Способ определения параметров полупроводников Советский патент 1987 года по МПК H01L21/66 

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, основанный на разогреве носителей тока светом при охлаждении образца, измерении термомагнитной ЭДС и определении поперечного коэффициента Нернста-Эттингсгаузена, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа путем обеспечения определения энергии связи носителя заряда на мелком нейтральном центре, устанавливают интенсивность света I, удовлетворяющую условию 10..I.. oi,i- термомагнитную ЭДС измеряют в интервале температур 0,01 - Т , К к. из зависимости Q f(T) находят температуру TO, при которой Q обращается в нуль, а искомый параметр вычисляют по формуле ,9 kTo, где N (см ) концентрация акцепторной примеси в случае полупроводника п-типа и донорной в случае полупроводника р-типа; (смЪ концентрация донорной N, примеси в случае полупроводника п-типа и акцепторной - в случае полупроводника i р-типа; (с), (с) времена жизни неравDA новесных носителей заряда и донорно-акцепторной пары соответственно; oi(cM ) коэффициент поглощения света; k (эрг/град) - коэффициент Больцмана; (эрг) энергия основного соМ стояния мелкого нейтрального донорного центра Ед в случае полупроводника п-типа или энергия основного состояния мелкого нейтрального акцепторного центра Ед в случае полупроводника р-ТИПг1 .