Блок формирования тока продвижения для доменной памяти Советский патент 1984 года по МПК G11C11/14 

;о о

00

Изобретение относится к запоминающим устройствам вычислительной техники на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известно устройство, содержащее источник магнитного поля вращения, четыре попарно последовательно соединенных ключа, образующих мостовую схему включения, источник питания, подключенный к одной диагонали этой мостовой схемы, в другую диагональ подключен источник магнитного поля вращения 1.

Недостатками известного устройства являются малая точность формирования тока и больщой объем оборудования.

Наиболее близким рещением по технической сущности к предложенному является устройство, содержащее два последовательно соединенных ключа, выполненных на транзисторах разной проводимости. Параллельно каждому из транзисторов включены ограничительные элементы в виде обратносмещенных диодов. Имеется два последовательно соединенных источника питания и источник магнитного поля вращения в виде катущки индуктивности, подключенной к шине нулевого потенциала и коллекторам обоих транзисторов. Базы транзисторов являются управляющими входами блока формирования тока продвижения. Накопительные элементы в виде конденсаторов, одни обкладки которых подключены к щине нулевого потенциала, а другие к эмиттерам соответствующих транзисторов 2.

Недостатком прототипа является нессимметричность тока в источнике магнитного поля вращения, связанная с неравенством величин напряжения источников питания.

Цель изобретения - повыщение точности формирования тока продвижения.

Поставленная цель достигается тем, что в блок формирования тока продвижения для доменной памяти, содержащий два последовательно соединенных ключа, выполненных на транзисторах разной проводимости, параллельно каждому из которых включены ограничительные элементы в виде обратносмещенных диодов, два последовательно соединенных источника питания и источник магнитного поля вращения в виде катущки индуктивности, подключенной к щине нулевого потенциала и коллекторам обоих транзисторов, базы которых являются управляющими входами блока формирования тока продвижения, накопительные элементы в виде конденсаторов, одни обкладки которых подключены к щине нулевого потенциала, а другие к эмиттерам соответствующих транзисторов, введены два стабилизирующих элемента в виде прямо-смещенных диодов, каждый из которых включен между соответствующими источником питания и эмиттером транзистора.

На чертеже приведена схема блока формирования тока продвижения для доменной памяти через одну из катущек.

Формирователь тока продвижения для доменной памяти состоит из двух последовательно соединенных ключей 1, 2, выполненных на транзисторах 3, 4 разной проводимости. Параллельно каждому транзистору включены ограничительные элементы

Q в виде обратно-смещенных диодов 5, 6, два источника питания 7 и 8 соединены последовательно между собой. Источник магнитного поля 9, в виде катушки индуктивности, включен между щиной нулевого потенциала 10 и коллекторами транзисторов 3 и 4. Ба5 зы транзисторов соединены с управляющими входами И и 12 блока формирования тока 13. Накопительные элементы 14 и 15 включены между щиной нулевого потенциалла и эмиттерами соответствующих транзисQ торов. Два прямо-смещенных диода 16 и 17 включены между соответствующими источниками питания 7 и 8 и эмиттерами транзисторов.

Устройство работает следующим образом.

5 в исходном состоянии накопительные конденсаторы заряжены до напряжения источников питания через диоды 16 и 17, а ключи 1 и 2 - закрыты. Период формирования тока продвижения ЦМД на одну позицию

Q хранения разбиваем на четыре части. В течение первой части периода источник магнитного поля 9 подключается к положительному источнику питания 7. Происходит заряд источника магнитного поля нарастающим током и подразряд конденсатора 14. Во

5 вторую часть периода ключ 1 запирается сигналом, поступающим по управляющему входу И с блока формирования тока 13. Накопленная магнитная энергия в источнике магнитного поля через диод 6 поступает на заряд конденсатора 15. Напряжение заряда этого конденсатора совпадает с полярностью ЭДС самоиндукции. Заряд конденсатора происходит только в том случае, если напряжение ЭДС самоиндукции больще, чем напряжение источника питания 8. В тре5 тью часть периода сигналом, поступающим по управляющему входу 12 с блока формирования тока 13, включается ключ 2. Источник магнитного поля 9 подключается к отрицательному источнику питания 8. В катушке индуктивности происходит накапливание энергии магнитного поля. Б четверную часть периода ключ 2 выключается импульсом управления с блока формирования тока 13, источник магнитного поля отключается от цепи и на концах катущки возни5 кает ЭДС самоиндукции. Если ЭДС самоиндукции больще напряжения источника питания 7, то диод 16 запирается и энергия магнитного поля расходуется на подзаряд конденсатора 14 через диод 5.

При одинаковом напряжении источников питания величина заряда конденсаторов одинаковая и как следствие этого ток, протекающий по катушке индуктивности симметричен. При изменении величины напряжения одного из источников, например в сторону увеличения, меняется величина напряжения заряда связанного с ним конденсатора. Соответственно при этом изменяется величина ЭДС самоиндукции в катушке индуктивности, что приводит к подзаряду противоположного конденсатора. Напряжение на конденсаторах за счет периодических процессов стабилизируется, что повышает точность формирования тока продвижения.

Если коэффициент (К) симметричности тока продвижения для известного устройства запишем в виде

к- 1 -н л1

К -д1,

где Л - относительное изменение амплитуды напряжения от номинального значения.

В случае, если Д равно 10%, то К 22%. Ввведение стабилизируюших элементов, диодов между источниками питания и эмиттерами транзисторов приводит к тому, что коэффициент симметричности запишем

V i + л1

где § -относительное изменение амплитуды от номинального значения. Симметричность тока повышается на величину, определяемую по выражению

к с 1 . д

1)

KI - (-1- -в

Даже когда и о

симметричность тока возрастает более, чем в два раза.

БЛОК ФОРМИРОВАНИЯ ТОКА ПРОДВИЖЕНИЯ ДЛЯ ДОМЕННОЙ ПАМЯТИ, содержащий два последовательно соединенных ключа, выполненных на транзисторах разной проводимости, параллельно каждому из которых включены ограничительные элементы в виде обратно-смещенных диодов, два последовательно соединенных источника питания и источник магнитного поля вращения в виде катущки индуктивности, подключенной к щине нулевого потенциала и коллекторам обоих транзисторов, базы которых являются управляющими входами блока формирования тока продвижеН1)я, накопительные элементы в виде конденсаторов, одни обкладки которых подключены к щине нулевого потенциала, а другие - к эмиттерам соответствующих транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повыщения точности блока формирования тока продвижения, он содержит два стабилизирующих элемента в виде прямо-смещенных диодов, каждый из которых включен между соответствующими источниками питания и эмиттеi ром транзистора. (Л