Способ изготовления МДП-микросхем методом пошагового репродуцирования Советский патент 1990 года по МПК H01L21/82 

Изобретение относится к технологии изготовления МДП-микросхем с применением локального окисления и литографии с пошаговым репродуцированием и может использоваться при формировании знаков совмещения для автомати- , ческого совмещения топологических слоев.

Целью изобретения является повышение технологичности процесса изготовления МДП-микросхем .с пошаговым репродуцированием и уменьшение плот.ности поверхностных дефектов. : На фиг.1 показан.а структура со знаком совмещения в слое фоторезиста}

:о со

на фиг.2 - структура с V-канавкрй} на фиг.З - локальное легирование кремСП О1 ния 6opOMj на фиг.4 - структура микросхемы .

Принятые условия обозначения: пластина 1, окисел 2, нитррщ кремния 3, фоторезист 4, V-канавка 5| фог торезист 6, легирование бором 7, локальный окисел 8, металл 9, затворный окисел 10, поликремний 11, межслойный диэлектрик 12.

Пример. После очистки пластиЮ)1 кремния марки КДБ (100) окисляют до толщины окисла 500+50А, производят осаждение нитрида кремния толщиной

1500 100А методом РПД. Затем формируют топологический рисунок знака совмещения в пленке фоторезиста, выполняют плазмо-химическое травление нитрида кремния и химическое травление окисла кремния, После удаления фоторезиста осуществляют анизотропно травление кремния в трагителе состав

КОН 32 г сухого вещества

ИзопропиловьШ спирт 250 мл

Вода375 мл

при температуре травителя 70-75 С,

После этого сделав очистку пластин и фотолитографию по созданию маски из фоторезиста, выполняют операции легирования бором разделительных областей кремениж и ПХТ незащищенных фоторезистом участков нитрида кремния. После химическо1 о травле- ния послойного окисла удаляют фоторезист, производят очистку пластин и локальное окисление кремния до толщины окисла 1,0-1,1 мкм. Дпя формирования подлегированных затворнь1х областей кремния выполняют последовательно фотолитографию по созданию топологических рисунков в слое фоторезиста с операциями локального ионного легирования кремния соответственно фосфором и мышьяком, фоторезист при этом удаляют после каждог легирования.

Затем стравливают жидкостным методом нитрвд кремния и тонкий подслойный окисел.

После очистки пластин формируют подзатворный окисел толщиной выполняют фотолитографию по вскрытию специальных контактных окон, осаждают поликремний толщиной 0,5-0,6 мкм. Далее проводят фотолитографию по созданию затворных участков и межсоединений из поликремния.

После формирования активных областей легированием осаждают межслойную пленку . фосфорно-силикатного стекла (ФСС) толщиной 1,6±0,2 мкм и выполняют фотолитографию по вскрытию контактных окон, напыляют слой металла толщиной 0,8-1., О мкм, выполняют фотолитографию по формированию металлизированной разводки.,

Заключительные операции изготовления схемы - создание пассивирующего покрытия из окисла кремния толщиной 0,6-0,7 мкм с окнами над контактными площа дками из металла и низкотемпературньй отжиг пластин.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП- -v МИКРОСХЕМ МЕТОДОМ ПОШАГОВОГО РЕПРОДУЦИРОВАНИЯ, включающий процессы окисления Si-подложки, фотолитографического травления кремния в Ьбласти знаков сов 1ещения на кремн гевых пластинах через маску окисла, ; удаления окисла, окисления кремния, локального окисления кремния в пассивных областях микрд схем через маску из SijNi, окисления под затвор, фотолитографического формирования затворных электродов, диффузии легирующей примеси, фотолитографического вскрытия контактных окон, формировапия металлических межсоединений, отличающийсяя тем, что, с целью повьш1ения технологичности процесса изготовления МДП-микросхем с пошаговым репродуцированием и уменьшения плотности поверхностных деQ S фектов в кремнии, после окисления : кремниевой подложки осаждают пленку (Л Si:jN4 и затем через полученнзпо маску SiOg. - Si-jN формируют знаки совмещения и пассивные области микросхем.

Й/./

ттщ/ ym miisf:

/

i«a«fle«iMKtf UBut4AKvnAVV SMvoc;

iiijLitiiiuni JJIIIIIII тип тп

Фиа, f

.

-J

Физ.д

9 8

Физ.