Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава Советский патент 1958 года по МПК C30B15/26 

Описание патента на изобретение SU113806A1

Методом кристаллизации по Штоберу выращивают целый ряд люминесцентных монокристаллов органических и неорганических веществ, имеющих невысокую температуру плавления и употребляемых для счета ядерных излучений. Обычно кристаллизация идет -со скоростью 3-6 мм, в час по высоте кристаллизатора, и ручное регулирование этого процесса приводит к большому браку монокристаллов.

Предлагается способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава, позволяющий управлять процессом распределеНИЯ примесей в растущем кристалле, а значит и каче;ством последнего.

Сущность способа заключается в изменении интенсивности радиоактивного излучения, попадающего на приемник излучения, при изменении границы раздела между жидкой и твердой фазами кристаллизуемого вещества. Способ осуществляется согла1сно следующей схеме (см. чертеж) .

Прямой пучок радиоактивного излучения от 7 -излучателя /, пройдя через кристаллизатор 2 и границу раздела твердой 3 и жидкой 4 фаз кристаллизуемого вещества, попадает в приемник излучения 5; сигнал усиливается усилителем 6 и попадает в электронный преобразо.ватель 7, где сравнивается с сигналом от эталонного устройства, состоящего из источника 8, приемника 9 излучения, кл ина-поглотителя 10 и усилителя //.

Скорость кристаллизации задается скоростью вращающихся от мотора 12 винтов 13, с помощью которых перемещаются источник и приемник- излучения. Если скорость процесса кристаллизации изменится, то изменится положение границы раздела твердой фазы и расплава. В этом случае изменится интенсивность попадающего на приемник излучения, а значит изменится разйостный сигнал на выходе электронного преобразователя. Этот сигнал, воздействуя на исполнительный механизм 14, перемещает сердечник индукционной катушки 15, являющейся задатчиком регулятора 16.

Регулятор будет изменять количество охлаждающей воды и снова приведет всю систему в равновесие. Описанный способ регулирования позволяет получать кристалль; нужного качества.

Предметизобретения

Способ автоматического регулирования npoueicca выращивания монокристаллов из расплава (по Штоберу), отличающийся тем, что автоматическое регулирование указанного процесса. производят по заданной (программной) желаемой скорости кристаллизации, устанавливаемой соответственным непрерывным перемещением прямого пучка радиоактивного излучения в направлении роста монокристалла, с пересечением в пути границы раздела жидкой и твердой фаз и контролируемой по положению границы раздела фаз этим же пучком с помощью измерения поглощения его в твердой и жидкой фазах и сравнения этого поглощения с эталонным, причем показатель разности в поглощении известным образом связан с устройством для измерения температурного режима кристаллизации.

Похожие патенты SU113806A1

название год авторы номер документа
Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава методом вытягивания (по Чохральскому) 1956
  • Добровенский В.В.
SU108648A1
Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава 1955
  • Бутузов В.П.
  • Добровенский В.В.
SU121237A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ 2006
  • Багдасаров Хачик Саакович
  • Графов Герман Кимович
  • Малинин Владимир Иванович
  • Саркисов Степан Эрвандович
  • Трофимов Александр Сергеевич
RU2320789C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОРОДНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ 1991
  • Добровенский Владимир Вениаминович
RU2023769C1
Устройство для определения положения границы раздела фаз в процессе кристаллизации 1980
  • Кременчугский Лев Самсонович
  • Лингарт Юрий Карлович
  • Скляренко Сергей Константинович
SU894024A1
Установка для выращивания кристаллов 1971
  • Бодячевский Станислав Владимирович
  • Каган Наум Борисович
  • Климовицкий Владимир Наумович
  • Липов Валентин Яковлевич
  • Рейтеров Владимир Михайлович
  • Рубин Георгий Кусиелевич
  • Соколов Валентин Александрович
  • Симун Елена Анатольевна
  • Фельдман Иосиф Айзикович
  • Хазанов Эрлен Егошевич
SU445462A1
Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава 1960
  • Костенко В.И.
SU137107A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ 1983
  • Андреев Е.П.
  • Пищик В.В.
  • Литвинов Л.А.
SU1131259A3
Способ очистки поверхности расплава при выращивании монокристаллов германия 2017
  • Каплунов Иван Александрович
  • Иванов Максим Алексеевич
RU2641760C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ 1999
  • Бесвик Джон Альфред
RU2200776C2

Иллюстрации к изобретению SU 113 806 A1

Реферат патента 1958 года Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава

Формула изобретения SU 113 806 A1

/2 |||1111|11и|1|11

SU 113 806 A1

Авторы

Добровенский В.В.

Даты

1958-01-01Публикация

1956-11-02Подача