СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКОГО ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА Советский патент 2012 года по МПК H01L21/316

Похожие патенты SU1225430A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА	1984	Румак Н.В. Хатько В.В. Плотников В.Н. Ясников В.Е.	SU1282767A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖКОМПОНЕНТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ К МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ	1986	Корешков Г.А. Плотников В.Н. Румак Н.В. Хатько В.В. Шевчук И.Г.	SU1356895A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПЛАТИНЫ	1996	Смолин В.К. Кондрашевский В.П.	RU2110112C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ ОКСИДА КРЕМНИЯ	1986	Буляк Б.Н. Плотников В.Н. Румак Н.В. Хатько В.В. Шевчук И.Г. Ясников В.Е.	SU1371456A1
СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРЕМНИЯ ФОСФОРОМ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ P-N ПЕРЕХОДОВ	2015	Скворцов Аркадий Алексеевич Корячко Марина Валерьевна Скворцов Павел Аркадьевич Рыбакова Маргарита Рушановна Скворцова Елена Николаевна	RU2612043C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ	2004	Настаушев Юрий Владимирович Наумова Ольга Викторовна Дульцев Федор Николаевич	RU2274926C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНЫХ НАНОМАТЕРИАЛОВ С НАНЕСЁННЫМ ДИОКСИДОМ КРЕМНИЯ	2012	Чесноков Владимир Викторович Пармон Валентин Николаевич Чичкань Александра Сергеевна	RU2516409C2
Способ получения газочувствительного элемента на основе многослойной структуры пористого кремния на изоляторе и SnO	2017	Болотов Валерий Викторович Росликов Владислав Евгеньевич Росликова Екатерина Александровна Ивлев Константин Евгеньевич Князев Егор Владимирович	RU2674406C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ	1988	Кочубей В.Ф. Сенюта Т.Б. Гутор И.М. Аврустимов В.Л. Бирковый Ю.Л. Токарчук В.П. Гуменяк М.В. Маскович С.Н.	RU2061095C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОГО СЛОЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ	2013	Мустафаев Гасан Абакарович Мустафаев Абдулла Гасанович Мустафаев Арслан Гасанович	RU2539801C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКОГО ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O₂ и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышения качества окисла, подслой двуокиси кремния толщиной 7-12 нм формируют последовательным повышением температуры до температуры окисления в течение 20-50 мин в атмосфере, содержащей 0,5-10 об.% кислорода и выдержкой в течение 3-45 мин в атмосфере, содержащей 10-50 об.% кислорода, а доокисление проводят в атмосфере Ar-O₂-HCl, содержащей 10-50 об.% кислорода, при соотношении расходуемых объемов HCl/O 0,01-0,04.

SU 1 225 430 A1

Авторы

Румак Н.В.

Хатько В.В.

Плотников В.Н.

Ясников В.Е.

Даты

2012-06-27—Публикация

1984-07-13—Подача