Мишень деформографической проекционной электронно-лучевой трубки Советский патент 1989 года по МПК H01J29/10 

-f- + +

J.

ГУП

4ib СО М Од СЛ СО

Ичобретеиие относится к (лггозлек- 1 ропикп, а именно к элементам устройств записи информации на (JKITOOH- п .ческой мишени с иомоии-ю элокгрси - ио-лученсм адресшин, и может б)1Ть иснол1,лоиано и системах отображения информании на большой экрли, в системах о1гтическ(5Й обработки информации и других оОластлх науки и тех-

1П1КИ,

Целью изобрс тения яолметсп иовм- шсние чувствительности мишеии и ее

б111СТрОДСЙСТ Л1Я .

На чертеже схематически изображе- на мишень.

ишеит. co;uM Kii i ди лектричс:с1 у1а ио/.уюкку 1, на одной и-з сторон кото- poii расположен :1ло1строд 2 в виде сетки, на KoTopiiii нодаетс.ч yi i.opHio- относител 1,110 i;aTo;ia электронио- дучеио трубки (J lT) иотеиииш, ио- верх электрода 2 расг1(хг1ож(М слой 3 де(1к: рмируемого материапа, на иоверх- ности которого нанесен слой А с ме- тал.пической проводимостью. Запись производится электронным лучом 5 со сторочы подложки 1.

Электростатическое изображение записывается па свободиой поверхности диэлектрической подложки 1 с помои(ью модулированного электро1И1ого луча 5, который ускоряется иод действием высокого напряжения, нриложенного между катодом ЭЛТ и реше гчатым или сет- чатым электродом 2. Наиесенный заряд и сетчаты или ре1петчат)|й электрод 2 создают распределение электрического иоля, силовые ли}П1и icoToporo проникают сквозь яче1иси электрода 2 и, взаимодействуя со связанными зарядами деформируемого слоя 3 и свободными зарядами спои 4, деформируют cnofi 3 вместе с тонкой пленкой- слоем 4.

Воспроизведение изображения, эаиисапного в виде новерхностного рельефа, осуществляется с помощью оптической проекп. ш.мирен-систе- мы, которая преобразует фазовую мо- дулнцию светового потока, которая производится (вишенью, в модуляцию по интенсивности. Стирание записанной на мишени HHiJiopnauHH осуществляется электронным лучом, энергия электро- нов котор(тго такова, что на диэлект- рическо 1 г млло-д се 1 осаждаются заряды, пей : рамизирукдцне заряды электро- статиче ч.о Г 113об11ажения .

-1

5 ivaneri Bc иример.ч реализании можно 1рсл11п;иггь |Ьа-юогп ическуш мишень, в качестве ди-))иче ской подложки испольчуотпя слюда толщиной 10мкм. 1пектрг1д 2 г)1; полняется из про)одя1цей ироз11ачио| 1 пленки SnO Tojiiuiinoii 200 Л из (зто1ип1 методом фотолитографии образуе|-ся рсмметчатая структура с пирипси полосок 5 и расстоя1И1ем между ними мкм.

В качестве деформируемого слоя примеияетсл г елг обрлтнос упругое ве- щест во па (jcnooe слабо структуриро- ваиного по.пиорганосилоксапового каучука, тол1иина этого слоя связана с пе 1иодом пов орения peuieT ia r oi стру- КТУ15Ы элек1)о,чл 2 и составляо 4- 5 мкм. (1пой с гютал.чическо проводимостью ТРЛГДИНОЙ 50 Л созд.апался методом (-скс)1-( папыпепия золо 1-а шиоми1И1я или SnOi если мипеиь работает и.ч )св( Т, серебра, если мишень работает на отражение.

Устройство может работать как на отраже1И1е, так и на просвет. В первом случае слой 4, нанесенный на поверхность деформируемого слоя. Должен обладать хорошими отражающими свойствами. этого его следует выполнять в виде тонкой серебряной пленки. Мишень может работать и на пропускание. Д.чя этого пленку выпол пяют из тонкого слоя золота или наиболее прозрачного окисного покрытия ITO ( -t- SnOr2). Из этого же состава следует выполнить и сетчатый или решетчатый электрод. Эксперименты показали, что при толщине элект- 1юда 150 Л и периоде повторения решетчатой стру.ктуры 25 мкм- интенсивность света, дифрагировавшего в первый порядок, составляет приблизительно сотую часть света в нулевом порядке дифракции. Такой сетчатый или решетчатый электрод не ухудшает контрастность изображения на проекционном экране.

Чувствительность мишени определяется величиной пондеромоторных сил, действующих на единичную поверхность деформируемой среды, при единичной плотности поверхностного заряда на диэлектрической подложке. Величина пондеромоторпых сил зависит от величины заряда на границе раздела де- | юрмируемый слой - вакуум.

Если поверхности деформируемого слоя придать металлические свойства

5

о с помоныо тонкой 100 - 200 Л пленки,

имеющей металлический тип проводимости, к связаин|)1М 3 арядам .добавляются свободные sajMi ibi металлизированиоГ поверхности. Сила их взаимодействия с полем существенно возрастает, л это именно та сила, которая деформирует поверхность деформируемого слоя Поэтог-fy введение тонкой пленки с металлической проводимостью cyi:iccT- венно иовьппает деформационную чувствительность предпагаемой мишени по сравнению с известными устройствами.

А

9 76 53

Ф о р м у л а и 3 о б р е т е н и я

Мишень де|( ОР - огра(1;1ческой проскци- 01И1ОЙ электронно-лучевой трубки, содержащая диэлектрическую подложку, на одной из сторон которой последо- патель)1о расположены электрод в форме сетки и слой деформируемого материала, о т л и ч а ю ц а я с я тем, 10 , с целью .п11сни,ч чувствительности и быстродействия, она содержит сло11 с мет,-1л.ги1ческой проводимостью, располо;кениы1 1 н;i слое де(1юрмируемого материала.

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано ,в частности, в системах отображения информации на большой экран, в системах оптической обработки информации. Мишень содержит диэлектрическую подложку 1, на одной из сторон которой расположен электрод 2 в виде сетки, на который подается ускоряющий относительно катода электронно-лучевой трубки потенциал. Поверх электрода 2 расположен слой 3 деформируемого материала, на поверхность которого нанесен слой 4 с металлической проводимостью. Запись производится электронным лучом 5. В качестве деформируемого материала используют гелеобразное упругое вещество на основе слабо структурированного полиорганосилоксанового каучука. Мишень работает на отражение и на просвет и имеет повышенные чувствительность и быстродействие. 1 ил.