В. В. Добровенский и В. П. Бутузов
СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА
Заявлено 10 февраля 1955 г. за Л 27230/497359/26 в Главное управление
приборостроения Министерства г.аши11остроенпя и приборостроения СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретени1Ъ Л 15 за 1959 г.
Известные способы регулирования процесса выращнвания монокристаллов из расплава не обеспечивают получения их одинакового качества как по длине кристалла, так и между отдельными кристаллами.
Происходит это потому, что поддержание определенного температурного режима охлаждения расплава на участке кристаллизации (на границе твердой и жидкой фаз) осуществляется вручную и зависит от индивидуальных способностей обслуживающего персонала.
Предлагаемый способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава путем поддержания определенного температурного режима на границе жидкой и твердой фаз (расплав-кристалл) изменением тока охлаждающей жидкости в холодильнике, охлаждающем верхний конец выращиваемого кристалла, лищен этого недостатка, позволяет улучщить существующие процессы кристаллизации и обеспечить возможность стабильного получения однородных, хорощего качества монокристаллов.
Достигается это тем, что границу фаз расплав--кристалл удерживают на одном уровне относительно поверхности расплава, поднимая в процессе кристаллизации тигель с расплавом.
Для осуществления способа регулирования предлагается устройство в виде программного терморегулятора с электрическим датчиком температуры верхнего конца кристалла и задающим программу кулачком, вращаемым электродвигателем. Устройство автоматическиподдерживает границу фаз расплав-кристалл на неизменном расстоянии от поверхности расплава.
Отличительной особенностью устройства является то, что электродвигатель задающего программу кулачка связан с подъемным механизмом тигля с расплавом.
Сущность и действие предлагаемых способа регулирования и устройства для его осуществления поясняются чертежом, на котором изображена блок-схема автоматического регулирования процесса кристаллизации по заданной программе.
В тигле / находится расплав вещества 2 с температурой несколько выше температуры кристаллизации и поддерживаемой постоянной с помощью соответствующего пагревания.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава методом вытягивания (по Чохральскому) | 1956 |
|
SU108648A1 |
Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава | 1956 |
|
SU113806A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОРОДНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ | 1991 |
|
RU2023769C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ АМОСОВА | 2004 |
|
RU2261297C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ | 1983 |
|
SU1131259A3 |
Способ выращивания монокристаллов оксидов и устройство для его осуществления | 1979 |
|
SU786110A1 |
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА | 2007 |
|
RU2357023C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ | 2006 |
|
RU2320789C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 1991 |
|
RU2035530C1 |
СПОСОБ ЛИТЬЯ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ ОТЛИВОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2001 |
|
RU2218239C2 |
Авторы
Даты
1959-01-01—Публикация
1955-02-10—Подача