Способ определения параметров термопластического и фотопластического носителей записи Советский патент 1986 года по МПК H04N17/00 

эл.заряда на ТПНЗ не более 0,1 времени нарастания видеосигнала в первый период и измеряют время нарастания и спада видеосигнала tj, , t. . По заданному спаду амплитуды видеосигнала определяют срок службы ТПНЗ. По формулам, учитывающим время нарастания и спада видеосигнала t(,,-tu влияние толщины и дизл. проницаемости ТПНЗ и характер скрытого изображения, определяют время электрической релаксации, вязкость и уд. сопротивление ТПНЗ. В устройстве, реализующем способ, ТПНЗ 6 подогревается блоком 9 нагрева. С помощью электронно-оптической системы сосИзобретение относится к технике телевидения и может быть использовано для оЛределения физических и эксплуатационных параметров электрографических и электрофотографических п риемных слоев с термопластическим и фотопластическим проявлением, а также для контроля изменения этих параметров в ходе многократной перезаписи.

Цель изобретения - расширение функциональных возможностей за счет увеличения числа измеряемых параметров.

На фиг. 1 приведена структурная смещанная схема устройства для осуществления способа определения параметров термопластического и фотоплас- тического носителей записи; на фиг.2- осциллограмма видеосигнала.

Устройство для осуществления спо- соба определения параметров термопластического и фотопластического носителей записи содержит электронную пушку 1, электростатическую отклоняющую систему 2, растрирующую сетку 3, ускоряющие электроды 4, секционированную магнитную, катушку 5, термопластический носитель 6 записи, блок 7 управления, счетчик 8, блок 9 нагрева, источник 10 света, конденсор 11, объектив 12, бленду 13, экран 14 с отверстием, фотоумножитель (ФЭУ) 15, запоминающий осциллограф 16.

тоящей из электронной пушки 1, электростатической отклоняющей сИсте1Ф1 2, растрирующей сетки 3, ускоряющих j электродов | и секционированной маГ нитной катушки 5, наносят на ТПНЗ 6 зл,, заряд. Длительность и период нанесения зл.заряда задается блоком 7 управления. Записанный на ТПНЗ 6 микрорельеф модулирует световой поток, сформированный источником 10 света, конденсором 1, объективом 12, блендой 13, экраном 14, Эл. сигнал, снимаемый с фотоэлектронного умножителя 15, подается на запоминающий осциллограф 16. 2 ил.

Способ определения параметров термопластического и фотопластического носителей записи осуществляется следующим образом.

Сформированным электронно-оптической системой, состоящей из электронной пушки 1, электростатической от- юпоняющей системы 2, растрирующей сетки 3, ускоряющих электродов 4 и секционированной магнитной катушки 5, электронным пучком облучают разогре- тьй блоком 9 образец термопластического носителя 6, нанося на него зарядовый рельеф с размером элемента записи и расстоянием между элементами, равными размеру отверстий и рас- СТОЯНИК1 между отверстиями растрирующей сетки 3 соответственно.

Длительность и период облучения

задается с помощью блока 7 управления, подключенного к модулятору электронной пушки 1. Число записанных кадров на термопластический носитель 6 фиксируют с помощью счетчика 8.

Записанный на термопластическом носителе 6 микрорельеф периодически моду.тшрует световой поток оптической системы, состоящей из источника . 10 света, конденсора 11, объектива 2, бленды 13, экрана 14 с отверстием и ФЭУ 15.

Электрический сигнал, снимаемый с ФЭЗ 1 5, подгиот в з апоминающий осцштограф 16, на котором и фиксируется выходной сигнал, показанный на фиг, 2.

Так как время t нанесения заряда намного меньше длительности t образования механической деформации то считаем, что время релаксации пондеромоторной силы, воздействующей на поверхность термопластическо носители 6, намного меньше времени 1Гц релаксации деформации. Следова- тельно, релаксация деформации происходит в отсутствие пондеромоторно силы. Для удовлетворения этого условия в первом периоде нанесения заряда измеряют время нарастания виде сигнала и в дальнейшем время нанесения заряда устанавливают по крайней мере в десять раз меньше этого времени.

Когда tfi ; t , время образования деформации определяется по формуле

oJw/ . . fh/tJp fii ct

- со. Ыр

где (jNj .

uJp

a)fvj и (л)р -.функции параметров слоя и зависят от формы скрытого изображения (Clu). .

Для штрихового СИ и)ми р дают- ся следующими выражениями:

u)p

.;

Ро Со ,

IS Безразмерньй параметр

&o&,.Ci .

а5

-10

электрическое удельное со- противдение термопластического носителя 6; диэлектрическая постоянная; диэлектрическая проницаемость термопластического носителя 6;

-термопластического носителя.

