Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава Советский патент 1959 года по МПК C30B15/22 

В. В. Добровенский и В. П. Бутузов

СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА

Заявлено 10 февраля 1955 г. за Л 27230/497359/26 в Главное управление

приборостроения Министерства г.аши11остроенпя и приборостроения СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретени1Ъ Л 15 за 1959 г.

Известные способы регулирования процесса выращнвания монокристаллов из расплава не обеспечивают получения их одинакового качества как по длине кристалла, так и между отдельными кристаллами.

Происходит это потому, что поддержание определенного температурного режима охлаждения расплава на участке кристаллизации (на границе твердой и жидкой фаз) осуществляется вручную и зависит от индивидуальных способностей обслуживающего персонала.

Предлагаемый способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава путем поддержания определенного температурного режима на границе жидкой и твердой фаз (расплав-кристалл) изменением тока охлаждающей жидкости в холодильнике, охлаждающем верхний конец выращиваемого кристалла, лищен этого недостатка, позволяет улучщить существующие процессы кристаллизации и обеспечить возможность стабильного получения однородных, хорощего качества монокристаллов.

Достигается это тем, что границу фаз расплав--кристалл удерживают на одном уровне относительно поверхности расплава, поднимая в процессе кристаллизации тигель с расплавом.

Для осуществления способа регулирования предлагается устройство в виде программного терморегулятора с электрическим датчиком температуры верхнего конца кристалла и задающим программу кулачком, вращаемым электродвигателем. Устройство автоматическиподдерживает границу фаз расплав-кристалл на неизменном расстоянии от поверхности расплава.

Отличительной особенностью устройства является то, что электродвигатель задающего программу кулачка связан с подъемным механизмом тигля с расплавом.

Сущность и действие предлагаемых способа регулирования и устройства для его осуществления поясняются чертежом, на котором изображена блок-схема автоматического регулирования процесса кристаллизации по заданной программе.

В тигле / находится расплав вещества 2 с температурой несколько выше температуры кристаллизации и поддерживаемой постоянной с помощью соответствующего пагревания.