Элемент памяти Советский патент 1989 года по МПК G11C5/00 G11C11/14 

.1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВМ и др.

Цель изобретения - увеличение отношения сигнал-помеха при считывании информации.

На фиг. 1 и 2 показано распределение намагниченности в элементе при наличии (фиг. 1) и в отсутствии (фиг. 2) внешнего магнитного поля Н на фиг. 3 - частная петля перемаг- ничивания элемента памяти в однопо- лярном магнитном поле М(Не,).

Элемент памяти содержит коакси- ально расположенные ферромагнитные подложку 1 в форма-ленты из низкокоэрцитивного материала (1-10) А/м и электрохимически осажденную на нее высок коэрцитивную (800-2000) А/м пленку 2 (например, кобальтовую). Подложка 1 ;И пленка 2 выполнены из материалов с

е

-

10

15

20

ничивается под действием размагничивающего поля в направлении, -обратном направлению намагниченности пленки 2, обеспечивая минимум внутренней энергии. При этом в обмотке считывания наводр тся выходной сигнал.

Структура аморфных сплавов, в отличие прликристаллических, характеризуется отсутствием границ блоков, зерен и других дефектов структуры, служащих источниками существования множества зародышей перемагничивания, которые способствуют разбиванию ветвей петли гистерезиса на ряд мелких скачков Баркгаузена. Поэтому возможно перемагничивание аморфной ленты одним единственным скачком Баркгаузена, которому будет соответствовать вертикальная отвесная ветвь ППГ и один явно выраженный выходной импульс. Так как амплитуда импульса зависит от диапазона скачкообразного изменения намагниченности, то при перемагни

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВМ и др. Целью изобретения является увеличение отношения сигнал/помеха при считывании информации. Элемент памяти содержит коаксиально расположенные ферромагнитную подложку 1 в форме ленты из низкокоэрцитивного материала (1-10А/м) и электрохимически осажденную на нее высококоэрцитивную (800-2000 А/м) пленку 2 (например, кобальтовую). Подложка 1 и пленка 2 выполнены из материалов с ППГ, причем оси их легкого намагничивания направлены вдоль длины элемента памяти. Подложка 1 может быть выполнена из аморфного состава /например, 45НПР-А, 81КСР-А/. Элемент памяти содержит также обмотку считывания, магнитосвязанную с подложкой 1 и пленкой 2. Длина элемента памяти выбирается таким образом, чтобы размагничивающее поле образца превышало значение коэрцитивной силы подложки 1, но было меньше коэрцитивной силы пленки 2. 1 з.п.ф-лы, 3 ил.

;ППГ, причем оси их легкого намагничи- 25 чивании аморфного сплава с такой же вания направлены вдапь длины элемента памяти. Подложка 1 может быть выполнена из аморфного сплава (например, 45НПР-А, 81КСР-А).

Iи

Элемент памяти содержит также об- ЗО

мотку считывания (на фиг, 1 и 2 не показана) , магнитосвязанную с подложкой 1 и пленкой 2.

Дгйгна элемента памяти выбирается

таким образом, чтобы размагничивающее 35 щие или скручивающие напряжения, поле образца превьшало значение коэрцитивной, силы подложки-1, но быпо меньше коэрцитивной силы пленки 2.

Элемент памяти работает следующем образом.40

При воздействии достаточно сильного внешнего магнитного поля элемент памяти устанавливается в первое магнитное состояние насьпцения

остаточной намагниченностью, как и у поликристаллического, достигается увеличение амплитуды выходного сигнала,

При этом ППГ и анизотропия достигаются за счет наведения магнитной текстуры при соответствующей термомагнитной обработке, и нет необходимости создавать упругие растягиваюАмплитуда выходного сигнала пропорциональна объему перемагничивае- мой области при заданных значениях намагниченности и скорости перемагничивания, т.е. определяется площадь пленки 2.

Для повышения амплитуды выходного сигнала в элементе памяти увеличивать толщину пленки можно лишь до опреде(фиг. 1), соответствующее точке ус 45 ленных значений (8-10 мкм), при претановки петли гистерезиса на фиг. 3,

При этом элемент памяти фактически

является постоянным магнитом, так как

направления намагниченности подложки

1- и пленки 2 совпадают, а магнитный ,Q

поток замыкается по воздуху.

При уменьшении магнитного поля до определенной величины Н cepocq соответствующей точке сброса петли гистерезиса (фиг. 3), происходит пере- .ключение элемента памяти во второе магнитное состояние (фиг. 2). При этом пленка 2 остается в намагниченном состоянии, а подложка 1 перемагвышении которьгх наруи ается механическая прочность, сцепление пленки 2 с внутренней областью и ухудшаются магнитные характеристики (ППГ и анизотропия, наводимые в пленке при ее осаждении в продольном магнитном поле) . Поэтому увеличение площади сечения пленки 2 можно достичь лишь за счет увеличения периметра сечения внутренней области, на которую она осаждается, например, путем вьтолне- ния подложки в форме ленты с прямоугольным сечением, как это сделано в предложенном элементе памяти.

чивании аморфного сплава с такой же

остаточной намагниченностью, как и у поликристаллического, достигается увеличение амплитуды выходного сигнала,

При этом ППГ и анизотропия достигаются за счет наведения магнитной текстуры при соответствующей термомагнитной обработке, и нет необходимости создавать упругие растягивающие или скручивающие напряжения,

Амплитуда выходного сигнала пропорциональна объему перемагничивае- мой области при заданных значениях намагниченности и скорости перемагничивания, т.е. определяется площадь пленки 2.

Для повышения амплитуды выходного сигнала в элементе памяти увеличиват толщину пленки можно лишь до опредевышении которьгх наруи ается механическая прочность, сцепление пленки 2 с внутренней областью и ухудшаются магнитные характеристики (ППГ и анизотропия, наводимые в пленке при ее осаждении в продольном магнитном поле) . Поэтому увеличение площади сечения пленки 2 можно достичь лишь за счет увеличения периметра сечения внутренней области, на которую она осаждается, например, путем вьтолне- ния подложки в форме ленты с прямоугольным сечением, как это сделано в предложенном элементе памяти.

Формула изобретения

Составитель Ю.Розенталь

Техред М.Ходанич Корректор Т.Малец

Заказ 6970/50

Тираж 558

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

с я тем, что, с целью увеличения отношения сигнал/помеха при считывании информатдаи, ферромагнитная подложка выполнена в форме ленты из низкокоэрцитивного материала.

Фие.1

М

Г

.

c5pQc tiycm Физ,5

Не

Подписное