Халькогенидное стекло для фотополупроводников Советский патент 1984 года по МПК C03C3/12 

Изобретение относится к халькогенидным стеклам и предназначено для использования в качестве фотопроводников в бессеребрянных ре гистрирующих средах для записи оптической информации. Известно халькогенидное стекло lj , включающее« вес.%: Указанное стекло используют для оптической герметизации полупроводниковых приборов. Опнако эти составы не могут быть использованы в качестве фотопроводящего слоя в конструкхщях фототермопластических носителей информации СФТПН) в связи с тем, что имеют низкую температуру размягчения 65-95 С. В настоящее время весьма перспек тивными бессеребрянными материалами являются фототермопластические носители информации (ФТПН), которые представляют собой многослойную кон струкцию, состоявшую из основы, электропроводящего фотопроводящего и термопластического слоев. Требования, предъявляемые к фото проводящему слою, связаны главным образом с его достаточно высоким темновым электрическим сопротивлением ( 10 Ом-см) и высокой чувствительностью, т.е. способностью изменять величину сопротивления под действием света заданного спектраль ного состава. Кроме того, материал фотопроводящего слоя цолжен быть технологичным в изготовлении. Наиболее близким к изобрете{шю по технической сущности и достигаемому результату является халькогенидное стекло, используемое в качестве фотопроводящего слоя в конструкциях ФТПН на основе твердого раствора халькогенидов мышьяка (As.S,)- (As,Se3)o.s t2j. Использование этого стекла позволяет достигнуть чувствительности Ю Дж/см. Однако для повышения контрастности записываемой информации необходимы фотополупроводники с большей чувствительностью. Цель изобретения - повышение фоточувствительности. Цель достигается тем, что халькогенидное стекло для фотополупроводников, включающее Аз, 8е, S, дополнительно содерз; Sb при следующем соотношении компонентов, ат.%: As30-40 Se22-37 S22-42 - / Sb, .- - 1-6-. . , Конкретные примеры составов приведены в табл.1. Т а б л и ц а 1 Свойства предлагаемых составов приведены В.тйбл.2. Та б л и Ц а 2

Халькогенидные стекла системы As - Se - S - Sb синтезируют в вакуумплотных кварцевых мпулах при максимальной температуре синтеза . В процессе синтеза осуществляют интенсивную гомогениза.цию расплавов путем вибрации и вращения ампул с расплавками. Синтезируемые стекла оГличаются однородностью и не содержат кристаллических включений. Они достаточно технологичны и фотопроводящие слои на их основе получают ва1 уумтермическим напылением при сравнительно низких температурах 390-l 20 C. Удельное элек1002534

трическое сопротивление в темноте (Рт) У предложенных стекол находится .на уровне известного и составляет порядка 3,9-6,4-10 Омсм, - а один из важных параметров - электрофотографическая .чувствительность (S) к излучению с Л 5АОн|и,,на порядок выше, чем у известного сос/тава и составляет (2,8-5)-10 к/см.

Использование предложенных составов халькогенидных стекбл в качестне фотопроводящего слоя позволяет получить конструкции ФТПН длязаписи голографической и аналоговой информации с высокой чувствительностью.

ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО ДЛЯ ФОТОПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающее As, Se, S, отличающееся тем, что, с целью повышения фоточувствительлости, оно дополнительно содержит Sb при следующем соотношении компонентов, ST.,: As30-40 Se22-37 S22-42 Sb1-6 г С/)