Способ изготовления матриц из пленочных диодов Советский патент 1959 года по МПК G11C5/02 G11C11/14 G11C11/36 

Известные способы изготовления матриц из пленочных диодов, предназначенных для вычислительных устройств, характеризуются сложной технологией производства и не дают возможности получать многослойные матрицы с большой плотностью точек.

Для устранения указанных недостатков предлагается наносить пленки диодов одна на другую на изолирующую основу с микрорельефом, например на анодированный алюминий, и получать их испарением соответствующих веществ, например золота и кристаллического селена, в вакууме.

Па фиг. 1 изображена принципиальная схема матрицы, получаемой но предлагаемому способу; на фиг. 2 и 3 - схема нанесения электродов па подложку.

Матрица представляет собой прямоугольную сетку электродов, места пересечения которых представляют собой диоды. Выпрямляющую ячейку - диод составляют тонкие металлические слои а и 6; и тонкий слой полупроводника между ними. Металлы нодобраны так, что в контакте одного из них с полупроводником возникает запирающий слой, который и обуславливает вынрямляющие свойства такой ячейки. В обпдем случае диодная ячейка может быть и более сложной, нанример, она может состоять из двух металлических электродов и двух или даже из трех полупроводниковых слоев между ними.

Матрица изготовляется путем нанесения друг на друга соответствующих веществ испарением в вакууме через трафареты на непроводящую подложку /. В качестве подложки для матрицы служит анодированный алюминий. Выпрямляющая же ячейка-диод составляется из двух тонких металлических электродов, разделенных тонки.м слоем кристаллического селена. Материалом для контактного электрода может служить золото или платина, а для выпрямляющего электрода - алюминий или магний. Панесение электродов и

селена нроизводится в вакууме порядка мм рт. ст. через соответствующие трафареты. В случае нанесения первыми электродных полосок 2 из золота или платины (фиг. 2) полоски 5 селена наносятся вдоль полосок 2. Когда первыми наносятся электродные полоски 4 из алюмиппя, селен иапосится поперечными полосками 3 (фиг. 3).

Во время напыления селена температура подложки поддерживается в пределах 60-

. После напыления селена подложка помещается в печь, в которой,она прогревается при 200-210°С около 30 мин. Желательно нагревать и охлаждать подложку постепенно. После этих операций поверхность селена

поверхность. Второй электрод наносится полосками на селен поперек полосок нижнего электрода., сли.вторым электродом является алюминий или магний, то этим процесс изготовления матрнцй кончается. Когда вторым электродом является золото или .платина, те после нанесения этого электрода матрица прогревается в печи 15 мин при 200-210°С. i Толщина электродов может не превышать нескольких десятых микрона. Толщина слоя селена выбирается в зависимости от режима работы. В общем случае она не превышает 15-20 мм. Для крепления проводов на концы электродов испарением в вакууме или шопированием наносится слой олова, свинца или висмута. В случае шопирования можно применять сплав Вуда или Розе. Наносимый слой не должен касаться отверстий. Через отверстие пропускается многожильная изолированная проволока диаметром в 0,12-0,15 мм с залуженным концом, который и припаивается сплавом Вуда или Розе к утолщенным местам электродов.

Предмет изобретения

Способ изготовления матриц из пленочных диодов, предназначенных для вычислительных

устройств, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления и получения сложных многослойных матриц с большой плотностью точек, пленки диодов наносят одна на другую на изолирующую основу с микрорельефом, например анодированный алюминий, и получают их испарением соответствующих веществ, например золота и кристаллического селена, в вакууме.

,.,ЛД 1ЖЖ

-ЛЛЛ

V ./