СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА Советский патент 2012 года по МПК H01L21/316

Похожие патенты SU1282767A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКОГО ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА	1984	Румак Н.В. Хатько В.В. Плотников В.Н. Ясников В.Е.	SU1225430A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАТВОРНЫХ ОБЛАСТЕЙ КМОП-ТРАНЗИСТОРОВ	2003	Манжа Николай Михайлович Долгов Алексей Николаевич Еременко Александр Николаевич	RU2297692C2
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ ОКСИДА КРЕМНИЯ	1986	Буляк Б.Н. Плотников В.Н. Румак Н.В. Хатько В.В. Шевчук И.Г. Ясников В.Е.	SU1371456A1
Способ изготовления полупроводникового прибора	2019	Хасанов Асламбек Идрисович Мустафаев Арслан Гасанович Мустафаев Гасан Абакарович Кутуев Руслан Азаевич Хазбулатов Зелимхан Лечиевич	RU2719622C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ МОП-СТРУКТУР	1984	Румак Н.В. Хатько В.В. Плотников В.Н. Ясников В.Е.	SU1223789A1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКОГО ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА	1983	Румак Н.В. Хатько В.В. Плотников В.Н.	SU1147205A1
Способ выращивания нитевидных нанокристаллов диоксида кремния	2017	Небольсин Валерий Александрович Дунаев Александр Игоревич Татаренков Александр Федорович Самофалова Алевтина Сергеевна	RU2681037C2
Способ изготовления полупроводникового прибора	2023	Мустафаев Гасан Абакарович Черкесова Наталья Васильевна	RU2822580C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ	2002	Андреев В.В. Барышев В.Г. Бондаренко Г.Г. Масловский В.М. Масловский М.В. Столяров М.А. Ткаченко А.Л. Улунц Г.А.	RU2206142C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОГО СЛОЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ	2013	Мустафаев Гасан Абакарович Мустафаев Абдулла Гасанович Мустафаев Арслан Гасанович	RU2539801C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O₂-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O₂ = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O₂-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.

SU 1 282 767 A1

Авторы

Румак Н.В.

Хатько В.В.

Плотников В.Н.

Ясников В.Е.

Даты

2012-06-20—Публикация

1984-09-08—Подача