Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1992 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может бьпъ использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является упрощение конструкции накопителя.

На фиг.1 показана структурная схема предлагаемого накопителя; на фиг.2 - конструкция накопителя в области зазоров между зонами о регистрах; на фиг.З представлена диаграмма токов управления регистрами хранения информации.

Накопитель для запоминающего устройства на ЦМД содержит магнитоодноосную пленку .1, нз которой расположены один над другим первый 2, второй 3 и третий А токопро- водящие слои, разделенные диэлектриком.

Накопитель (фиг.1) включает регистры хранения информации 5, которые представляют собой замкнутые в кольцо регистры продвижения. Регистры хранения накопителя информационно связаны с регистром ввода-вывода 6, который одним концом подключен к генератору доменов 7, а другим - к узлу считывания 8.

Регистры хранения информации (фиг.2) выполнены в виде отверстий 9 в токопроводящем слое 2 и отверстий 10 втокопроводя- щем слое 3, смещенных друг относительно друга в направлении продвижения ЦМД на половину пространственного периода, и отверстий 11 в токопроводящем слое 4, смещенных по отношению к отверстиям 9 и 10 на четверть пространственного периода регистра продвижения в направлении перемещения ЦМД. Для образования встречного движения ЦМД в соседних каналах регистров 5 чередование отверстий 9 и 10 изменено на обратное. В токопроводящих слоях 2,3,4 выполнены зазоры 12, 13, 14. При этом в токопроводящих слоях 2 и 3 зазоры 12, 13 выполнены зигзагообразной формы и смещены друг относительно друга на 180°. а зазор 14 в токопроводящем слое 4 выполнен шириной, равной периоду регистра продвижения, Токопроводящие слои 2 и 3 накопителя чер-з токопроводящий слой 4 подключены к источникам переменного тока 15 и 16, токи которых сдвинуты по фазе друг относительно друга на чет верть периода. Магнитоодноосный материал расположен в постоянном магнитном поле смещения, создаваемом узлом 17.

Работа накопителя основана на перемещение ЦМД nyiew взаимодействия их с переменным во времени и пространстве магнитным полем, создаваемым протекающими по токопровсдящим-слопм 2.3,4 с отверстиями 9,10.11 токами от источников

переменного тока 15 и 16, Токи в слоях 2 и 3 выбираются из условия создания на краях отверстий 9,10 магнитостатических ловушек (МСЛ) равной глубины, обеспечивающей перемещение ЦМД. В связи с тем, что слой 3

расположен дальше от магнитоодноосного материала, чем слой 2, ток в нем больше (практически на 20-30 процентов). Ток в слое 4 равен сумме токов в слоях 2,3 и противоположен по знаку, ЦМД зарождаются в

0 генераторе 7 (фиг.1) и продвигаются по каналу ввода-вывода б к регистрам хранения информации 5. Когда канал ввода-вывода б заполнится ЦМД, включаются регистры хранения информации 5 и ЦМД из канала вво5 да-вывода поступают в регистры 5, а ЦМД из регистров 5 поступают в качал ввода-вывода 6. Далее по каналу ввода-вывода 6 ЦМД поступают а узел считывания 8, Рассмотрим более подробно продвижение

0 ЦМД через зазор в регистрах 5 хранения информации. Направление поля смещения выбрано таким, что при положительных токах И, Ъ. ЦМД фиксируется в МСЛ, образующейся у нижнего края отверстий 9,10. В

5 исходном состоянии ЦМД 18 и 19 (фиг.2) находятся в положении I, определяемом по- пожитепьным током И и отрицательным током з. При этом МСЛ образована нижним краем отверстия 9 и верхним краем отвер0 стия 11 для ЦМД 18 и верхним краем отверстия 9 и нижним краем зазора (4 для ЦМД 19 (так как направление токов в нижней зоне противоположно верхней, фиг.2), 8 такте II (фиг.З) протекает отрицательный ток I. и по5 ложительный ток з. ЦМД 18 перемещается в позицию II, образованную верхним краем отверстия 10, и нижним краем отверстия 11, а ЦМД 19 в позицию I, образованную верхним и нижним краем зазора 13. В такте lil

0 протекает отрицательный ток И и положительный ток 1з. ЦМД 18 занимает позицию 111 образованную верхним краем отверстия 9 и нижним краен отверстия 11. а ЦМД 19 занимает позицию I образованную верх5 ним и нижним краем зазора 12. В такте IV про те кают токи: положительный 2 и отрицательный з. ЦМД 18 занимает позицию IV, образованную нижним краем отверстия 10 и верхним краем зазора 14, а ЦМД 19 анз0 логичную позицию IV, образованную нижним краем отверстия 10 и верхним краем зазора 14,

