оо
vl
I 11
Изобретение относится к технологии силикатов и предназначено для мпжслонной изоляции медной разводки на керамических подложках в производстве коммутационных плат.
Известно стекло для стеклокристаллического цемента, содержащее, масЛ: SiO 47-58; , 15-22; Ti.02 6-12 SrO или BaO 3-22 и один из компонентов группы GeO 0,01 0,5, SnOg 0,5-3; ZrO 0,5-3 fl.
Недостатком стекла является высо кая температура кристаллизации и низкий температурный коэффициент линейного расширения, не согласующийся с TIOIP керамики.
Наиболее б.гшзким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является для стеклокристаллического цеменФа, включающее, мол.%: SiOj 9-265 BjO., 9-36; Al20 0-16, CaO+SrO+BaO+MgO 9-56j ZnO+CdO 9.57, CdO 5-7 и имеющее ТКЛР (45-100) 10- град-tz.
Недостатком известного стекла является то, что в его состав входят оксиды кальция и стронция, что обуславливает вьщеление в процессе термообработки нескольких кристаллических фаз разл11чного минералогического состава, характеризующихся разными значениями ТКЛР, в результате чего ТКЛР стеклокристаллического покрытия в процессе термообработки может изменяться, ухудщая качество покрытия. Кроме-того, у этого материала высо37111
кая Температура кристаллизации и недцстаточные диэлектрические характеристики.
Целью изобретения является снижение температуры кристаллизации и
улучщение диэлектрических характеристик .
Цель достигается тем, что стекло для стеклокристаллического цемента, to включающее SiOj, В,0, ВаО, AlgO, ZnO, дополнительно содержит МпО при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Si02 18-20,5 15 25,5-29,0
ВаО 22,5-27,0
МгОз 1,5-3,5
ZnO 24,0-26,0
МпО 1,0-3,0
0 Варку стекол осу1цествляют в газовой пламенной печи при 145О-1480 С.
В качестве сырьевых материалов для приготовления шихты используют кварцевьй песок, глинозем, борную 5 кислоту, углекислый барий, оксиды цинка и марганца.
Примеры стекол и физико-химические свойства созданных на их основе изоляционных покрытий приведены в 0 таблице.
Как видно из таблицы, стеклокристаллический цемент на основе предлагаемого стекла характеризуется по сравнению с известным пониженной г температурой кристаллизации, величина которой на 440-480с ниже.
Температура кристаллизации стекп.а, С
Температурный коэффициент линейного расширения в интервале 20-300 С of 1/град
Диэлектрические потери tgSxiO при f - 1 МГц 2,0
Диэлектрическая проницаемость, при f 1 МГц 8,0 ,
Время кристаллизации,
мин15-20
750
740
(45-100)
56
57
11,2 20,5-22,4
12,5
10,2-11,6
7,7
7.4
15-20 15-20 15-20
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СТЕКЛО ДЛЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ЦЕМЕНТА | 2000 |
|
RU2188171C2 |
СТЕКЛО ДЛЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ЦЕМЕНТА | 2003 |
|
RU2237624C1 |
Стекло для межслойной изоляции | 1983 |
|
SU1127859A1 |
Стекло для межслойной изоляции | 1983 |
|
SU1141076A1 |
Стекло для изготовления стеклокристаллического цемента для изоляции элементов интегральных схем | 1980 |
|
SU948921A1 |
Стекло | 1982 |
|
SU1133238A1 |
СТЕКЛО ДЛЯ ПРОЗРАЧНОГО В ИК-ОБЛАСТИ ТЕМНО-КРАСНОГО СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | 1990 |
|
RU2032633C1 |
СТЕКЛО ДЛЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИЭЛЕКТРИКА ДЛЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ | 1995 |
|
RU2083515C1 |
ЛЮМИНЕСЦИРУЮЩИЙ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2020 |
|
RU2756886C1 |
ЛЕГКОПЛАВКОЕ СТЕКЛО ДЛЯ ЧЕРНОГО СИТАЛЛОЦЕМЕНТА | 2000 |
|
RU2196745C2 |
СТЕКЛО ДЛЯ СТЕКЛОКРИСТАЛПИЧЕСКОГО ЦЕМЕНТА, включающее SiOg, BjO, BaO, ,;, Zn 0, от л ичающееся тем, что, с целью снижения температуры кристаллизации и улучшения диэлектрических характеристик, оно дополнительно содержит МпО при следунидем соотношении компонентов , мае.%: SiOj 18-20,5 25,5-29 БЛ Вас 22,5-27 1,5-3,5 AljO 24-26 ZnO 1-3 MnO
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Дейдвудный сальник судового валопровода | 1988 |
|
SU1590777A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Кинематографический аппарат | 1923 |
|
SU1970A1 |
, |
Авторы
Даты
1985-03-07—Публикация
1983-07-27—Подача