| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКОГО ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА | 1984 |
|
SU1225430A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖКОМПОНЕНТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ К МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 1986 |
|
SU1356895A1 |
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА | 1984 |
|
SU1282767A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ | 1986 |
|
RU1499614C |
| Способ изготовления МДП-транзисторов интегральных микросхем | 1985 |
|
SU1322929A1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАТВОРНЫХ ОБЛАСТЕЙ КМОП-ТРАНЗИСТОРОВ | 2003 |
|
RU2297692C2 |
| Способ изготовления полупроводникового прибора | 2023 |
|
RU2805132C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КМОП-СТРУКТУР С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ | 1992 |
|
RU2056673C1 |
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ | 2004 |
|
RU2274926C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КМОП-СТРУКТУР С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ | 1992 |
|
RU2038647C1 |
Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в атмосфере кислорода в течение 3-30 мин, а затем в атмосфере кислорода, содержащего 1·10-4 - 3 об.% хлористого водорода в течение 3-15 мин, а доокисление подслоя осуществляют в газовой смеси, содержащей 1·10-4 - 3 об.% хлористого водорода.