В тактах V,VI,VII,VII,iX направление токов повторяет такты I,II,111,IV,V. При этом

5 ЦМД 18 занимает последовательно позицию V, образованную нижним краем отверстия 9 и верхним краем зазора (4, позицию VI, образованную верхним и нижним краями зазора 13, позицию VII, образованную

верхним и нижним краями зазора 12, позицию VIII, образованную верхним краем отверстия 10 и нижним краем зазора 14, позицию IX, образованную верхним краем отверстия 9 и нижним краем зазора 14. ЦМД 19 последовательно занимает позицию V, образованную нижним краем отверстия 9 и верхним краем зазора 14, позицию VI, образованную верхним краем отверстия 10 и нижним краем отверстия 11, позицию Vli, образованную верхним краем отверстия 9 и нижним краем отверстия 11, позицию VIII, образованную нижним краем отверстия 10 и верхним краем отверстия 11,

С целью стабилизации положения до- мена в регистрах хранения 5 зазор 14 может быть выполнен с переменной шириной от четверти до одного периода размещения отверстий.

Выполнение зазора в третьем токопро- водящем слое шириной равной периоду размещения отверстий, а зазоров в первых двух слоях зигзагообразной формы, повернутых на 180 градусов, позволяет организовать встречное движение ЦМД в регистрах хранения информации при подаче в два первых токопроводящих слоя переменных токов, сдвинутых по фазе друг относительно друга на четверть временного периода. При зтом отпадает потребность в дополнитель- ном четвертом слое, что упрощает конструкцию устройства.

Формула изобретения 1. Накопитель для запоминающего уст- ройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащий магнитоодноосную пленку с расположенными на ней один над другим первым, вторым и третьим токопро- водящими слоями, злектроизолирванными друг от друга, в первом и втором токопроводящих слоях выполнены регистры продвижения доменов в виде периодически расположенных отверстий, э сами регистры разделены сквозными зазорами шириной в четверть периода регистра продвижения в первом и втором токопроводящих слоях на несколько зон, причем токопроводящие слои всех зон электрически соединены последовательно так, что вытекающий ток токо- проводящего слоя одной зоны является втекающим током соседней зоны этого же слоя, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции накопителя, в третьем токопроводящем слое выполнены отверстия, причем отверстия в первом, втором и третьем токопроводящих слоях размещены с периодом, равным периоду регистра продвижения, отверстия в первом и втором токопроводящих слоях чередуются между собой, а отверстия в третьем токо- проводящем слое смещены относительно отверстий в первом и втором токопроводящих слоях на четверть периода регистра продвижения, зазоры в первом и втором токопроводящих слоях выполнены зигзагообразной формы, их оси симметрии совмещены, а зазоры сдвинуты относительно друг друга на 180°, зазор в третьем слое в месте его наложения на отверстия в первом и втором токопроводящих слоях выполнен шириной, равной навстречу периоду регистра продвижения, а его ось симметрии совпадает с осью симметрии зазоров в первом и втором токопроводящих слоях.

2. Накопитель по п.1, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что зазор в третьем токопроводя- щем слое в области между отверстиями в первом и втором токопроводящих слоях выполнен шириной от четверти до одного периода регистра продвижения.

I 1 S 5 1 U Ґ1 Й

L

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах. Целью изобретения является упрощение конструкции накопителя. Накопитель содержит маг- нитоодноосную пленку, на которой расположены один над другим первый 2, второй 3 и третий 4 токопроводящие слои, разделенные диэлектриком. Накопитель включает резисторы хранения информации, которые информационно связаны с регистром ввода-выводг. Регистр ввода вывода концом подключен к генератору доменов, а другим - к узлу считывания. Регистры хранения информации выполнены в виде отверстий 9 в токопроаодящем слое 2, отверстий 10 а слое 3 и отверстий 11 в слое 4. В слоях 2,3 и 4 выполнены зазоры 12,13 и 14. Зазоры 12 и 13 имеют зигзагообразную ферму и смещены друг относительно друга на 180°, а зазор 14 имеет ширину, равную периоду регистра продвижения. Слои 2 и 3 через слой 4 подключены к источникам тока. Пленка расположена в магнитном токе смещения. Выполнение зазора в слое 4 шириной, равной периоду регистра продвижения, а зазоров в слоях 2 и 3 зигзагообразной формы, сдвинутых на 180°, позволяет организовать встречное движение в регистрах хранения, и отпадает необходимость в дополнительном четвертом токо- прояодящем слое, что упрощает конструкцию накопителя. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. LO XI XS К-2

-f

3

7

Фмг.З