Способ изготовления тензорезистивной структуры Советский патент 1986 года по МПК G01B7/16 

Изобретение относится к измери гельной технике, а именно к тензо- метрическим датчикам, и может быть использовано при изготовлении тензо метрических датчиков контактного сопротивления.

Цель изобретения - упрощение технологии изготовления тензорезистив- ной структуры.

На фиг. 1 представлена схема, поясняющая способ изготовления тен- зорезистивной структуры; на фиг. 2- схема датчика давления.

На фиг. 1 обозначены подложка 1, слой 2 селена гексагональной моди фикации, слой 3 раствора хлорного железа, а также нагревательный элемент 4.

На фиг. 2 схематически изображе ны подложка 1, готовая тензочувстви тельная структура 5 датчика давления, а также металлические обкладки 6 и омметр 7 (Р - измеряемая сила) .

Способ изготовления тензорезистив ной структуры осуществляют следующим образом.

На подложке 1 известным способом получают слой 2 селена гексагональной модификации. Поверхность слоя 2 селена смачивают раствором хлорного железа (3), например, в ацетоне, по отношению к которому слой 2 селена является гидрофильным.

Ацетон испаряется, и на поверхности селена остается тонкий однородный слой микрокристаллов хлорного железа. Подложку 1 с нанесенным на нее слоем 2 селена гексагональ™ ной модификации и слоем микрокрис- таллов хлорного железа помещают на поверхность нагревательного злемен- та 4 и термообрабатывают при 180-210 С.

3

2

Контроль готовности тензорезис- тивной структуры 5 производят непосредственно в процессе термообработки, замеряя сопротивление меж-

ду металлическими обкладками 6 с помощью омметра 7 при воздействии образцовой нагрузки Р.

Для сохранения длительной работоспособности тензорезистивной структуры 5 подложку выполняют и.з диэлектрического материала.

Использование предлагаемого способа изготовления тензорезистивной структуры позволяет значительно упростить технологию и снизить трудоемкость изготовления датчиков контактного сопротивления.

Формула изобретения

1,Способ изготовления тензоре- зистивной структуры тензометричес- кого датчика контактного сопротивления, включающий нанесение на подложку слоя селена гексагональной модификации и обработку слоя селена в растворе хлорного железа, о т л и -

чающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления тензорезистивной структуры, обработку поверхности слоя селена проводят смачиванием раствором хлорного железа и производят термическую обработку при 180-210°С до готовности структуры.

2.Способ по п. 1,отличаю- щ и и с я тем, что, с целью сохране

ПИЯ длительной работоспособности тензорезистивной структуры, подлож ку выполняют из диэлектрического материала.

.6

r-fcSSS

i;;i «SiiS i $2 ii ;i ; $SJrifSii:j;ifi

, / / /// .,

/ ;/ ;J/ / / / 7

Y/7//77A

фиг.2

Изобретение относится к измерительной технике, к методам изготовления тензорезистивных структур. Изобретение позволяет упростить технологию изготовления тензорезис- тивной структуры датчиков контактного сопротивления за счет того, что поверхность селена на подложке смачивают раствором хлорного железа, например, в ацетоне, по отношению к которому слой селена является гидрофильным. Ацетон испаряется, и на поверхности селена остается тон- . кий однородный слой микрокристаплов хлорного железа. Полученную таким образом структуру помещают на поверх ность нагревательного элемента и термообрабатывают при 180-210°С. Контроль готовности тензорезистив- ной структуры производят непосред.ственно в процессе термообработки, замеряя сопротивление между металлическими обкладками с помощью омметра при воздействии, образцовой нагрузки. Для сохранения длительной работоспособности тензорезистивной структуры подложку выполняют из диэлектрического материала. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. i (Л С