Двухканальный формирователь тока для доменной памяти Советский патент 1987 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике н может быть использовано нри построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЗУ ЦМД).

Цель изобретения - повышение надежности формирователя тока.

На фиг. 1 и 2 нредставлены блок-схемы формирователя тока; на фиг. 3 и 4 - графики работы.

Двухканальный формирователь тока для доменной памяти содержит четыре шины 1-4 управления, два разнополярных источника 5 и 6 питания, два источника 7 и 8 магнитного поля вращения микросхемы, включенных в два одинаковых канала формирования тока. Каждый канал содержит два управляемых основных ключа 9-12, два диода 13-16 рекуперации энергии, два до- нолнительных ключа 17-20 и два дополнительных разнополярных источника 21-24

ного источника 22 питания на величину открывания диода 14 рекуперации энергии и падения напряжения на открытом ключе 18.

В источнике магнитного поля вращения микросхемы формируется спадающий сигнал, обусловленный разрядом энергии. Скорость изменения спадающего сигнала характеризуется величиной энергии и постоянной времени индуктивного и активного сопротивлений цепи разряда, определяемой соотношением. Постоянная времени цепи разряда не меняется, а затраты энергии с изменением величины напряжения дополнительного источника питания меняются, при этом из- ,г меняется скорость изменения спадающего сигнала. На графике (фиг. 4) показано, что при изменении величины напряжения питания дополнительного источника от U1 до из скорость изменения спадающего сигнала (кривая 27) увеличивается (кри10

25

питания. В каждом канале формирования 20 вая 28) и достигает максимума (кривая 29)

при напряжении дополнительного источника питания из , равном напряжению источника 6 питания основного ключа.

На кривой формируемого тока наблюдается ступенька (кривая 25, фиг. 3), обусловленная максимальной скоростью разряда. В случае, если , скорость разряда уменьщается и на кривой формируемого тока наблюдается обратный перегиб (кривая 26). Выбирая величину напряжения дополнительного источника питания, устраняют нелинейность при формировании тока в источнике магнитного поля вращения (кривые 7 и 8).

В третью четверть сигнал управления по тине 4 открывает основной ключ 10, а остока два управляемых основных ключа соединены последовательно и подключены к двум основным разнополярным источникам питания, образовав при этом мостовую схему. В диагональ мостовой схемы между точками соединения ключей 9-12 и источников 5 и 6 питания подключен источник 7 и 8 магнитного поля вранления микросхемы. К точке соединения ключей с источником магнитного поля вращения подключены анод первого 13, 15 и катод второго 14, 16 диодов через дополнительные ключи 17-20 к двум разнополярным дополнительным источникам 21-24 питания. Управляющие входы основных ключей 9-12 подключены к четным 2,4 (нечетным 1,3) щи30

нам управления, а управляющие входы до- , тальные ключи закрыты. Источник 7 магполнительных ключей 17-20 подключены к нечетным 1,3 (четным 2,4) шинам управления.

Двухканальный формирователь тока для доменной памяти работает следующим образом.40

Для формирования пространственного вращения вектора магнитного поля период формирования разбивают на четыре равных части. Каждый сигнал управления поступает по своей шине управления как показано на эпюрах сигналов (фиг. 3). При поступлении разрешающего сигнала по тине 2 управления на вход управления ключа 9 источник 7 магнитного поля вращения микросхемы подключается к источнику 5

нитного поля вращения подключается к источнику 6 питания и происходит накопление энергии. В последнюю четверть периода открывается ключ 17 и через диод 13 и ключ 17 осуществляется разряд энергии.

В дальнейшем процессы формирования тока повторяются. Формирование тока во втором источнике магнитного поля вращения происходит аналогично с учетом того, что сигналы управления сдвинуты на четверть периода для обеспечения вращения вектора магнитного поля.

