Способ изготовления полупроводникового преобразователя Советский патент 1985 года по МПК G01B7/16 

. 1

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых тензометрических преобразователей, и может быть использовано при создании тензометрических преобразователей повышенной точности, изготавливаемых методами интегральной микроэлектронной технологии.

Цель изобретения - повьшение точности преобразователя за счет снижения разброса сопротивлений тензорезисторов. ;

На чертеже представлен пример преобразователя, изготавливаемого по предлагаемому способу, вид в плане.

Способ осуществляют следующим образом.

Изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов 1-4 преобразователя в виде полос, образующих .решетку тензорезисторов, с Участками 5-12 для корректировки номиналов тензорезисторов 1-А, также выполненными в виде полос, ширина которых в 2-5 раз превьшает ширину полосы самого тензорезистора, а концы соединены с выводным контактом и с одним из концов тензорезистора,. и выводными контактами 13-17, изготавливают по ним пробный преобразователь, измеряют сопротивления полученных т.ензорезисторов 1-4, подключая измеритель сопротивлений поочередно к выводным контактам 13 и 17, 13 и 14, 15 и -16, 16 и 17. По этим результатам измерения определяют отклонения сопротивлений тензорезисторов 1-4 от номинала, а также геометрические размеры про98374

резей, выполняемых на корректировочных участках для подгонки номинала сопротивления каждого тензорезистора 1-4.

5 Затем на промежуточном фотошаблоне методами эррозионной или ла. верной обработки тонких пленок на корректировочных участках 5-12 выполняют прорези 18-25, ширина 0 которых превьпиает (с учетом масштаба фотошаблона) двойную ширину бокового легирования при формировании тензорезисторов, а длина пропорциональна отклонению соответствующего сопротивления тенэорезистора от номинала.

После описанного изменения конфигурации участков 5-10 корректировки Номиналов тензорезисторов .приступают к изготовлению рабочих фотошаблонов, а по ним - партии полупроводниковых преобразователей. При соединении тензорезисторов 1-4 в

25 мост- разбаланс такого моста будет близок к нулю, что .обеспечивает повьш1ение точности измерений за счет снижения погрешностей ухода начального уровня сигнала от моста до

30 дестабшщзирующих факторов. При данном способе изготовления преобразователей обеспечивается также их взаимозаменяемость, поскольку все они имеют одни и те же номиналы и минимальный разбаланс.

Точность изготовления тензорезисторов повьш1ается в 3-5 раз, а трудоемкость корректировки фотошаблонов при применении данного способа снижается на 20-30%.

/4

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕШ, заключающийся в том, что изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов преобразователя в виде полос с участками для корректировки номиналов тензорезисторов и выводными контактами,изготавливают по ним пробный преобразователь, измеряют сопротивления полученных тензорезисторов, изменяют конфигурацию участков для корректировки номиналов тензорезисторов в соответствии с величиной отклонения результатов измерения сопротивлений от номинала и изготавливают преобразователь по измененному фотошаблону, отличающийся тем, что, с целью повышения точности за счет снижения разброса сопротивлений тензорезисторов, выполняют участок корректировки номинала каждого тензорезистора в виде полосы, ширина которой в 2-5 раз превышает ширину полосы самого тензорезистора, а концы соединены с выводным контактом и с одним из концов тензорезистора, а изменение конфигурации участков осуществляют с S выполнением на этих участках на промежуточном фотошаблоне с учетом его масштаба прорезей, ширина которых превышает двойную ширину бокового легирования при формировании тензорезисторов, а длина пропорциональна отклонению соответствующего сопротивления тензорезистора от номинала.