмагничивающего тока дросселя 3, что )юзволяет получить различные формовочные характеристики.
Для того, чтобы предотвратить вредный подогрев формуемых элементов прямЫ М током, они шунтированы включенным навстречу вентилел 7, пропускаюп1им псч|1ормуюш.ю iio;i Bo,THv тока.
ки полупроводниковых, в частности селеновых, элементов, включае.мых в цепь формующего тока последовательно с добавочным сопротивлением, отличающееся тем, что, с целью поддержания неизменной величины формующего тока путем автоматического повышения напряжения на формуемом э.тементе по мере увеличения его обратного сопротивлепия, в качестве указанного сопротивления применен дроссель с подлгагничиванием, унрав.тяющая обмотка которого питается выпрямленным током, пропорииопальным папряжению на э.лементе. 2. Устройство по п. 1, oT.iHч а ю щ е е с я тем. что, с не. нредотвран1,ения вредного подогрева формуемого элемента прямым током, он шунтирован вк.иоченным встречно венти.тем, пропхскаюни.: 1 е с) о р м у К) ту ю II 0.1 у в о.п у т о к а.
