Способ контроля адгезии пленок Советский патент 1986 года по МПК G01N19/04 

Описание патента на изобретение SU1229656A1

I

Изобретение откосится к испытательной технике, а именно к способам контроля адгезии пленок.

Цель изобретения - расширение функциональных, возможностей путем обеспечения приложения разрушающей ьагрузки на участках протяженностью не более 100 мкм и ускорение контроля адгезии пленок.

Способ осуществляют следующим образом.

На подложку наносят испытуемую пленку одним из известных способов и доводят ее до отверждения. После отверждения пленки воздействуют на нее разрушающей нагрузкой с помощыо не менее двух одинаковых источников разрушения в виде лазеров. При этом интенсивность источников разрушения выбирают превьшающей пороговую интесивность разрушения пленки.

Источники разрушения располагают один от-другого на расстоянии t, определяемом из условия

где

,

а - коэффициент теплопроводности материала подхсожки;

t длительность воздействия источников разрушения.

Использование не менее двух одинаковых источников разрушения обуславливает образование нескольких зон разрушения в пленке одновременно и ускорение процесса контроля а;цгезии на одном образце. Минимальная площадь разрушения пленки от одного источника разрушения определяется его интенсивностью, а максимальная площадь разрушения пленки на одном образце выбирается из условия одновременного размещения источников разрушения на расстоянии F fat , В случае размещения источников разрушения на расстоянии I меньше указанного, пленка расплав- ляятся при наложении импульсов один на другой из-за отсутствия достаточного теплоотвода в материал.подложки. Максимальное расстояние между источ- никаьш разрушения ограничивают исходя из размеров контролируемой площади образца не более 100 мкм.

Чем .меньше величина адгезии пленки к подложка, тем значительнее роль гидродинамических эффектов в процессе разрушения пленки и ниже порог их разрушения из-за возрастания внутрен них напряжений, приводящих к увели1229656

чению размеров

зоны разрушения. При

воздействии на пленку лазером на ее поверхности разрушение начинает развиваться в местах максимальных

интенсивностей источников разрушения. Ре1сплав пленки начинает стягиваться под действием сил поверхностного натяжения к краям зоны разрушения, В случае хорошей адгезии пленки к

подложке разрушить всю пленку между максимумами источников разрушения невозможно, не доведя ее до температуры испарения. Температура нагрева пленки зависит от теплопроводности

материала подложки, качества сцепления гшенки с подложкой и длительности воздействия источников разрушения на пленку. Для тонких пленок характерно неравномерное распределе-

ние сщгезии, поэтому следует более тщательно подготовить поверхность подложки для нанесения на нее пленок. После воздействия на пленку источниками разрушения определяют

площадь разрушения пленки, по величине которой судят об адгезии пленок к подлонке. Для количественной оценки величины адгезии используют косвенный метод измерения, заключающий-

ся в сравнении минимального расстояния, при котором разрушается область пленки между двумя источниками разрушения,, с градуировочной кривой зависимости силы адгезии от расстояния между источниками разрушения, определяемой каким-либо известным методом,,

Формула изобретения

1 Способ контроля адгезии пленок при котором плёнку наносят на подложку, воздействуют на нее разрушающей нагрузкой и по площади разрушения судят об адгезии, отличаюЩ И.и с я тем, что, с ц елью расширения его функциональных возможностей путем обеспечения приложения разрушающей нагрузки на участках протяженностью н.е более 100 мкм и ускорекия контроля, воздействие на пленку осуществляют с помощью не менее двух одинаковых источников разрушения, интенсивность которых превьш1ает пороговую интенсивность разрушения

пленки и которые располагают один от другого на расстоянии Р, определяемом из условия

. г V/aF,

31229656

где а - коэффициент теплопроводности 2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю -/

материала подложки;щ и и с я тем, что в качестве исt - длительность воздействия ис- точников разрушения используют ла- точников разрушения.зеры.

