Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава Советский патент 1959 года по МПК C30B15/22 

Описание патента на изобретение SU121237A1

В. В. Добровенский и В. П. Бутузов

СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА

Заявлено 10 февраля 1955 г. за Л 27230/497359/26 в Главное управление

приборостроения Министерства г.аши11остроенпя и приборостроения СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретени1Ъ Л 15 за 1959 г.

Известные способы регулирования процесса выращнвания монокристаллов из расплава не обеспечивают получения их одинакового качества как по длине кристалла, так и между отдельными кристаллами.

Происходит это потому, что поддержание определенного температурного режима охлаждения расплава на участке кристаллизации (на границе твердой и жидкой фаз) осуществляется вручную и зависит от индивидуальных способностей обслуживающего персонала.

Предлагаемый способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава путем поддержания определенного температурного режима на границе жидкой и твердой фаз (расплав-кристалл) изменением тока охлаждающей жидкости в холодильнике, охлаждающем верхний конец выращиваемого кристалла, лищен этого недостатка, позволяет улучщить существующие процессы кристаллизации и обеспечить возможность стабильного получения однородных, хорощего качества монокристаллов.

Достигается это тем, что границу фаз расплав--кристалл удерживают на одном уровне относительно поверхности расплава, поднимая в процессе кристаллизации тигель с расплавом.

Для осуществления способа регулирования предлагается устройство в виде программного терморегулятора с электрическим датчиком температуры верхнего конца кристалла и задающим программу кулачком, вращаемым электродвигателем. Устройство автоматическиподдерживает границу фаз расплав-кристалл на неизменном расстоянии от поверхности расплава.

Отличительной особенностью устройства является то, что электродвигатель задающего программу кулачка связан с подъемным механизмом тигля с расплавом.

Сущность и действие предлагаемых способа регулирования и устройства для его осуществления поясняются чертежом, на котором изображена блок-схема автоматического регулирования процесса кристаллизации по заданной программе.

В тигле / находится расплав вещества 2 с температурой несколько выше температуры кристаллизации и поддерживаемой постоянной с помощью соответствующего пагревания.

Похожие патенты SU121237A1

название год авторы номер документа
Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава методом вытягивания (по Чохральскому) 1956
  • Добровенский В.В.
SU108648A1
Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава 1956
  • Добровенский В.В.
SU113806A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОРОДНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ 1991
  • Добровенский Владимир Вениаминович
RU2023769C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ АМОСОВА 2004
  • Амосов В.И.
RU2261297C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ 1983
  • Андреев Е.П.
  • Пищик В.В.
  • Литвинов Л.А.
SU1131259A3
Способ выращивания монокристаллов оксидов и устройство для его осуществления 1979
  • Аракелов О.А.
  • Белабаев К.Г.
  • Бурачас С.Ф.
  • Дубовик М.Ф.
  • Назаренко Б.П.
  • Саркисов В.Х.
  • Тиман Б.Л.
SU786110A1
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА 2007
  • Гоник Михаил Александрович
  • Гоник Марк Михайлович
  • Кригер Виктор Александрович
  • Лобачев Владимир Александрович
  • Цветовский Владимир Борисович
RU2357023C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ 2006
  • Багдасаров Хачик Саакович
  • Графов Герман Кимович
  • Малинин Владимир Иванович
  • Саркисов Степан Эрвандович
  • Трофимов Александр Сергеевич
RU2320789C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ 1991
  • Кожемякин Геннадий Николаевич[Ua]
RU2035530C1
СПОСОБ ЛИТЬЯ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ ОТЛИВОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2001
  • Калинин В.П.
  • Мацнев В.Н.
  • Сироткин О.С.
  • Константинов В.В.
  • Плихунов В.В.
RU2218239C2

Иллюстрации к изобретению SU 121 237 A1

Реферат патента 1959 года Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава

Формула изобретения SU 121 237 A1

SU 121 237 A1

Авторы

Бутузов В.П.

Добровенский В.В.

Даты

1959-01-01Публикация

1955-02-10Подача