для штрихй&ого СИ время обдеформации

tb

1

Для синусоидального скрытого изобра : Т J :1гг

жения при wr и cJ 2 § время образования деформации равно

t 1 - t,- . ,.

2

Таким образом, измерив экспериментально время образования деформации по времени нарастания видео сигнала можно найти связь между Т э и оС . Но для на хождения каждой из этих величин необходимо еще одно уравнение, связывающее эти два параметра.

Время спада выходного сигнала t можно определить как время, за которое величина деформации после своего максимума уменьшилась в 20 раз.

Максимальную величину деформации можно записать в виде

А,,С1( ),

где Q функция толщины слоя, вязкости удельного сопротивления и т.д.

Согласно определению tc деформация после окончания цикла равна

А ,. г .- pCthtbO-iJMfbiffc;) с. 20 « I J

В результате получаем гоГг - Ч& и+tc)

Из этого уравнения определяем функциональную связь между безраз- э- мерным параметром оС и отношением

1с tn

Для штрихового скрытого изображения эта связь имеет вид 40.- ±с

2.o( 10uC)

-100СФС. 1.

lOot (lOoC)°

Для синусоидального скрытого изоб ражения

Ш- 20 2.

t

5Я1 Л

( V г /

После определения о(, можно найти время электрической релаксации для синусоидального скрытого изображения

55

С7 J. fS П 1д- Ь| 2 V

tnf-ое

для.штрихового скрытого изображения

tnilO 11 )

- Э -, 1 n / )

In iQ-i

ВЯЗКОСТЬ

уде;льное сопротивление приемного слоя

fo

Гэ

о6где

Г

-2.

н/м;

3. 10 3.

(эти величины обычно постоянны .для всех термопластических материалов ).

Таким образом, анализируя выходной сигнал (динамическую характеристику светоотдачи) определяют величину максимальной амплитуды светоотдачи А,|,, .длительность нарастания и спада и tc выходного сигнала. Срок службы носителя опреде;аяют по заданному спаду амплитуды выходного сигнала, а по времени t Y и t с. наратания и спада видеосигнала находят время электрической релаксации

4-) - rj

inK(J)

Чп

вязкость

.tr .

4- 1,11- -т 4i)-M

(|)П,к(---)Л

удельное сопротивление

t

К( 1

(i) ьп

где К - безразмерный коэффициент, равный 0,228 при штриховом характере скрытого изображения и О, синусоидальном характере скрытого изображения.

Формула изобрете:ния

Способ определения параметров термопластического и фотопластического носителей записи, заключающийся в нагревании термопластического носителя записи, периодическом нанесении электрического заряда на теп опластический носитель записи

го-тпульсным растрированиыь электронным пучком одновременно по всей нло шади теркгопластического носителя

записи и нреобразовании дифрагированного на нем светового нотока в видеосигнал с последующим измерением его параметров,отличающий- с я тем, что, с целью расширения

функциональных: возможностей за счет увеличения числа измеряемых параметров, в течение первого периода нанесения элек:трического заряда на термо- пластг ческий носитель записи измеряют время нарастания видеосигнала, ддя последующих периодов нанесения электрического заряда на термопласти ческий носитель записи устанавливают время нанесения электри еского заряда не более 0,1 от времени нарастания в:адеосигнала, измеренного в течение первого периода нанесения электрического заряда на термопластичес- К1СЙ носитель записи, измеряют в течение ка:ждого последующего периода нанесения электрического заряда на термопластический носитель записи время t нарастания и время t 6 спада видеосигнала, по которым определяют

время электрической релаксации

%вяззсость

а

(|.Г- о :г.к(|)

т. и 36/tn K(|) l

) K()

Ijfjt,

и удельное сопротивление

/

/ - Se; 1„ к(

где о толщина термопластического

носитапя записи; Г - к;озффициент поверхностного

напряжения;

C j- диэлектрическая проницаемость тер мопластического носителя э аписи 5

-tr- диэлектрическая постоянная; К - безразмерный коэффициент, paBHbtft О,,288 при штриховом характере скрытого изображения и 0,0455 при ,синусоид -5ЛБН. Характере скрытого изобретения.

- t

Редактор Т.. Парфенова

заказ 3616/58Тираж 624 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета Ctor

по делам изображений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно

-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

(Риз. 2

Составитель А, Прозоровский

Техред О.Гортвай Корректор М. Демчик

Изобретение относится к ТВ и может использоваться для определения физических и эксплуатационных параметров приемных слоев. Расширяются функциональные возможности за счет увеличения числа измеряемых параметров. Способ, заключается в том, что термопластический носитель записи (ТПНЗ) нагревают, затем импульсным растрированным электронным пучком наносят на всю его площадь эл. заряд. Дифрагированный световой, поток преобразуют в видеосигнал и измеряют время нарастания видеосигнала. Для последующих периодов устанавливают время нанесения О) с W S Ю СП 00 - 16 «рое./