Элемент памяти Советский патент 1986 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в запоминаю- 111;их устройствах, в устройствах бесконтактного ввода информации в ЭВМ, в кодирующих устройствах и др.

Целью изобретения является упрощение элемента памяти.

На фиг. 1 и 2 показано распреде- леш1е намагниченности в элементе па- мяти при наличии и отсутствии внешнего магнитного поля; на фиг. 3 - петля гистерезиса элемента памяти.

Элемент памяти (фиг. 1 и 2) содержит высококоэрцитивную (400-1200 А/м ферромагнитную проволоку 1 с прямоугольной петлей гистерезиса (ППГ), немагнитный материал (например, медь) 2, осажденный на проволоку 1, и электрохимически осажденную на ма- териал 2 низкокоэрцитивную (160- 240 А/м) магнитную пленку 3.

Оси легкого намагничивания ферромагнитной проволоки 1 и пленки 3 направлены вдоль оси проволоки. Эффективная площадь сечения проволоки 1 может иметь значение, настолько близкое к значению эффективной площади сечения пленки 3 (толщина которой 1- 2 мк), насколько это позволяет технология осаждения пленки, что значительно расширяет пределы микромини- атюриз ции элемента памяти. Представляется возможным изготовить элементы памяти диаметром 0,01-0,1 мм и длиной 5-10 мм.

Предлагаемый элемент памяти работает следующим образом.

При воздействии достаточно сильного внешнего магнитного поля элемент памяти устанавливается в первое магнитное состояние насыщения (фиг.1) , соответствующее точке установки петли гистерезиса на фиг. 3. При это элемент памяти фактически является постоянным магнитом, так как направления-намагниченности проволоки 1

;

5 0

5

5

и пленки 3 совпадают, а магнитный поток зам 1кается по воздуху.

При уменьшении магнитного поля . до определенной величины, соответствующей точке сброса петли гистерезиса (фиг. 3), происходит переключение элемента памяти во второе магнитное состояние, когда п.пенка 3 пере- магничивается в противоположном направлении, а магнитный поток замыкается внутри образца (фиг. 2). Если рядом с элементом памяти разместить детекторную обмотку, то в ней при этом будет генерироваться импульс.

Так как.при определенной системе воздействия внешнего магнитного поля перемагничивание пленки 3 может происходить путем когерентного вращения за время порядка нескольких наносекунд, то продолжительность электрического импульса на выходе уменьшается, что позволяет считывать большее количество импульсов .за единицу времени. Этот факт наряду со стабильностью параметров от образца к образцу при непрерывном осаждении пленки значительно повьш1ает точность измерения устройств на основе предлагаемого элемента памяти.

Фор мул с1 изобретения

Элемент памяти, содержащий два ко- аксиально расположенных ферромагнитных цилиндра с прямоугольной петлей гистерезиса, оси легкого намагничивания которых направлены вдоль оси цилиндров, отличающийся тем что, с целью упрощения элемента памяти, ол содержит немагнитный материал, расположенный между ферромагнитными цилиндрами, причем внутренний ферромагнитный цилиндр выполнен в виде высококоэрцитивной ферромагнитной проволоки, а внешний ферромагнитный цилиндр - в виде низкокоэрцитивной магнитной пленки.

фуг./

сброс Не

Составитель Ю.Розенталь Редактор Т.Парфенова Техред О.Сопко Корректор Е.Рошко

Заказ 3603/46 Тираж 543Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул. Проектная, 4

иг, 2

фиг, 3

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в запоминающих устройствах, в устройствах бесконтактного ввода информации в ЭВМ, в кодирунмцих устройствах и др. Целью изобретения является упрощение элемента памяти. Элемент памяти содержит высококоэрцитивную (400-1200 А/м) ферромагнитную проволоку с ППГ, немагнитный материал (например, медь), осажденный на проволоку, и электрохимически осажденную на материал кокоэрцитивную (160-240 А/м) магнитную пленку. Во время работы в зависимости от величины внешнего магнитного поля элемент памяти устанавливается в одно.из двух устойчивых магнитных состояний на ППГ. Переход из одного устойчивого состояния в другое осуществляется путем когерентного вращения за время порядка нескольких наносекунд. 3 ил. Q ifi (Л S3 ik to CX Od