В качестве дополнительных ключей используются транзисторы разного типа проводимости, эмиттеры которых подключены к дополнительным источникам питания инверсФормула изобретен

питания и происходит накопление энергии, Q ного включения транзисторов сопровождающееся нарастанием сигнала (кривая 7, фиг. 3). В следующую четверть периода основной ключ 9 запирается, но сигнал управления по шине 3 поступает на вход дополнительного ключа 18, который открывается. При отключении источ- 55 ника магнитного поля вращения от источника 5 питания на его выходных выводах возникает ЭДС противоиндукции. Величина этой ЭДС больще напряжения дополнитель1. Двухканальный форми для доменной памяти, каждый го содержит два последовател ных управляемых ключа, упра ды которых являются входам записи формирователя тока, ключа соединен с источником

ного источника 22 питания на величину открывания диода 14 рекуперации энергии и падения напряжения на открытом ключе 18.

В источнике магнитного поля вращения микросхемы формируется спадающий сигнал, обусловленный разрядом энергии. Скорость изменения спадающего сигнала характеризуется величиной энергии и постоянной времени индуктивного и активного сопротивлений цепи разряда, определяемой соотношением. Постоянная времени цепи разряда не меняется, а затраты энергии с изменением величины напряжения дополнительного источника питания меняются, при этом из- г меняется скорость изменения спадающего сигнала. На графике (фиг. 4) показано, что при изменении величины напряжения питания дополнительного источника от U1 до из скорость изменения спадающего сигнала (кривая 27) увеличивается (кри0

0 вая 28) и достигает максимума (кривая 29)

нитного поля вращения подключается к источнику 6 питания и происходит накопление энергии. В последнюю четверть периода открывается ключ 17 и через диод 13 и ключ 17 осуществляется разряд энергии.

В дальнейшем процессы формирования тока повторяются. Формирование тока во втором источнике магнитного поля вращения происходит аналогично с учетом того, что сигналы управления сдвинуты на четверть периода для обеспечения вращения вектора магнитного поля.

В качестве дополнительных ключей используются транзисторы разного типа проводимости, эмиттеры которых подключены к дополнительным источникам питания инверсФормула изобретения

ения транзисторов

ного включения транзисторов

1. Двухканальный формирователь тока для доменной памяти, каждый канал которого содержит два последовательно соединенных управляемых ключа, управляющие входы которых являются входами разрешения записи формирователя тока, выход одного ключа соединен с источником питания отринательной полярности, выход другого - с источником питания иоложительной полярности, источник магнитного поля в виде катушки индуктивности и два буферных элемента на диодах, анод первого и катод второго которых подключены к точке соединения управляемых ключей и одному выводу катуп ки индуктивности, второй вывод которой подключен к шине нулевого потенциала формирователя тока, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности формирователя тока, он содержит в каждом канале два дополнительных управляемых ключа VJ два дополнительных разнополяр- ных источника питания, выходы дополнительных управляемых ключей подключены соответственно к катоду первого и а но

ду второго диодов, входы дополнительных управляемых к, 1ючей нодк.чючены к соответствующему выводу донолните.чьного источника питания, а управляюн1,ие входы дополнительных управляемых ключей подк,чю- чены к соответствующим у1фавляюни1м входам связанных с ними уирав. 1яемых ключей.

2.Формирователь тока по н. 1, отличающийся тем, что дополнительные управляемые ключи выполнены на транзисторах разной проводимости.

3.Формирователь тока ио н. 1, отличающийся тем, что напряжение дополнительных разнополярных источников иитания изменяется от нуля до напряжения питания управляемых ключей.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЗУ ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности формирователя тока. Устройство содержит четыре шины 1-4 управления, два разнополярных источника 5 и 6 питания, два источника 7 и 8 магнитного поля враш.ения микросхемы, включенных в два одинаковых канала формирования тока. Каждый канал содержит два управляемых основных ключа 9-12, два диода 13-16 рекуперации энергии, два дополнительных ключа 17-20 и два дополнительных разнополярных источника 21-24 питания. В качестве дополнительных ключей используются транзисторы разного типа проводимости, эмиттеры которых подключены к дополнительным источникам питания инверсного включения транзисторов. 2 з. п. ф-лы, 4 ил. 1 (Л оо со О5 Риг.1

-ЕЧ 22

27

раъряд