Способ изготовления аподизирующих диафрагм Советский патент 1985 года по МПК G02B5/20 

;о

00

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЬЯИЯ АПОДИЗИРУЮЩИХ ДИАФРАГМ,включающий облучение прозрачной заготовки ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления и уменьшения числа бракованных изделий, ионизирующей радиацией облучают всю заготовку, после чего ее центральную рабочую зону просветляют ультрафиолетовым излучением.

- -..v I

х

сриг. 1 Изобретение относится.к области оптических приборов, работающих в мощ ных лазерных установках, но может так же применяться для аподизации любого оптического излучения, например в астрономии, спектроскопии, микроскопии. Известен способ изготовления диафрагм, заключающийся в формировании отверстия в непрозрачном экране lj . Недостатком способа является то, что с его помощью невозможно изготовить диафрагму, пропускание которой плавно л,т еньшается от центра к краям В то же время для предотвращения самофокусировки, возникающей из-за дифракции в мощных лазерных установках необходимо использовать именно такой тип диафрагм. Наиболее близким к предлагаемому по своей технической сущности являет ся способ изготовления аподизирующих диафрагм, включающий облучение прозрачной заготовки ионизирующей радиацией 2 . Для создания требуемого профиля пропускания диафрагм на пути ионизирующего излучения перед облучаемым образцом помещаются экраны переменной толщины, изготовленные из вещест на, поглощающего ионизирующую радиацию (свинец в случае У-излучения и алюминий в случае электронных пучков Для создания слоев с профилирован ным пропусканием на краю апертуры в случае jj -установок требуются громоздкие свинцовые экраны переменной толщины. В связи со сложностью этого метода облучение образцов -с целью получения аподизирующих диафрагм ведется с помощью электронных пучков с энергией 1,5-5 МэВ. Однако при таком способе половина облученных, образцов разрушается изза невозможности стекания заряда из толщи диэлектрического образца (глубина проникновения электронов с энер гией Е 1,5-5 МэВ в стекло и прозрач ные кристаллы, используемые в оптике составляет 3-10 мм). В облученных материалах появляется либо разрушение, либо образуются дефекты структуры, выражающиеся в том, что возникает градиент показате ля преломления от центра к периферии образца, приводящий к ухудшению расходимости лазерного излучения на выходе диафрагм. Кроме того, при взаимодействии электронов с веществом образца возникает тормозное С -излучение, которое окрашивает центральную часть диафрагмы, снижая ее пропускание с 94% до 45%. Цель изобретения - упрощение процесса изготовления и уменьшение числа бракованных изделий. Цель достигается тем, что в способе изготовления аподизирующих диафрагм, включающем облучение прозрачной заготовки ионизирующей радиацией, ионизирующей радиацией облучают всю заготовку, после чего ее центральную рабочую зону просветляют ультрафиолетовым излучением. На фиг. 1 показана схема облучения заготовки ионизирующей радиацией; на фиг. 2 - ультрафиолетовым излучением. Предложенньй способ реализуется следующим образом. Вначале заготовку 1, выполненную из кристалла или стекла, облучают -излучением 2. При этом вся заготовка 1 темнеет. Для повышения равномерности заготовку можно вращать. Затем в ней высвечивают окно 3 посредством ультрафиолетового излучения 4. Для исключения попадания ультрафиолетового излучения на края диафрагмы, с торцовой стороны образца помещают тонкий экран 5 с отверстием, изготовленный из материала, поглощающего ультрафиолетовое излучение. Пример. Изготовливают мягкие диафрагмы из кристаллов . При облучении всего кристалла )р-излу- чением дозой 10 рад в заготовке наводят поглощение наА 1,06 мкм 2 см ). Пропускание заготовки на длине 27 мм составило 4,. После облучения ультрафиолетовым излучением источника ДКСШ-ЮОО с применением экрана из тонкой латунной фольги с отверстием 10 мм центральная часть диафрагмы стала пропускать 70%. Пропускание полученной диафрагмы меняется от 0,7 до 4,5 длине 2 мм, при этом изменение пропускания диафрагмы в 6 раз достигается на диаметре 0,7 мм. Таким образом, предлагаемый способ проще прототипа и позволяет снизить процесс брака.

/ / / / / I I /////, I

/ / / / I

J/ / I

1

4

1/

M

(JDl/g.f