Способ измерения толщины полупроводниковых слоев материала Советский патент 1984 года по МПК G01B7/06 

9

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ МАТЕРИАЛА ПО авт.св. О 697801, отличающийся Тем, что, с целью повышения точности и расширения пределов измерения толщины многослойных материалов, на исследуемом материале под жидкостньал электродом создают косой срез и после пропускания импульса электрического тока между материалом и жидкостным электродом измеряют расстояния между границами, соответствующими областям выброса вещества различных слоев.

:о сл

00 Изобретение относится к измерительной технике и может быть исполь зовано для контроля параметров полупроводниковых материалов при их изготовлении. По авт.ев, № 697801 известен спо соб измерения толщины полупроводник вых слоев материала, заключающийся в том, что пропускают импульс элект рического тока между материалом и жидкостным выпрямляющим электродом и измеряют глубину микроскола, вызванного локальным тепловым выбросом вещества ClJ. Недостатком известного способа являются недостаточно высокие точность и предел измерения. . Целью изобретения является повышение точности и расширение предело измерения толщины многослойных материалов . Поставленная цель достигается тем, что согласно способу на исследуемом материале под жидкостным эле тродом создают косой срез и после пропускания импульса электрического тока между материалом и жидкостным электродом измеряют расстояния межд границами, соответствующими областя выброса вещества различных слоев. Способ осуществляется следующим образом. На кромке измеряемой пластины изготавливают микроскопический косой срез, например, погружением образца в химический травитель. На поверхности косого среза устаь авливают жидкостной выпрямляющий электрод, вспомогательный электрод устанавливают в произвольной точке образца. Через электрод на срезе пропускают импульсный ток (например, 1-3 импульса) в запирающей контакт полярности (например, отрицательная полярность при электронной проводимости полупроводника) и с разностью потенциалов, превышающей напряжение пробоя полупроводника. Пропусканием тока через полупроводниковые слои в площади электрода создают резкий градиент температуры, направленный к поверхности среза, который пропорционален электропроводности слоев. Наличие теплового градиента, , вызванного лавинным током, приводит к локальной возгонке вещества в виде множества микросколов и с плотностью, пропорциональной электропроводности слоев, что обеспечивает формирование в площади контакта светового контраста, обозначающего геометрические размеры слоев.