Способ получения омического контакта металла с кремнием Советский патент 1959 года по МПК H01L21/28 

Известные способы создания омического контакта кремния с металлом заключаются в гальваническом нанесении таких металлов как никель, медь, золото и др. непосредственно на поверхность кремния. Омические контакты, полученные таким путем, имеют, как правило, большое переходное сопротивление и малую механическую прочност.

Предлагаемый способ позволяет получить контакт с малым переходным сопротивлением и высокой механической прочностью.

Для этой цели на поверхность кремния наносят, например, методом конденсации из газовой фазы в вакууме слой германия, который покрывают слоем металла контакта, например никелем.

Создание омического контакта с кремнием осуществляется следующим образом.

В вакууме порядка 10 мм Hg на нагретый до 550° кремний, предварительно протравленный в смеси плавиковой и азотной кислот (1 ; 1), конденсируется испаряемый германий.

Затем испарение прекращается и температура кремния повышается до 700-750° и при этой температуре выдерживается 10 мин.

Нагревание кремния осуществляется излучением от ленточного молибденового нагревателя, помещенного над кремнием.

После охлаждения и извлечения из вакуумной установки на полученный на кремнии слой германия гальванически наносится никель.

В случае кремния р-типа для испарения применяются р-германий или же германий со слабо выраженной электронной проводимостью.

В случае кремния л-типа наносится германий с резко выраженной электронной проводимостью.

№ 118909

Предмет изобретения

Способ получения омического контакта металла с кремнием для кремниевых полупроводниковых приборов, отличающийся тем, что для получения.контакта с малым переходным сопротивлением и с высокой механичёсйой прочностью на поверхность кремния наносят, например, методом; кондёнсации из газовой фазы в вакууме слой германия который покрывают металла контакта, например никелем.