Способ корректировки фотошаблонов при изготовлении резисторов на кристаллах Советский патент 1982 года по МПК G01L1/22 

(54) СПОСОБ КОРРЕКТИРОВКИ ФОТОШАБЛОНОВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ РЕЗИСТОРОВ НА КРИСТАЛЛАХ

1

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при разработке и из1:отовлении полупроводниковых резисторов и тензорезисторов для малогабаритных первичных преобразователей.

Известен способ изготовления резисторов, включающий формирование упругого элемента с диффузионными тензорезисторами, соединенными по мостовой схеме, и калибровочными диффузионными резисторами 1.

Недостатками зтого способа являются значительный разброс со противлений тензорезисторов, а также увеличение габаритов тензопреобразователл за счет введения больших по площади калибровочных резисторов.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ корректировки при изготовлении тензометрического преобразователя, предусматривающий определение разброса сопротивления резисторов и корректировку слоя для вскрытия окон под контакты резисторов с металлизацией 2.

В этом способе на величину среднего систематического разброса сопротивлений влияют невоспроизводимость размеров щирины резисторов на различных чувствительных элементах, расположенных в разных местах пластины, разброс удельного поверхностного со- . противления по пластине, ошибка в шаге мультипликации при изготовлении рабочих фотошаблонов и неточность совмещения на опесашмх фотолитографии.

Целью изобретения является повышение

10 точности изготовления резисторов.

Поставленная цель достигается -тем, что согласно способу формируют с использованием единичных промежуточных фотошаблонов в увеличенном масщтабе резисторы, име15ющие удельное поверхностное сопротивление в 5-10 раз, превышающее удельное поверх. ностное сопротивление резисторов на кристаллах, определяют разброс сопротивлений формированных резистордв и переносят окна под

20 контакт с металлизацией на соответствующем единичном промежуточном фотошаблоне.

На фиг. 1. изображен радиальный резистор; на фиг. 2 - тангенциальный резистор.

Измерительная схема представляет собой два радиальных резистора, содержащих шесть прямолинейных участков 1, обладающих электрическим сопротивлением (фиг. 1) и два тангенциальных резисюра, каждый из которых содержит по два прямолинейных участка 2 резистивного слоя. (фиг. 2).

Методом фотолитографии на подложке формируют монтажные плоицадки 3 и металлизированные перемычки 4 в изгибах резисторов. При этом используют негативные фотошаблоны с единичным изображением схемы чувствительного элемента, представляющие со- бой слой .для вскрытия окон под контакты. Затем после удаления незащищенных фоторезистором участков проводящего слоя формируют фоторезистивную маску ре.эисторов измерительной схемы, используя для этого негативный фотошаблон с единичным изображением схемы чувствительного элемента, пред ставляющего собой слой -для вскрытия окон под резисторы.

На сформированных резисторах определяют систематическую ошибку и величину, среднего разброса сопротивлений и по .полученным

результа1ам определяют величину коррекщ1И положеиия контактного окна от расчетного и соответственно изменяют координаты соответствующих точек чертежа.

Пэ скорректированным координатам изготавливается новый негативный промежуточный фотошаблон слоя для вскрытия окон под контакты и последующим уменьшением с одновременным мультиплищ рованием изгоX

тавливают комплект рабочих фотошаблонов для последующего формирования измеритель-, ной схемы чувствительного элемента.

Использование предлагаемого способа позволяет повысить точность определения систематического разброса номиналов резисторов и точность корректировки их геометрии.

Формула изобретения

Способ корректировки фотошаблонов при изготовлении резисторов на кристаллах, включающий определение разброса их сопротивлений и корректировку слоя для вскрытия окон под контакт резисторов с металлизацией, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления резисторов, формируют с использованием единичных промежуточных фотошаблонов в увеличенном масштабе резисторы, имеющие удельное поверхностное сопротивление, в 5-10 раз превышающее удельное поверхностное сопротивление резисторов .на кристаллах, определяют разброс сопротивлений сформированных рези- . сторов и переносят окна под контакт с металлизацией на соответствующем единичном промежзточном фотошаблоне.

Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе

1.Патент Великобритании № 1208382, кл. G 1 N, опублик. .

2.Авторское свидетельство СССР N 769370, кл. G 01 L 1/22, 29.07.78 (прототип).

-

Фс/f.