Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1985 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычиспительной технике н может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилин дрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является, повышение об ласти устойчивой работы канала для продвижения ЦМД. На фиг. 1 изображена принципиальная схема канала для продвижения ЦМД; на фиг. 2 разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - диаграмма токов в каждой из трех слоев. Канал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены три токопроводящие слоя 2-4, разделенные между собой изолирующими слоями 5 (фиг. 1 и 2). В каждом токопроводящем слое 2-4 выполнены два ряда отверстий: 6-8 - в одном ряду, 6-8 - в другом ряду (фиг. 1). Отверстия 6 и 6 выполнены в слое 2, отверстия 7 и 7 - в слое 3, а отверстия 8 и 8 - в слое 4. Отверстия имеют удлиненную форму (фиг. 1 ). Отверстия одного ряда в каждом слое размещены относительно друг друга на расстоянии . Одна из коротких сторон каждого отверстия размещена на прямой 9, образующей ось пути продвижения доменов. В каждом из рядов отверстия слоев 2-4 сгруппированы по ттри, например, одну группу составляют отве стия 6-8, другую - б-8 и т. д. В каждой группе отверстий проекции на магнитоосную пленку коротких сторон, лежащих на прямой 9 (фиг. 1), выполнены с расстоя На прямой : ijim . l), .itm нием между центрами -Д /3 вдоль пути прод вижения. Проекции противоположных коротких сторон совмещены. Один ряд отверстий является зеркальным отображением другого со сдвигом вдоль оси канала на /2. Циф рами 10-15 на фиг. 1 обозначены позиции домеиа при продвижении вдоль канала. 2 Канал для продвижения ЦМД работает следующим образом. В результате подачи в токопроводящие слои 2-4 токов у, .у. Уз ) ях отверстий возникают локальные магнитные поля, с которыми взаимодействуют ЦМД. Домены в пластине магнитоодиоосного материала стремятся занять позицию, в которой их энергия мииимальна, т. е. стремятся попасть в область пониженной знергии - магнитоотатическую ловущку (МСЛ). Пусть в момент времени t ( домен занимает позицию 10 (фиг. 1), так как глубина МСЛ в этом месте аксимальна. В следующий момент времени 12 МСЛ переместится и домен займет позицию 11. В последующие моменты t, 14, tp, tg происходит перемещение МСЛ, а вместе с ней и домена последовательно в позиции 12-15 и т. д. Таким образом, при питании предложенного канала трехфазным током, вдоль пути продвижения доменов создается бегущая магнитостатическая ловущка, которая и перемещает ЦМД. При трехфазном питании в каждый мо мент времени сумма токов всех трех слоев равна нулю. В местах, совмещения проекщш иа магнитоодноосную пленку коротких сторон отверстий 6-8 и 6-8 суммарная Z-cocтавляющая магнитного поля от трех слоев 2-4, равна нулю. Следовательно, как притягивающего, так и отталкивающего полюса в этих местах не существует, чем и достигается отсутствие боковой неустойчивости ЦМД . при его движении вдоль канала. Так как в предложенном канале продви--..- . .. -r- жения доменов каждьш слой 2-4 питается от отдельного источника тока, то в нем достигается более равномерное движение магнитостатической ловушки и практически полное отсутствие нежелательной Z-компоненты магнитного поля иа краях канала, что невозможно в известном канале.

КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, «содержащий магиитооднооскую пленку , на которой расположены три изолированных рднн от другого токопроводящих слоя с периодически выполненными в них отверстиями удлиненной формы, причем отверстия в каждом токопроводящем слое расположены на расстоянии Д/2, одно от другого, где период канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, и одна из коротких сторон каждого отверстия расположена на общей прямой, отличающийся тем, что, с целью повышения области устойчивой работы канала, отверстия в токопроводящих слоях выполнены в два ряда, причем один ряд отверстий является зеркальным отображением другого со сдвигом вдоль оси симметрии на 7i /2, и обьединены в группы, каждая из которых содержит отверстия, расположенные во всех трех слоях, центры проекций § одних коротких сторон отверстий каждой сл группы на магнитоодноосную пленку размещены на расстоянии А/З, а проекции других коротких сторон этих отверстий совмещены.

5 Jbc4Sv44.4V4Xi K4N 04VvsNa

Фиг. 2