Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1984 года по МПК G11C11/14 

1111 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на циливдрических магнитных доменах (ЦМД). Известен канал для продвижения ЦМД, содержащий магнитоодноосную шенку с ионно-имплан тированными участками, на которой расположены изолированные токопроводящие слои с периодически расположенными отверстиями, смещенными относительно соответствующих ионно-имплантированных участков 1J. Однако такой канал требует для продвижения ЦМД больших токов, что приводит к нагреву пленки и снижению надежности канала для продвижения ЦМД Наиболее близким к изобретению является канал для продвижения ЦМД, содержащий магни тоодноосную пленку, на которой находятся изолированные слои проводника, прячем в этих слоях выполнены группы периодически расположенных отверстий, каждое из которых ограничено двумя боковыми стенками и двумя торцовыми стенками, причем указанные отверстия имеют выпуклую форму. Боковыми стенками отверстия являются, стенки, поперечные направлению управляющего тока, а торцовыми -, стенки линейные, ломаные либо криволиней-. ные. Возможно два варианта канала для продвиисения ЦМД - с продвижением ЦМД none-iречно направлению управляющего тока и с продвиже1шем ЦМД продольно току. В первом случае боковыми стенками отверстий являются стенки, продольные оси канала для продвижения ЦМД, а.во втором случае боковыми стенк ми - стенки, поперечные оси канала. Для эффективной работы канала необходима макси мальная локальная плотность Од управляющего тока именно на торцовых сторонах отверстий, поскольку/ именно под ними генерируются магнитостатические ловущки (МСЛ) и фиксируются ЦМД 2. Однако топология известнвгх каналов для продвижения ЦМД не обеспечивает максимальной локальной плотности на торцовых стенках отверстий, что обусловливает необходимость подачи больщих управляющих токов (до 2-ЗА) с большим рассеянием мощности в канале. Это, в свою очередь, вызывает его перегрев и уменьшение области устойчивой работы, приводящее к снижению надежности устройства. Целью изобрете шя является повышение надеж1юсти канала для продвижения ЦМД. Поставленная цель достигается тем, что в канале для продвижения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на которой располо жены изолированные один от другого токопроводящие слои с выполненными в них , Группами периодически расположенных отверстий, каждое из которых ограничено двумя боковыми и двумя торцовыми стенками, по крайней мере одна боковая сторона отверс : тий выполнена вогнутой формы. На фиг. 1 изображены для варианта выполнения предложенного канала для продвижения ЦМД; на фиг. 2 - распределение управляющего тока вблизи отверстий. Канал для продвижения ЦМД (фиг. Iq) содержит магнитоодноосную пленку .1, на которой расположены токопроводящие слои 2 и 3, изолированные друг от друга и от пленки 1 слоями дизлектрика 4 и 4 . В слоях 2 и 3 соответственно выполнены группы периодически расположенных отверсТ 1Й 5 и 6. Отличительной особенностью канала является форма отверстий групп 5 и 6. Боковые стороны этих отверстий имеют вогнутую форму. В первом варианте (фиг. 1 Si ) канада боковые стенки отверстий - это стенки, ориентированные продольно оси 7 канала, а ВТО втором варианте (фиг. Ig,) - это стенки, ориентированные поперечно оси 8 канала Канал работает следующим образом. При пропускании через токопроводящие слои 2 и 3 поочередно импульсов управляющего тока О (j- через слой 2, Jg - через слой 3), на торцовых (рабочих) сторонах отверстий в результате обтекания их током образуются поочередно МСЛ,- которые и обеспечивают последовательное продвижение ЦМД, аналогично тому как это происходит в известном устройстве. Однако в предложенном канале для продвижения ЦМД за счет- того, что боковые стенки отверстий имеют вогнутую форму, обеспечивается более высокая локальная плотность 3 ц тока на торцовых сторонах отверстий сравнительно с известным каналом. Для того, чтобы максимально повысить плотность тока Ид на торцовых стенках, необходимо повысить локальную плотность тока вдоль, боковых .стенок, т. е. максимально прижать ток к ним. Для этого необходимо увеличить проводимость малой области токопроводящего слоя вблизи боковых . стенок. В предложенном канале это достигается расширением указанной области 9 (фиг. 2) за счет площади отверстий 5, т. е. за счет вогнутости боковых стенок. Благодаря этому повышается доля управляющего тока 10, текущего вдоль боковых стенок, а. следователшо, и плотность 7д тока на торцах отверстия, сравнительно со случаем известных каналов с выпуклыми отверстиями. Таким

3

образом, распределение ток Ю в предаюженном канале приближает работу отверстия к работе петлевой аппликации, к&торая как известно, при прочих равных условиях дает наибольшую МСЛ.

Преимуществом предложенного канала для продвижения ЦМД является его надежность. Действительно, увеличенная локальная плотность тока позволяет снизить Ъбщий управляющий ток в канале, а следовательно, существенно снизить рассеиваемую мощность. Это увеличивает область устойчивой работы устройства и повышает тем самым его надежность. Кроме того, образование острых

104

углов на стыке торцовых и боковых стенок дополнительно увеличивает плотность тока Зц Экспериментальные исследования показали, что предложенный канал для продвижения ЦМД обеспечивает МСЛ примерно на 15% большую, чем у известных каналов подобного типа, что позволяет соответственно снизить ток управления и снизить рассеиваемую мощюсть на 30%.

Снижение управляющих токов и связанное с этим уменьшение рассеиваемой мощности и перегрева устройства позволяет увеличить время н абатки на отказ и расширить область устойчивой работы, что значительно

увеличивает надежность устройства.

КАНАЛ ДЛЯ ПГОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ MATWiTHbDC ДОМЕНОВ, содержащий мзгнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои с выполненными в них группами периодически расположшных отверстий, каждое из которых ограничено двумя выми и двумя торцовь(ми стенками, отличающийся тем, что, с целыо повышения надежности канала, в нем по крайней мере одна боковая сторона отверстий выполнена вогнутой формы.

Фиг, г