Элемент оптической памяти Советский патент 1990 года по МПК G11C11/42 

S

(Л

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к опто- электронным системам хранения и обработки информации.

Цель изобретения - расширение спектрального диапазона оптической чувствительности элемента оптической памяти,

На чертеже изображен элемент опти- ческой памяти.

На чертеже показаны пучок 1 света, несущий информацию, прозрачная ди- i электрическая подложка 2, полупрозрачные электроды 3 и 4, полученные термическим испарением, слой 5 органического фотополупроводника, обладающего фотоэлек ретным и пироэлектрическим эффектом при отсутствии внешнего электрического поля, и счи- тываюций пучок 6 света.

Элемент оптической памяти работает следующим образом.

При прохождении пучка света, несущего информацию.1, через диэлектри- ческую подложку 2 и полупрозрачньй электрод 3 в активном слое 5 создается фотоэлектретное состояние (оптическая память), характер распределения которого воспроизводит форму пуч- ка света, несущего информацию. Считы- вающий ИК-свет (пучок 6 света), вызывает пироэффект в активном слое 5, сигнал которого в кажцой точке органического фотопироэлектрика определяется величиной фотоэлектретного состояния и пи- роэффекта.

Запись и считывание оптической информации можно производить также через один из прозрачных электродов 3

или А.

Активный слой из фотопироэлектрика позволяет многократное считывание оптической информации в широком диапазоне длин волн считывающего пучка света при однократной записи информа- ции. Одновременно такой активный слой устраняет необходимость во внешнем источнике электрического поля в связи с тем, что в органических фоточувст-

вительных пироэлектриках спектрально распределение пироэлектрического эффекта частично перекрывается о длин- новолновой примесной фотопроводимост в видимой области спектра. Этот факт дает возможность при импульсном облучении из области спектров перекрытия

фотопроводимости и.пироэффекта создавать неравновесные носители, которые

Q

д

5 . Q

5

под действием возникшего пироэлектрического поля смещаются, а захватыва- ясь локальными центрами создают неоднородное распределение носителей, вследствие чего образуется фотоэлек- третное состояние, т.е. оптическая память в фотопироэлектрике, величина которого в каждой точке будет определяться экспозицией пространственно распределенного света и величиной пироэлектрического поля. Время действия света при записи информации не должно превьппать тепловой постоянной пироэффекта. В противном случае за время превышающее тепловую постоянную будет разрушаться оптическая память. При использовании в качестве активного слоя 4-нитро-А-аминодифенила толщиной 0,3-1 мкм тепловая постоянная изменяется от 10 с до 10 с в зависимости от толщины пленки, вида диэлектрика и его толщины, который используется в качестве подложки.

При считывании оптической информации инфракрасным светом (ИК) длиной волны в диапазоне 1-1А мкм, вызывающим только пироэффект, величина пироэлектрического сигнала определяется истинным пироэф(})ектом и потенциальным рельефом фотоэлектретного состояния, отображаю1дего записанную оптическую информацию. Время считывания оптической памяти также определяется тепловой постоянной пироэффекта.

Время существования фотоэпектрет- ного состояния определяется температурой фотопироэлектрика, глубиной залегания локальных центров и сечением захвата ими носителей. Так фотоэлектретное состояние-в А-нитро- 4-аминодифениле существует в темноте при комнатной температуре на протяжении 2-3 сут и более, а при понижении температуры, до 220 К, что легко достигается с помощью микрохолодильников, неограничено долго. Стирание записанной информащш можно произвести светом, вызывающим фотопроводимость, повышением температуры, а также светом, освобождаклдим носители с локальных центров. Формула изобретения

1. Элемент оптической памяти, содержащий прозрачную диэлектрическую подложку, .la порерхпости которой последовательно размедцены первый прозрачный электрод, светочувствительный

i1617459

г Фпями я ОТСУТСТВИИ внешнего электри- запоминающий слой и второй прозрач- , ствами в отсутствии

иьй электрод, отличающий- ПлеГн; по п. 1, о т л и я а ю - с я тем, что. с целью расширения 2 Элемент по п. ,

спектрального диапазона оптической щ и и с я тем, „„..„„„-ского чувствительности элемента, светочув- полупроводникового °Р ствительный запомииаиций слой выпол- материала, нен из фотополупроводиикового оргаии- ,°ГГнГн ПлГк иГеГого ческого материала, обладающего фото- 4-иитро-4-аминодифенил. электретным и пироэлектрическим свой- ю ° применен ч HHTI

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к оптоэлектронным системам хранения и обработки информации. Целью изобретения является расширение спектрального диапазона оптической чувствительности элемента оптической памяти. Элемент оптической памяти содержит прозрачную диэлектрическую подложку 2, полупрозрачные электроды 3 и 4, размещенный между ними слой органического фотополупроводника 5, обладающего фотоэлектретным и пироэлектрическим эффектом в отсутствии внешнего электрического поля. Слой 5 выполнен из 4-нитро-4-аминодифенила. 1 ил.