Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интег ральным тензопреобразователям, используемым для измерения различных механических параметров перемещений, деформаций, усилий, давлений, ускорений и т.п. .
Цель изобретения - повышение точ ности и воспроизводимости характеристик тензорезисторов в партии.
На чертеже представлен интег ральный тензопреобразователь общий вид.
Интегральный тензопреобразовател содержит подложку 1, тензорезисторы 2 9, принадлежащие одному плечу моста, тензорезисторы 10 17, принадлежащие смежному с первым плечу моста, и токопроводящие дорожки 18, соединяющие тензорезисторы 2-17 между собой последовательно. Тензоре- зисторы размещены на подложке с чередованием по крайней мере в одном направлении (на чертеже - в -двух направлениях).
Интегральный тензопреобразова™ тель работает следующим образом.
При деформации подложки изменяются сопротивления тензорезисто™ ров 2-17 в соответствии с их индивидуальными тензочуБствительностя ми. Поскольку сигналы тензорезис торов 2-9, входящих в одно плечо моста, и сигналы тензорезисторов 10-17, входящих в другое плечо моста, соответственно складываются в каждом плече, то отклонения от но- минапа сопротивления отдельных тензорезисторов усредняются, как и их тензочувствительности, чувстви™ тельности к температуре, старению и другим влияющим факторам. Поэтому результирующий сигнал имеет меньшее отклонение от этих факторов, чем
Составитель Н. Тимошенко Редактор А. Огар Техред Н.Бонкало Корректор Л. Пилипенко
Заказ 1913/36 Тираж 670Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
отклонение у отдельно взятого тензо- резистора. При воздействии на подложку градиента температур также происходит частичная компенсация
отклонений сопротивлений отдельных тензорезисторов под влиянием изменения температуры,поэтому точность измерения предлагаемым интег.рапь- ньш тензопреобразователем вьшзе, чем
при измерении устройством с другим расположением тензорезисторов.
Усреднение технологических отклонений, получающихся при изготовле- - НИИ интегральных тензорезисторов методами групповой интегральной технологии, обеспечивает более высокую воспроизводимость характеристик тензопреобразователей в партии. Использование предлагаемого интегрального тензопреобразователя в датчиках различных механических параметров позволяет повысить их взаимозаменяемость,.увеличить выход числа годных датчиков в партии,
уменьшить чувствительность этих
датчиков к термоударам и градиентам температур, что способствует повышению точности измерений.
Формул а- изобретения
Интегральный тензопреобразователь, содержащий подложку и по крайней мере два смежных плеча моста, каж-f дое из которых выполнено по крайней мере из двух тензорезисторов и соединяющих их токопроводящих дорожек, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и вое- .
производимости характеристик тензо- преобразователей в партии,тензорезисторы, принадлежащие смежным плечам моста, размещены на подложке с чередованием по крайней мере в
одном направлении,
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Полупроводниковый тензопреобразователь | 1985 |
|
SU1415086A2 |
Тензометрическое устройство | 1989 |
|
SU1679224A1 |
СПОСОБ НАСТРОЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1991 |
|
RU2017060C1 |
Тензопреобразователь | 1987 |
|
SU1446459A1 |
Полупроводниковый тензопреобразователь | 1983 |
|
SU1138750A1 |
ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 2015 |
|
RU2611894C1 |
Интегральный тензометрический мост и способ его настройки | 1986 |
|
SU1368621A1 |
Полупроводниковый тензопреобразователь | 1989 |
|
SU1740997A1 |
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДАВЛЕНИЯ И ТЕМПЕРАТУРЫ | 2015 |
|
RU2606550C1 |
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУРЫ "ПОЛИКРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК" | 2012 |
|
RU2531549C2 |
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения различных механических параметров - перемещений, деформаций, усилий, давлений, ускорений и т.п. Цель изобретения - новьшение точности и воспроизвс димости характеристик тензорезисторов в партии, что достигается расположением тензорезисторов смежных плеч моста на под ложке с чередованием по крайней мере в одном направлении, вследствие чего разброс характеристик отдельных тензорезисторов. усредняется, а чувствительности и условия функциониро вания тензорезисторов, входящих в смежные плечи моста, взаимно уравниваются. Интегральный тензопреобразо. ватель содержит подложку 1, на которой в одном или Б двух направлениях чередуются тензорезисторы 2- 7, входящие в смежные гатечи моста. Такое расположение /позволяет обеспечить более высокую воспроизводи- мость характеристик тензопреобразова- телей в партии при заданных технологических отклонениях, снизить чувствительность к температуре, старе- нию, градиенту температур и т.п.1 иЛ.
Способ нанесения заправочного слоя на футеровку сталеплавильного агрегата | 1983 |
|
SU1148877A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1986-04-15—Публикация
1983-08-16—Подача