Способ формирования тензорезисто-POB Советский патент 1981 года по МПК C23C13/00 H01B5/14 

Изобретение относится к обпастн, измерительной техники и может Оалъ использовано как при разрггботке и изготовлении тонколленочных ftanora б эитных первичжззх преобразователей физических величин повышенной точнос ти, так и при изготовлении тонкоплевочных микросхем. Известен способ изготовления тонкопленочной интегральной схемы, предусматрИ9шаюий нанесение тонкой Ъленки мат.ер|1ала,обладазощего высоким адгезионньцда свдйствг1ми к материалу подложки. Затем на подложку наносят тонкую пленку материала, имеющего слабые адгезионные свойства по отношению к материалу подложки. Третья пленка, которая наносится на подлож ку, обладает слабыми aдгeзиoнны вt свойствами по отношению к подложке с двумя ранее нанесенными слоями, но имеет хорошую адгезию по отношению к материалу второго слоя. При нанесении четвертого слоя использует ся материал, аналогичный материалу первого слоя. Используя ультразвуковые колебания, создающие напряжения в третьем и четвертом слоях тонкопленочного покрытия, частично отслаи вают и отшелушивают третий и четвертый слои, в результате чего на топологическом рисунке, образованно1«1 первым и вторым тонкопленочными слоякм, получают еще два топологических слоя l . Однако этот способ не обеспечивает получение резисторов с высокой точностью, кроме того, операция ультразвуковой обработки создает напряжения в резистивном и проводящем слоях, которые являются причиной нестабильности резистивных тонкопленочных элементов. Наиболее близким по технической сущности к предложенному является способ формирования тензорезист оров, включающий нанесение на металлическую подложку с изолируюпдам слоем резистивной пленки, создание «онфи- rypaiyiH 9 лементов схемы методом фотолитографии, нанесение слоя проводящего материала 2. Недостатком способа является то, что при формировании резистивных элементов тонкопленочной схемы изоляционный слой должен обладать высокими адгезионными свойствами к материалу резистивной пленки, так как он входит в качестве подслоя материала токопроводящей пленки. Это приводит к тому, что при селективном травлении материала изоляцио ного слоя и его удалении с участков схемы, где располагаются резистйвны элементы,-не удается полностью удалить с резисторов материал изоляционного слоя и получить номиналы ре.зисторов с высокой точностью и Bdcпроизводимостью. Цель изобретения - повышение точности номиналов сс(противления теизорезисторов и их воспроизводимости, В спосрбе формирования тензорезисторов, включиощем нанесение на металлическую подложку с изолирующим слоем резистивной пленки, создание конфигурации элементов схемы методом фотолитографии, нанесение слоя проводящего материала, после нанесения резистивной,пленки наносят пленку материала, имеющего слабые адгезионные свойства с резистивным и изолиру щим слоями, а перед нанесением слоя проводящего материала наносят подслой из материи ала, именщего хорошие адгезионные свойства с материалом резистивного слоя, на слое проводящегго материала формируют маску, после чего удаляют пленку, имевицую слабые адгезионные свойства. На чертеже изображена схема феч)ш рования тензорезисторов. На металлическую подпожку 1 с изолирующим слоем 2 напыляется тонкая пленка тензорезистивного материа ла 3. В качестве последнего используется сплав-нихром X 20 Н 80. После проведения фотолитографии создается фоторезистивная защитная маска, чере которую травлением формируется конфигурация элементов схекы-тензорезнс торов и участки под контакты и токопроводящие дорожки. После проведения межоперационной химической обработки на подложку напыляется тонкая технологическая пленка 4 н методом фото литографии создаи тся участки под кон такты и токоведущие дорожки с последующим удалением в травителе материа ла технологического слоя в открытых местах. В качестве материгшов технологического слоя применялись тонкие пленки алк 4иния и медщ толв}иной 0,08-0,1 мкм. После 4aжoпepaциoннoй обработки на подложку натшяется слой проводящего материала 5 с подслоем 6. В качестве материала токопроводящего слоя используется золото а Материала подслоя - хром. Затем с помощью фоторезистивной маски формируется конфигурация контактных площадок и токопроводящих дорожек, и раздельным травлением удаляются незбицищенные участки золота и хрома до появления технологического слоя меди или алюминия. Последующим удалением материала технологического слоя открываются участки схемы, обладающие электрическим сопротивлением. При использовании предлагаемого способа изготовления тензоразисторов отсутствует загрязнение материала резистивной пленки материалом подслоя, обладающим высокой степенью адгезии к резистивному материалу, повышается точность получения номинала сопротивления и уменьшается разброс резисторов внутри cxetuu, можно изготовлять тензоризистивные схемы без использования подгонки резисторов, а также исключается воздействие травителей на изолирующий слой подложки в местах расположения элементов тенэорезистивной схемы. Формула изобретения Способ формирования тензсфезисторов, включакхций нанесение иа металлическую подложку с изодирукяцим слоем резистивной пленки, создание конфигурации элементов cxefu методом фотолитографии, нанесение слоя проводящего материала, отличающийся тем, что, с повышения тошости номиналов сопротивления тензорезисторов и их воспрсжзводимости, после нанесения резистивной пленки наносят пленку материала, имеющего слабые адгезионтяе свойства с резистивным н изолирукнцим слоями, а перед нанесением слоя проардящего материала наносят подслой из материала, къявягящ&го хорошие адгезионные свойства с материалом реэистивного слоя, на слое проводящего материала формируют маску, пОсле чего удаляют пленку, имеющую слабые адгезионные свойства. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1,Патент Японии № 50-8179, кл. Н 05 К 3/02, 1975. 2.Патент ОНА 3423260, кл. 156-3, 1969 (прототип).

1

%ijVy j iyVC i l i/IVv/7l

УХУУ

t $

ажт1я из)1жшк шжшяи