Похожие патенты SU1229656A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК К YBACUO ПЛЕНКАМ 2013
  • Серопян Геннадий Михайлович
  • Сычев Сергей Александрович
  • Петров Александр Геннадьевич
  • Федосов Денис Викторович
  • Позыгун Ирина Станиславовна
RU2538932C2
Способ неразрушающего контроля качества адгезии пленочного покрытия к подложке 1989
  • Чокоев Эрик Сатаркулович
  • Юнусов Марат Нурович
  • Абдылдаев Обозбек Талипович
  • Эстебесов Токтогазы Кожалиевич
SU1732238A1
СПОСОБ КАЧЕСТВЕННОЙ ОЦЕНКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ПРОЧНОСТИ ОБРАЗЦА НА РАЗРЫВ В КОНДЕНСИРОВАННОМ СОСТОЯНИИ В ПИКОСЕКУНДНОМ ВРЕМЕННОМ ДИАПАЗОНЕ 2015
  • Агранат Михаил Борисович
  • Ашитков Сергей Игоревич
  • Комаров Павел Сергеевич
RU2597939C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКОГО РИСУНКА НА ПОВЕРХНОСТИ АМОРФНЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК ФАЗОПЕРЕМЕННЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ 2022
  • Смаев Михаил Петрович
  • Глухенькая Виктория Борисовна
  • Лазаренко Петр Иванович
  • Будаговский Иван Андреевич
  • Козюхин Сергей Александрович
RU2786788C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ, ИМЕЮЩЕЙ ОБЛАСТИ С РАЗЛИЧНЫМИ ЗНАЧЕНИЯМИ ПЛОТНОСТИ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА 2008
  • Серопян Геннадий Михайлович
  • Захаров Александр Владимирович
  • Муравьев Александр Борисович
  • Югай Климентий Николаевич
  • Сычев Сергей Александрович
  • Скутин Анатолий Александрович
  • Давлеткильдеев Надим Анварович
  • Блинов Василий Иванович
RU2375789C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ПЛЕНОК 1992
  • Кукуев В.И.
  • Томашпольский Ю.Я.
  • Суровцев И.С.
  • Арсенов А.В.
  • Севостьянов М.А.
  • Лесовой М.В.
  • Рембеза Е.С.
RU2037915C1
ПОКРЫТИЕ ИЗ НИТРИДА УГЛЕРОДА И ИЗДЕЛИЕ С ТАКИМ ПОКРЫТИЕМ 2007
  • Лаппалаинен Реийо
  • Мюллюмяки Веса
  • Пулли Лассе
  • Руутту Яри
  • Мякитало Юха
RU2467850C2
СПОСОБ ПОЛЯРИЗАЦИИ ПЛЁНКИ ИЗ ПОЛИМЕРНОГО МАТЕРИАЛА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2021
  • Бакулин Игорь Александрович
  • Кузнецов Сергей Иванович
  • Тарасова Екатерина Юрьевна
  • Панин Антон Сергеевич
RU2755643C1
СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ И СИСТЕМА ДЛЯ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2007
  • Лаппалаинен Реийо
  • Мюллюмяки Веса
  • Пулли Лассе
  • Рууту Яри
  • Мякитало Юха
RU2467851C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2011
  • Гончаров Вадим Дмитриевич
  • Самсонов Дмитрий Сергеевич
  • Фискин Евгений Михайлович
RU2471884C2

Реферат патента 1986 года Способ контроля адгезии пленок

Изобретение относится к испытй- тельной технике, а именно к способам контроля адгезии пленок, и позволяет расширить функциональные возможности путем обеспечения приложения разрушающей нагрузки на участках протяженностью не более 100 мкм и ускорить контроль адгезии пленок к подложке. Воздействуют на пленку с помощью не менее двух одинаковых источников разрушения в виде лазеров, располо- женньсх один от другого на расстоянии Е, определяемом из условия F /aTtjlj, где а - коэффициент теплопроводности материала подложки; t - длительность воздействия источников разрушения. Размещение источников разрушения на заданном расстоянии один от другого позволяет контролировать качество адгезии одновременно в разных местах поверхности испытуемых образцов без расплавления пленки. 1 з.п. ф-лы. с (Л с: го ГчО 3 СП 05

Формула изобретения SU 1 229 656 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1986 года SU1229656A1

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ АДГЕЗИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК К ПОДЛОЖКЕ 0
  • А. И. Мазур, М. Шоршоров, В. Г. Алешечкин, В. П. Алёхин Г. И. Маршалкин
SU395750A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Заводская лаборатория, 1979, № 5, с
Прибор для вычерчивания конических сечений 1922
  • Глушков В.Т.
SU457A1

SU 1 229 656 A1

Авторы

Черняховский Александр Дмитриевич

Весновская Валентина Петровна

Даты

1986-05-07Публикация

1984-08-27Подача