Диспергирующий элемент для рентгеноспектрального анализа элементного состава вещества Советский патент 1985 года по МПК G01N23/22 

1 изобретение относится к рентгено- спектральному анализу, а именно к конструкции диспергирующего элемент спектрометра, и может быть использо вано во всех отраслях науки и промы ленности для определения элементног состава вещества. Целью, изобретения является расширение диапазона. На чертеже изображен диспергирующий элемент согласно изобретению. Диспергирующий эле14ент содержит набор из пяти кристаллов 1-5, непод вижно укрепленных друг относительно друга, боковые поверхности mj 1,2,.о.,5) соседних кристаллов 1 и 2, 2иЗ, Зи4, 4и5 плотно примы кают друг к другу, кристаллографические плоскости а ... а. в кристал лах 1-5 расположены под разными угл ми 0 ,.. aif относительно рабочей поверхности кристалла S, Линейный размер {А каждого криста ла К; удовлетворяет соотношению .-Ч ZdcosSsinH где L - расстояние между центром кристалла и источником рент геновских лучей, ( минимальная разность длин волн К - линии анализируемо го элемента, и К - линии этого же элемента или элемен . та с атомным номером Z-1; 0 - угол Вульфа-Брэгга, а кристаллографические плоскости, по крайней мере в двух кристаллах, расположены под разными углами of- относительно рабочей поверхности кристалла. Рабочая поверхность S. каждого кристалла плоская, а уголв,-- для каждого кристалла удовлетворяет соотнощениюоб arc sin где Я - измеряемая длина волны аналитической, линии анализируемого химического элемента, п - порядок отражения измеряемой длины волны , 352 d - межплоскостное расстояние кристалла, Ч - угол падения луча на кристалл Межплоскостное расстояние d в кристаллах 1,2 и 3 равно d, а в кристаллах 4 и 5 - d. Диспергирующий элемент работает следующим образом. При падении пучка полихроматического рентгеновского излучения с угловым раствором 47 на диспергирующий элемент от него одновременно отражается пять монохроматических пучков излучения. При этом от каяэдого кристалла отразится только один пучок излучения с длиной волны А. соответствующей аналитической линии анализируемого элемента. Это происходит потому, что каждый кристалл диспергирующего элемента обеспечивает условия дифракции согласно закону Вульфа-Брэгга только для одной заранее известной длины волны Л из всего набора длин волн, попадающих на диспергирующий элемент. Эти условия дифракции обеспечиваются не только за счет подбора кристаллов с разным межплоскостным расстоянием d и d, но и за счет расположения кристаллографических плоскостей И; в кристаллах под разными углами аС относительно рабочей поверхности S кристаллов. При этом выбор линейного размера с , каждого кристалла обеспечиваёт отражение только одной линии с длиной волны л (К) . в рентгенооптической схеме нефокусирующего спектрометра предлагаемый диспергирующий элемент расположен неподвижно на расстоянии L от точечного источника полихроматического рентгеновского излучения. При освещении элемента расходящимися в угловом диапазоне 4V пучком излучения от источника отраженные от элемента монохроматические пучки излучения с длинами волн ( 1 2,...N)одновременно регистрируются координатно-чувствительным детектором. При этом линейный размер сГК каждого кристалла элемента обеспечивает попадание в детектор только длины волны излучения К линии анализируемого химического элемента.

SlB

/.° / /

1. ДИСПЕРГИРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОГО АНАЛИЗА ЭЛЕМЕНТНОГО СОСТАВА ВЕЩЕСТВА с плоской рабочей поверхностью в плоскости дисперсии излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения рабочего диапазона, он выполнен из набора кристаллов, линейный размер tfi каиздого из которых определяется соотношением . 2J9in c s 9 где Ъ -.расстояние между центром кристалла и источником рентгеновских лучей. минимальная разность длин волн Кд - линии анализируемого химического элемента, и Кд - линии этого же элемента с атомным номером Z-1; d - межплоскостное расстояние кристалла, б - угол Вульфа-Брэгга, У - угол падения излучения на центр кристалла, а кристаллографические плоскости по крайней мере двух кристаллов расположены под разными углами относительно рабочей поверхности кристалла. 2. Элемент поп.1, отличающийся тем, что угол oi между (Л кристаллографическими плоскостями с и рабочей поверхностью для каждого кристалла удовлетворяет соотношению , , П Л ,л oi агс sin -хзт , Л измеряемая длина волны анагде литической линии анализируемого химического элемента, порядок отражения измеряемой п u :о :л длины волны. 3.Элемент по пп.1-2, отличающийся тем, что боковые поверхности соседних кристаллов плотно примыкают друг к другу. 4. Элемент по пп.1-3, о т л и .ч а ющ и и с я тем, что его рабочая поверхность изогнута по Гамошу,